一種特殊的半導體元件結構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種特殊的半導體元件結構的核准國家是韓國, 證書號碼是10-0798657, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是97, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢.

序號	4943
產出年度	97
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種特殊的半導體元件結構
執行單位	工研院院本部
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢
核准國家	韓國
獲證日期	(空)
證書號碼	10-0798657
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	0
特殊情形	(空)

序號

4943

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

一種特殊的半導體元件結構

執行單位

工研院院本部

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢

核准國家

韓國

獲證日期

(空)

證書號碼

10-0798657

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種半導體元件結構包括一絕緣基板。一通道層位於該絕緣基板上。多個摻雜層位於該絕緣基板上且從該通道層突出。其中該些摻雜層構成至少二個源/汲極對，每一該些源/汲極對，相對該通道層有不同的一延伸方向。一閘極介電層位於該通道層上。一閘極層位於該閘極介電層上。較佳地例如該些源/汲極對的至少其一的該延伸方向是在一第一方向，該些源/汲極對的至少另其一的該延伸方向是在一第二方向。 A structure of semiconductor device includes an insulation substrate. A channel layer is disposed on the insulation substrate. Multiple doped layers are disposed on the insulation substrate and protrude from the channel layer. The doped layers form at least two source/drain electrode pairs. Each of the source/drain electrode pairs with respect to the channel layer has an extension direction. A gate dielectric layer is disposed on the channel layer. A gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. Preferably for example, the extension direction of at least one of the source/drain electrode pairs is on a first direction, and the extension direction of at least another one of the source/drain electrode pairs is on a second direction.

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

特殊情形

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半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I300625 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠貢振邦林鴻志李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,504,694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,972,912 \| 專利期間起: 100/07/05 \| 專利期間訖: 116/04/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7504694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集
半導體元件結構以及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7972912 \| 專利期間起: 100/07/05 \| 專利期間訖: 116/04/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 曾懷遠 \| 貢振邦 \| 林鴻志 \| 李明賢 @ 技術司專利資料集

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多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,904,736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,916,129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7904736 \| 專利期間起: 100/03/08 \| 專利期間訖: 119/01/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 游逸平 \| 李政崑 \| 莊國煜 \| 吳宗憲 @ 技術司專利資料集
互動式顯示系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7916129 \| 專利期間起: 100/03/29 \| 專利期間訖: 118/03/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資訊中心 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 林盈孜 \| 蕭詠今 \| 陳右凱 \| 李森 \| 楊博智 @ 技術司專利資料集
靜電放電防護電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,692,907 \| 專利期間起: 99/04/06 \| 專利期間訖: 117/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 資訊與通訊領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳世宏 \| 柯明道 @ 技術司專利資料集
壓電驅動光學鏡頭	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,511,904 \| 專利期間起: 98/03/31 \| 專利期間訖: 116/05/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 胡朝彰 \| 蘇漢威 \| 沈聖智 @ 技術司專利資料集
氫甲醯化製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,683,219 \| 專利期間起: 99/03/23 \| 專利期間訖: 118/03/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 薛茂霖 \| 楊浩熏 \| 時國誠 \| 蘇再添 @ 技術司專利資料集
停車管理系統及裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710159782.3 \| 專利期間起: 100/03/16 \| 專利期間訖: 116/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 智慧感測網路技術與服務發展計畫 \| 專利發明人: 郭倫嘉 \| 吳忠郼 \| 沈仲九 \| 黃士一 @ 技術司專利資料集

多執行緒程式之電源閘控方法以及電源閘控系統

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應用於工具機直結式主軸之鬆刀機構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,675,683 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡志揚 \| 黃鴻傑 \| 張恩生 \| 蔡坤龍
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一種長管內表面電解拋光裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660138 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林春宏 \| 蔡陳德 \| 鍾允昇 \| 吳錦清 \| 陳裕豐 \| 王漢聰
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