半導體元件結構以及製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文半導體元件結構以及製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I300625, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢.

序號	4924
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	半導體元件結構以及製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	I300625
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4924

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

半導體元件結構以及製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

I300625

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

(空)

根據識別碼 I300625 找到的相關資料

無其他 I300625 資料。

[ 搜尋所有 I300625 ... ]

根據名稱半導體元件結構以及製造方法找到的相關資料

(以下顯示 4 筆) (或要:直接搜尋所有 半導體元件結構以及製造方法 ...)

半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,504,694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,972,912 \| 專利期間起: 100/07/05 \| 專利期間訖: 116/04/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7504694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7972912 \| 專利期間起: 100/07/05 \| 專利期間訖: 116/04/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集

根據姓名曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢找到的相關資料

一種特殊的半導體元件結構

@ 技術司專利資料集

一種特殊的半導體元件結構

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢 ... ]

根據電話 03-59117812 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-59117812 ...)

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

@ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

@ 技術司專利資料集

互動式顯示系統

@ 技術司專利資料集

靜電放電防護電路

@ 技術司專利資料集

壓電驅動光學鏡頭

@ 技術司專利資料集

氫甲醯化製程

@ 技術司專利資料集

停車管理系統及裝置

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 03-59117812 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與半導體元件結構以及製造方法同分類的技術司專利資料集

改善澱粉塑膠批次改質造粒之連續製程方法及其裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 226282 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 塑膠中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 精密及環保塑膠之新加工製程三年計畫 \| 專利發明人: 吳易凡
原型模具或翻砂模具製作用之熱固性塑材代木的製備方法及所製得的代木	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193612 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 塑膠中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 精密及環保塑膠之新加工製程三年計畫 \| 專利發明人: 王昭欽 \| 沈曉復
具有彈性及耐用的探針	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US-2003-0112024-A1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 鄧德生.李鴻淇
射頻傳輸線之參數調校的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197766號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 李繼華.梁春村.葉嘉範
劃碼多工進接系統之分離式波道卡架構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: 175672 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院資通所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 吳匡時 \| 林瀛寬 \| 彭明山
超音波成像系統之動態延遲曲線方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197676號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 胡振華 \| 高幼齡 \| 廖振南
一種用於三角積分器成像裝置之聚焦控制方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第191461號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 醫療系統技術開發四年計畫 \| 專利發明人: 李百祺 \| 黃景忠 \| 陳淑娥 \| 高幼齡 \| 朱子英
具機能性之人工義肢套筒內襯	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200027 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 鞋技中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 楊文賓郭文龍張慶利
改良式鞋楦	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 249510 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 鞋技中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 黃賜源吳松青廖明濠
快速鑑定微生物的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185390 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 張長泉 \| 陳秀雯 \| 丁懷謙
用於製造生臭豆腐之菌群及滷水組合物及製造生臭豆腐之方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98125700.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 李淑芬 \| 李福臨 \| 余曉青 \| 黃偉勳 \| 劉育貞
製造丁四醇之酵母菌菌種	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 203328 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 林錫杰 \| 溫秋燕 \| 許文浩 \| 劉桂郁 \| 朱文深
一種利用固態營養基質懸浮液培養絲狀真菌的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00103542.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 吳文騰 \| 王培銘 \| 黃定國 \| 袁國芳
絲狀菌的培養方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3543085 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 吳文騰 \| 王培銘 \| 黃定國 \| 袁國芳
Method for cultivation of filamentous fungi	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6,746,862 B1 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 食品所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 生物資源之收集保存與開發四年計畫 \| 專利發明人: 吳文騰 \| 王培銘 \| 黃定國 \| 袁國芳

半導體元件結構以及製造方法 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與半導體元件結構以及製造方法同分類的技術司專利資料集

半導體元件結構以及製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部