半導體元件結構以及製造方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文半導體元件結構以及製造方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是曾懷遠 ,貢振邦 ,林鴻志 ,李明賢 ,, 證書號碼是7,504,694.

序號5570
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文半導體元件結構以及製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人曾懷遠 ,貢振邦 ,林鴻志 ,李明賢 ,
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7,504,694
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註20100834-Joanne
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

5570

產出年度

98

領域別

(空)

專利名稱-中文

半導體元件結構以及製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

曾懷遠 ,貢振邦 ,林鴻志 ,李明賢 ,

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7,504,694

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

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http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

20100834-Joanne

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

根據識別碼 7 504 694 找到的相關資料

# 7 504 694 於 臺灣出版新書預告書訊

書名不能沒有愛!
作者ゆん做; 魏嫚秀譯
出版單位長鴻
版次初版
出版年月110/02
標題(空的。未填資料。)
適讀對象成人(一般)
類號(空的。未填資料。)
ISBN978-986-504-694-1 (平裝, 208面, 19公分)
開數19
頁數208
得獎紀錄(空的。未填資料。)
書名: 不能沒有愛!
作者: ゆん做; 魏嫚秀譯
出版單位: 長鴻
版次: 初版
出版年月: 110/02
標題: (空的。未填資料。)
適讀對象: 成人(一般)
類號: (空的。未填資料。)
ISBN: 978-986-504-694-1 (平裝, 208面, 19公分)
開數: 19
頁數: 208
得獎紀錄: (空的。未填資料。)
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# 半導體元件結構以及製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號4924
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文半導體元件結構以及製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人曾懷遠 貢振邦 林鴻志 李明賢
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I300625
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註0
特殊情形(空)
序號: 4924
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 半導體元件結構以及製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 曾懷遠 貢振邦 林鴻志 李明賢
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I300625
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
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特殊情形: (空)

# 半導體元件結構以及製造方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號7979
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文半導體元件結構以及製造方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人曾懷遠,貢振邦,林鴻志,李明賢
核准國家美國
獲證日期100/08/16
證書號碼7,972,912
專利期間起100/07/05
專利期間訖116/04/24
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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特殊情形(空)
序號: 7979
產出年度: 100
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 半導體元件結構以及製造方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 曾懷遠,貢振邦,林鴻志,李明賢
核准國家: 美國
獲證日期: 100/08/16
證書號碼: 7,972,912
專利期間起: 100/07/05
專利期間訖: 116/04/24
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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根據姓名 曾懷遠 貢振邦 林鴻志 李明賢 找到的相關資料

一種特殊的半導體元件結構

核准國家: 韓國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾懷遠 貢振邦 林鴻志 李明賢 | 證書號碼: 10-0798657

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

一種特殊的半導體元件結構

核准國家: 韓國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾懷遠 貢振邦 林鴻志 李明賢 | 證書號碼: 10-0798657

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
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# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7116
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
專利發明人吳旭智, 李青憲
核准國家中華民國
獲證日期99/03/05
證書號碼I321313
專利期間起99/03/01
專利期間訖116/03/02
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭露一種透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法。此裝置包含一規則組儲存單元、一演化式規則產生模組、和一規則觸發器。本發明先透過一大量平行之演化式計算方法，分析對話歷史記錄，訓練出一規則組，此規則組描述對話回合間的內文關係。根據此規則組，作
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7116
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫
專利發明人: 吳旭智, 李青憲
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/05
證書號碼: I321313
專利期間起: 99/03/01
專利期間訖: 116/03/02
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明揭露一種透過對話回合間內文關係來減少辨識錯誤的裝置與方法。此裝置包含一規則組儲存單元、一演化式規則產生模組、和一規則觸發器。本發明先透過一大量平行之演化式計算方法，分析對話歷史記錄，訓練出一規則組，此規則組描述對話回合間的內文關係。根據此規則組，作
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號7387
產出年度99
領域別機械運輸
專利名稱-中文植入奈米碳管之製程方法
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人廖仕傑 ,陳輝達 ,
核准國家中華民國
獲證日期99/03/03
證書號碼I321123
專利期間起99/03/01
專利期間訖115/09/18
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種植入奈米碳管之製程方法，其係針對奈米碳管場發射顯示器中之奈米碳管植入提出新的製作方法，該製程方法主要包括下列步驟：首先，以電磁波局部轉移介質材料而形成一介質層以提供黏著與導電之功能；然後，再將奈米碳管材料接受電磁波照射，透過電磁波光子撞擊所產生之光壓，使得奈米碳管植入於閘極孔中。利用本發明之方法，可以解決其他植入奈米碳管方法所造成之碳管密度不足、基板黏附性低以及高溫操作之缺點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7387
產出年度: 99
領域別: 機械運輸
專利名稱-中文: 植入奈米碳管之製程方法
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人: 廖仕傑 ,陳輝達 ,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/03
證書號碼: I321123
專利期間起: 99/03/01
專利期間訖: 115/09/18
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種植入奈米碳管之製程方法，其係針對奈米碳管場發射顯示器中之奈米碳管植入提出新的製作方法，該製程方法主要包括下列步驟：首先，以電磁波局部轉移介質材料而形成一介質層以提供黏著與導電之功能；然後，再將奈米碳管材料接受電磁波照射，透過電磁波光子撞擊所產生之光壓，使得奈米碳管植入於閘極孔中。利用本發明之方法，可以解決其他植入奈米碳管方法所造成之碳管密度不足、基板黏附性低以及高溫操作之缺點。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號8374
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統
執行單位工研院資通所
產出單位工研院資通所
計畫名稱智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲
核准國家美國
獲證日期100/03/30
證書號碼7,904,736
專利期間起100/03/08
專利期間訖119/01/03
專利性質發明
技術摘要-中文本發明乃有關於多執行緒程式之電源閘控方法以及實行該方法之系統，將令不需要使用的元件進入休眠狀態，以降低元件漏電流所造成的能量耗損。本發明以編譯器技術於一多執緒程式的一可能並行發生區域之各執行緒中佈置條件式電源啟動、關閉指令。上述條件式電源啟動指令將先判斷所對應之元件是否早已被啟動，並且僅在該元件尚未被啟動時啟動該元件。上述條件式電源關閉指令將先判斷所對應之元件於該可能並行發生區域中是否仍需使用，並且在判定不需使用時關閉該元件。本發明將避免元件被不必要地重複啟動；亦可避免元件被錯誤地提早關閉。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8374
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統
執行單位: 工研院資通所
產出單位: 工研院資通所
計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人: 游逸平,李政崑,莊國煜,吳宗憲
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/30
證書號碼: 7,904,736
專利期間起: 100/03/08
專利期間訖: 119/01/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明乃有關於多執行緒程式之電源閘控方法以及實行該方法之系統，將令不需要使用的元件進入休眠狀態，以降低元件漏電流所造成的能量耗損。本發明以編譯器技術於一多執緒程式的一可能並行發生區域之各執行緒中佈置條件式電源啟動、關閉指令。上述條件式電源啟動指令將先判斷所對應之元件是否早已被啟動，並且僅在該元件尚未被啟動時啟動該元件。上述條件式電源關閉指令將先判斷所對應之元件於該可能並行發生區域中是否仍需使用，並且在判定不需使用時關閉該元件。本發明將避免元件被不必要地重複啟動；亦可避免元件被錯誤地提早關閉。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號8383
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文互動式顯示系統
執行單位工研院資訊中心
產出單位工研院資訊中心
計畫名稱智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智
核准國家美國
獲證日期100/03/29
證書號碼7,916,129
專利期間起100/03/29
專利期間訖118/03/20
專利性質發明
技術摘要-中文"本發明係關於一種互動式顯示系統，包含反射鏡和顯示單元，並且顯示單元內建在反射鏡中，用於提供位於互動式顯示系統前方之使用者影像的輔助展示。當使用者朝互動式顯示系統移動或遠離互動式顯示系統時，使用者的影像將自動放大或縮小且顯示在顯示單元上。"
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8383
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 互動式顯示系統
執行單位: 工研院資訊中心
產出單位: 工研院資訊中心
計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人: 林盈孜,蕭詠今,陳右凱,李森,楊博智
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/29
證書號碼: 7,916,129
專利期間起: 100/03/29
專利期間訖: 118/03/20
專利性質: 發明
技術摘要-中文: "本發明係關於一種互動式顯示系統，包含反射鏡和顯示單元，並且顯示單元內建在反射鏡中，用於提供位於互動式顯示系統前方之使用者影像的輔助展示。當使用者朝互動式顯示系統移動或遠離互動式顯示系統時，使用者的影像將自動放大或縮小且顯示在顯示單元上。"
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號7052
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文無線環境下定位系統的新取樣點決定方法
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人徐銘駿, 崔文, 陳昭男
核准國家中華民國
獲證日期99/03/17
證書號碼I321928
專利期間起99/03/11
專利期間訖115/12/27
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭露一種無線系統中一目標裝置定位的可靠度指標給定方法。在追蹤定位時，當獲知目標裝置之無線訊號的位置觀察值後，本發明結合目標裝置之位置的後機率密度函數與目標裝置之移動模型來算出位置不確度，以得到此位置估計的可靠度指標。本發明先決定出此後機率密度函數，
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7052
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 無線環境下定位系統的新取樣點決定方法
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫
專利發明人: 徐銘駿, 崔文, 陳昭男
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/17
證書號碼: I321928
專利期間起: 99/03/11
專利期間訖: 115/12/27
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明揭露一種無線系統中一目標裝置定位的可靠度指標給定方法。在追蹤定位時，當獲知目標裝置之無線訊號的位置觀察值後，本發明結合目標裝置之位置的後機率密度函數與目標裝置之移動模型來算出位置不確度，以得到此位置估計的可靠度指標。本發明先決定出此後機率密度函數，
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號7080
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文通訊網路下之行動管理方法及裝置
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱新世代行動通訊技術發展計畫
專利發明人江為國, 何哲勳, 許建昌
核准國家中華民國
獲證日期99/03/19
證書號碼I321411
專利期間起99/03/01
專利期間訖115/09/28
專利性質發明
技術摘要-中文一種用於行動通訊中之通訊網路可包括至少一行動設備，所述行動設備經組態以經由通訊網路與相應主機通訊。通訊網路亦可包括封包資料閘道器，所述封包資料閘道器經組態以偵測漫遊至由封包資料閘道器所控制之無線區域網路中之行動設備的附著。此外，通訊網路可包括耦接至封包資
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7080
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 通訊網路下之行動管理方法及裝置
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 新世代行動通訊技術發展計畫
專利發明人: 江為國, 何哲勳, 許建昌
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/19
證書號碼: I321411
專利期間起: 99/03/01
專利期間訖: 115/09/28
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種用於行動通訊中之通訊網路可包括至少一行動設備，所述行動設備經組態以經由通訊網路與相應主機通訊。通訊網路亦可包括封包資料閘道器，所述封包資料閘道器經組態以偵測漫遊至由封包資料閘道器所控制之無線區域網路中之行動設備的附著。此外，通訊網路可包括耦接至封包資
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
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特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號7129
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文靜電放電防護電路
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱資訊與通訊領域環境建構計畫
專利發明人陳世宏, 柯明道
核准國家美國
獲證日期99/09/29
證書號碼7,692,907
專利期間起99/04/06
專利期間訖117/03/03
專利性質發明
技術摘要-中文本發明揭示一種能夠提供靜電放電 (Electrostatic Discharge；ESD) 防護的電路，該電路包括：一第一組電源軌，其包括一第一高電源軌與一第一低電源軌；於該第一組電源軌之間的一第一介面電路，該第一介面電路具有至少一閘極電極；一第一 ESD 裝置，其包括一耦合至該第一介面電
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7129
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 靜電放電防護電路
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫
專利發明人: 陳世宏, 柯明道
核准國家: 美國
獲證日期: 99/09/29
證書號碼: 7,692,907
專利期間起: 99/04/06
專利期間訖: 117/03/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明揭示一種能夠提供靜電放電 (Electrostatic Discharge；ESD) 防護的電路，該電路包括：一第一組電源軌，其包括一第一高電源軌與一第一低電源軌；於該第一組電源軌之間的一第一介面電路，該第一介面電路具有至少一閘極電極；一第一 ESD 裝置，其包括一耦合至該第一介面電
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-59117812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號7148
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文直流偏移消除電路
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
專利發明人高小文
核准國家中華民國
獲證日期99/03/03
證書號碼I320993
專利期間起99/02/21
專利期間訖115/12/25
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種在信號路徑中消除直流(DC)偏移的DC偏移消除電路。信號路徑包含輸入和輸出。DC偏移消除電路包含主動式積分器，耦合在輸入與輸出之間，用以提供負回授給信號路徑。主動式積分器包含：運算放大器（op-amp）、具有電容C的電容性元件和具有電阻R的電阻性元件，且電
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7148
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 直流偏移消除電路
執行單位: 工研院資通所
產出單位: (空)
計畫名稱: WiMAX個人行動數位機關鍵技術發展四年計畫
專利發明人: 高小文
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/03
證書號碼: I320993
專利期間起: 99/02/21
專利期間訖: 115/12/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種在信號路徑中消除直流(DC)偏移的DC偏移消除電路。信號路徑包含輸入和輸出。DC偏移消除電路包含主動式積分器，耦合在輸入與輸出之間，用以提供負回授給信號路徑。主動式積分器包含：運算放大器（op-amp）、具有電容C的電容性元件和具有電阻R的電阻性元件，且電
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)
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與半導體元件結構以及製造方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

光譜偏移式奈米近接裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉 | 證書號碼: 200276

光學用高度調整裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 石宇森 | 證書號碼: 201467

位移微擾裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 陳志光, 石宇森 | 證書號碼: 201468

電磁場感測元件及其裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃卯生, 薛文崇, 曾文仁, 馮勁敏, 梁文烈 | 證書號碼: 201837

二維位移量之量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 高清芬, 張中柱, 林慶芳 | 證書號碼: I224351

雙波混合於光折變晶體干涉裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李朱育, 施學兢 | 證書號碼: I221897

位移量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭凱宇, 戴鴻名 | 證書號碼: 207362

奈米碳管探針製作系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 潘善鵬, 姚斌誠, 張威政, 陳聖 | 證書號碼: 207365

壓電管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張貴凱, 施能謙, 陳燦林 | 證書號碼: 190341

連續微小相位變化檢出裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳譽元, 楊景榮, 黃瓊輝 | 證書號碼: 200275

探針檢測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 施能謙, 張貴凱, 陳燦林 | 證書號碼: 196398

將超媒體文件轉換為語音的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鍾錦鈞, 黃紹華, 鍾崇斌 | 證書號碼: ZL98116195.2

遙控器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 聯合新式樣 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鄭博文, 馮治華, 廖文全, 林正偉, 王泰元, 李炫弘, 劉緯興 | 證書號碼: 69681

密鑰管理方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 樊國楨, 趙承宗, 徐志國, 宋振華 | 證書號碼: 6,658,114

資料存取控管系統及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 高銘智, 陳彥學, 崔 文, 楊文新, 鄭仁傑 | 證書號碼: 6,748,084

光譜偏移式奈米近接裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 王浩偉 | 證書號碼: 200276

光學用高度調整裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 石宇森 | 證書號碼: 201467

位移微擾裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林耀明, 陳志光, 石宇森 | 證書號碼: 201468

電磁場感測元件及其裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃卯生, 薛文崇, 曾文仁, 馮勁敏, 梁文烈 | 證書號碼: 201837

二維位移量之量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 高清芬, 張中柱, 林慶芳 | 證書號碼: I224351

雙波混合於光折變晶體干涉裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李朱育, 施學兢 | 證書號碼: I221897

位移量測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭凱宇, 戴鴻名 | 證書號碼: 207362

奈米碳管探針製作系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 潘善鵬, 姚斌誠, 張威政, 陳聖 | 證書號碼: 207365

壓電管

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 張貴凱, 施能謙, 陳燦林 | 證書號碼: 190341

連續微小相位變化檢出裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳譽元, 楊景榮, 黃瓊輝 | 證書號碼: 200275

探針檢測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 施能謙, 張貴凱, 陳燦林 | 證書號碼: 196398

將超媒體文件轉換為語音的方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鍾錦鈞, 黃紹華, 鍾崇斌 | 證書號碼: ZL98116195.2

遙控器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 聯合新式樣 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 鄭博文, 馮治華, 廖文全, 林正偉, 王泰元, 李炫弘, 劉緯興 | 證書號碼: 69681

密鑰管理方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 樊國楨, 趙承宗, 徐志國, 宋振華 | 證書號碼: 6,658,114

資料存取控管系統及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 智慧型資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 高銘智, 陳彥學, 崔 文, 楊文新, 鄭仁傑 | 證書號碼: 6,748,084

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