發光二極體封裝結構及其製作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是高效能半導體光源及應用技術計畫, 專利發明人是陳明鴻 ,溫士逸 ,郭武政 ,陳炳儒 ,翁瑞坪 ,李孝文, 證書號碼是7521724.

序號5757
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高效能半導體光源及應用技術計畫
專利發明人陳明鴻 ,溫士逸 ,郭武政 ,陳炳儒 ,翁瑞坪 ,李孝文
核准國家美國
獲證日期(空)
證書號碼7521724
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註20101022-Joanne
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

5757

產出年度

98

領域別

(空)

專利名稱-中文

發光二極體封裝結構及其製作方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

高效能半導體光源及應用技術計畫

專利發明人

陳明鴻 ,溫士逸 ,郭武政 ,陳炳儒 ,翁瑞坪 ,李孝文

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

7521724

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。

技術摘要-英文

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聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

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備註

20101022-Joanne

特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號4282
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高效能半導體光源及應用技術計畫
專利發明人陳明鴻 溫士逸 郭武政 陳炳儒 翁瑞坪 李孝文
核准國家中國大陸
獲證日期(空)
證書號碼ZL200410103942.9
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。 One objective of the invention is to provide a light emitting diode (LED) package and process of making the same, which uses silicon-on-insulator (SOI) as the substrate and forms a reflective cavity on the silicon-on-insulator (SOI) substrate to dispose an LED. Insulation can be done by the insulation layer on the SOI substrate. Therefore, there is no need for further furnace processes to grow an insulation layer. Thus, the advantages of good heat resistance, ease in manufacturing the reflective cavity, good heat dispersal and easier processing can be achieved. In order to achieve the above objective, a process of making a light emitting diode (LED) package is disclosed. First, a silicon-on-insulator (SOI) substrate is provided. The silicon-on-insulator substrate is composed of a first silicon based material, a second silicon based material, and an insulation layer that is interposed therebetween. The first silicon based material and the second silicon based material of the silicon-on-insulator substrate are then etched to form a reflective cavity and an insulation trench, respectively. The insulation trench divides the silicon-on-insulator substrate into contact surfaces of positive and negative electrodes. Pluralities of metal lines are then formed on the sili
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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備註0
特殊情形(空)
序號: 4282
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫
專利發明人: 陳明鴻 溫士逸 郭武政 陳炳儒 翁瑞坪 李孝文
核准國家: 中國大陸
獲證日期: (空)
證書號碼: ZL200410103942.9
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。 One objective of the invention is to provide a light emitting diode (LED) package and process of making the same, which uses silicon-on-insulator (SOI) as the substrate and forms a reflective cavity on the silicon-on-insulator (SOI) substrate to dispose an LED. Insulation can be done by the insulation layer on the SOI substrate. Therefore, there is no need for further furnace processes to grow an insulation layer. Thus, the advantages of good heat resistance, ease in manufacturing the reflective cavity, good heat dispersal and easier processing can be achieved. In order to achieve the above objective, a process of making a light emitting diode (LED) package is disclosed. First, a silicon-on-insulator (SOI) substrate is provided. The silicon-on-insulator substrate is composed of a first silicon based material, a second silicon based material, and an insulation layer that is interposed therebetween. The first silicon based material and the second silicon based material of the silicon-on-insulator substrate are then etched to form a reflective cavity and an insulation trench, respectively. The insulation trench divides the silicon-on-insulator substrate into contact surfaces of positive and negative electrodes. Pluralities of metal lines are then formed on the sili
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
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特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號4283
產出年度97
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱高效能半導體光源及應用技術計畫
專利發明人陳明鴻 溫士逸 郭武政 陳炳儒 翁瑞坪 李孝文
核准國家韓國
獲證日期(空)
證書號碼10-0766028
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。 One objective of the invention is to provide a light emitting diode (LED) package and process of making the same, which uses silicon-on-insulator (SOI) as the substrate and forms a reflective cavity on the silicon-on-insulator (SOI) substrate to dispose an LED. Insulation can be done by the insulation layer on the SOI substrate. Therefore, there is no need for further furnace processes to grow an insulation layer. Thus, the advantages of good heat resistance, ease in manufacturing the reflective cavity, good heat dispersal and easier processing can be achieved. In order to achieve the above objective, a process of making a light emitting diode (LED) package is disclosed. First, a silicon-on-insulator (SOI) substrate is provided. The silicon-on-insulator substrate is composed of a first silicon based material, a second silicon based material, and an insulation layer that is interposed therebetween. The first silicon based material and the second silicon based material of the silicon-on-insulator substrate are then etched to form a reflective cavity and an insulation trench, respectively. The insulation trench divides the silicon-on-insulator substrate into contact surfaces of positive and negative electrodes. Pluralities of metal lines are then formed on the sili
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-59117812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
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備註0
特殊情形(空)
序號: 4283
產出年度: 97
領域別: (空)
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫
專利發明人: 陳明鴻 溫士逸 郭武政 陳炳儒 翁瑞坪 李孝文
核准國家: 韓國
獲證日期: (空)
證書號碼: 10-0766028
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。 One objective of the invention is to provide a light emitting diode (LED) package and process of making the same, which uses silicon-on-insulator (SOI) as the substrate and forms a reflective cavity on the silicon-on-insulator (SOI) substrate to dispose an LED. Insulation can be done by the insulation layer on the SOI substrate. Therefore, there is no need for further furnace processes to grow an insulation layer. Thus, the advantages of good heat resistance, ease in manufacturing the reflective cavity, good heat dispersal and easier processing can be achieved. In order to achieve the above objective, a process of making a light emitting diode (LED) package is disclosed. First, a silicon-on-insulator (SOI) substrate is provided. The silicon-on-insulator substrate is composed of a first silicon based material, a second silicon based material, and an insulation layer that is interposed therebetween. The first silicon based material and the second silicon based material of the silicon-on-insulator substrate are then etched to form a reflective cavity and an insulation trench, respectively. The insulation trench divides the silicon-on-insulator substrate into contact surfaces of positive and negative electrodes. Pluralities of metal lines are then formed on the sili
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-59117812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 0
特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號1972
產出年度94
領域別(空)
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫
專利發明人陳明鴻、溫士逸、郭武政、 陳炳儒、翁瑞坪、李孝文
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼I239670
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員劉展洋
電話03-5916037
傳真03-5917431
電子信箱JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形(空)
序號: 1972
產出年度: 94
領域別: (空)
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院光電所
產出單位: (空)
計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫
專利發明人: 陳明鴻、溫士逸、郭武政、 陳炳儒、翁瑞坪、李孝文
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: I239670
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構及其製作方法，乃利用由兩層矽基材間夾有絕緣層之絕緣矽（silicon-on-insulator, SOI）作為封裝基板，然後，於絕緣矽基板之兩層矽基材上分別製作凹槽反射座與可將絕緣矽基板分割出正負電極之隔絕槽，再製作數個金屬導線電性連接前述兩層矽基材，即可將發光二極體晶粒配置於凹槽反射座上並透過金屬導線而電性連接至絕緣矽基板之正負電極，藉此可達成發光二極體的封裝作業，並提高耐溫性、散熱性，以及簡化製程。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 劉展洋
電話: 03-5916037
傳真: 03-5917431
電子信箱: JamesLiu@Itri.org.tw
參考網址: http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註: 原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號7876
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人戴明吉,劉君愷,余致廣,
核准國家美國
獲證日期100/01/10
證書號碼7,855,396
專利期間起99/12/21
專利期間訖115/10/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7876
產出年度: 100
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 戴明吉,劉君愷,余致廣,
核准國家: 美國
獲證日期: 100/01/10
證書號碼: 7,855,396
專利期間起: 99/12/21
專利期間訖: 115/10/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號7877
產出年度100
領域別創新前瞻
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人戴明吉,劉君愷,余致廣
核准國家美國
獲證日期100/08/16
證書號碼7,972,877
專利期間起100/07/05
專利期間訖116/01/17
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7877
產出年度: 100
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 戴明吉,劉君愷,余致廣
核准國家: 美國
獲證日期: 100/08/16
證書號碼: 7,972,877
專利期間起: 100/07/05
專利期間訖: 116/01/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號11207
產出年度102
領域別創新前瞻
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院院本部
產出單位工研院院本部
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人戴明吉 ,劉君愷 ,余致廣 ,
核准國家中華民國
獲證日期102/01/21
證書號碼I382564
專利期間起102/01/11
專利期間訖116/02/04
專利性質發明
技術摘要-中文一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 11207
產出年度: 102
領域別: 創新前瞻
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院院本部
產出單位: 工研院院本部
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人: 戴明吉 ,劉君愷 ,余致廣 ,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/01/21
證書號碼: I382564
專利期間起: 102/01/11
專利期間訖: 116/02/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種發光二極體封裝結構，其包括一第一基板、一發光二極體晶片、一第二基板以及一熱電致冷元件。第一基板具有一第一表面及與其相對應之一第二表面。發光二極體晶片適於發射出一光線，而發光二極體晶片係配置於第一基板之第一表面上，且與第一基板電性連接。第二基板是位於第一基板之下方，第二基板具有一第三表面及與其相對應之一第四表面，且第三表面係面對第二表面。熱電致冷元件是配置於第一基板之第二表面與第二基板的第三表面之間，以傳導發光二極體晶片運作時產生之熱能。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號9971
產出年度101
領域別電資通光
專利名稱-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利發明人陳明鴻,溫士逸,郭武政,陳炳儒,翁瑞坪,李孝文,
核准國家日本
獲證日期101/04/19
證書號碼4947929
專利期間起101/03/16
專利期間訖114/07/04
專利性質發明
技術摘要-中文發光二極體封裝結構及其製作方法
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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特殊情形(空)
序號: 9971
產出年度: 101
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利發明人: 陳明鴻,溫士逸,郭武政,陳炳儒,翁瑞坪,李孝文,
核准國家: 日本
獲證日期: 101/04/19
證書號碼: 4947929
專利期間起: 101/03/16
專利期間訖: 114/07/04
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 發光二極體封裝結構及其製作方法
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917431
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# 發光二極體封裝結構及其製作方法 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號9982
產出年度101
領域別電資通光
專利名稱-中文具靜電保護之發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利發明人石志聰,許鎮鵬,黃世才,蔡欣芸,胡鴻烈,陳炳儒,杜冠潔,
核准國家中華民國
獲證日期101/05/16
證書號碼I363437
專利期間起101/05/01
專利期間訖117/05/20
專利性質發明
技術摘要-中文具靜電保護之發光二極體封裝結構及其製作方法
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
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序號: 9982
產出年度: 101
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 具靜電保護之發光二極體封裝結構及其製作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫
專利發明人: 石志聰,許鎮鵬,黃世才,蔡欣芸,胡鴻烈,陳炳儒,杜冠潔,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 101/05/16
證書號碼: I363437
專利期間起: 101/05/01
專利期間訖: 117/05/20
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 具靜電保護之發光二極體封裝結構及其製作方法
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號11993
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家中國大陸
獲證日期102/03/11
證書號碼ZL200810211084.8
專利期間起102/01/23
專利期間訖117/08/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構，運用在揚聲器單體結構上，其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上，而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式，或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
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特殊情形(空)
序號: 11993
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/03/11
證書號碼: ZL200810211084.8
專利期間起: 102/01/23
專利期間訖: 117/08/19
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具備輕、薄、可撓曲等特性的音腔結構，運用在揚聲器單體結構上，其為在一音腔基材上設計相當的支撐體組成。而此支撐體的製程可為製作於音腔基材上、或者製作於振膜電極上，而支撐體可以採取與音腔電極或振膜電極有黏著或不黏著的兩種設計方式，或者先行製作支撐體完成後再置入振膜電極與音腔基材間。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號11997
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家美國
獲證日期102/03/27
證書號碼8,384,215
專利期間起102/02/26
專利期間訖120/06/30
專利性質發明
技術摘要-中文一種晶圓級的模封接合結構，在多個實施例其中的一個結構中，包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側，晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面，其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極，分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材，在一實施例中包含例如多個導電顆粒，或更包含非導電顆粒，以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通，並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
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特殊情形(空)
序號: 11997
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 晶圓級模封接合結構及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民
核准國家: 美國
獲證日期: 102/03/27
證書號碼: 8,384,215
專利期間起: 102/02/26
專利期間訖: 120/06/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種晶圓級的模封接合結構，在多個實施例其中的一個結構中，包含至少一上晶片與一下晶片以及置於其間的黏著材料。上晶片包含晶背、晶面和多個晶側，晶面上有多個電極。下晶片包含晶背及晶面，其上面分別有多個晶背凸塊和晶面凸塊。下晶片中包含多個貫穿電極，分別電性導通上述晶背凸塊和晶面凸塊。黏著材料包含高分子膠材，在一實施例中包含例如多個導電顆粒，或更包含非導電顆粒，以達成多個電極和上述晶背凸塊的電性導通，並同時完全包覆上晶片之晶側。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號11999
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人沈煜棠 ,葉紹興
核准國家美國
獲證日期102/05/27
證書號碼8,416,213
專利期間起102/04/09
專利期間訖120/03/17
專利性質發明
技術摘要-中文一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間，並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極，其中，被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態，而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極，其中，被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態，而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 11999
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 感測裝置及其掃描驅動方法
執行單位: 工研院南分院
產出單位: 工研院南分院
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興
核准國家: 美國
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: 8,416,213
專利期間起: 102/04/09
專利期間訖: 120/03/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種感測裝置及其掃描驅動方法。感測裝置包括第一電極、第二電極、感測元件陣列、第一電極掃描驅動電路、第二電極掃描驅動電路及控制電路。感測元件陣列係位於第一電極與第二電極之間，並於被施力觸摸後輸出至少一第一感測電壓。第一電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第一電極，其中，被驅動之第一電極被設定為高準位輸出狀態，而未被驅動之第一電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。第二電極掃描驅動電路用以依序掃描驅動第二電極，其中，被驅動之第二電極呈現為高阻抗輸入狀態，而未被驅動之第二電極被設定為低準位輸出狀態或接地狀態。控制電路用以控制第一電極掃描驅動電路及第二電極掃描驅動電路。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號12001
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文揚聲器單體結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/14
證書號碼ZL200710184913.3
專利期間起102/03/20
專利期間訖116/10/28
專利性質發明
技術摘要-中文在此提出一種揚聲器單體結構，包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成，其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中，駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間，形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間，以產生聲音。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12001
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 揚聲器單體結構
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/14
證書號碼: ZL200710184913.3
專利期間起: 102/03/20
專利期間訖: 116/10/28
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 在此提出一種揚聲器單體結構，包括單一駐極體振膜結構、具多個開孔的單一金屬電極與邊框支撐體所組成。此駐極體振膜結構在一例子中是由駐極體振膜層、極薄金屬薄膜電極以及絕緣層堆疊而成，其中此極薄金屬薄膜電極位於駐極體振膜層以及絕緣層之間。在另一例子中，駐極體振膜結構是由駐極體振膜層與具有氧化導電材料的導電電極層所組成。而邊框支撐體位於駐極體振膜結構與金屬電極之間，形成用以作為駐極體振膜結構振動之空間，以產生聲音。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號12009
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家中國大陸
獲證日期102/05/27
證書號碼ZL200910202828.4
專利期間起102/04/03
專利期間訖118/05/25
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
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備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12009
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 102/05/27
證書號碼: ZL200910202828.4
專利期間起: 102/04/03
專利期間訖: 118/05/25
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
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特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號12010
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人劉昌和 ,陳明道
核准國家美國
獲證日期102/04/10
證書號碼8,391,520
專利期間起102/03/05
專利期間訖120/12/15
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12010
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 平面揚聲器單體與揚聲器裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 劉昌和 ,陳明道
核准國家: 美國
獲證日期: 102/04/10
證書號碼: 8,391,520
專利期間起: 102/03/05
專利期間訖: 120/12/15
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種具高可靠度平面揚聲器單體與揚聲器裝置，是利用振膜的導電電極可以具有阻隔水氣的特性，將其置於平面揚聲器單體的最外層來達成提升平面揚聲器單體的可靠度。亦可於平面揚聲器單體外側加上對水氣阻隔效果佳的保護層，用以進一步提升平面揚聲器單體的可靠度及使用壽命。本平面揚聲器單體至少由一對具導電電極層的駐極體振膜、支撐體層及開孔電極結構等所組成。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號12021
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文照明裝置
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人黃承揚 ,許詔開
核准國家中華民國
獲證日期102/07/30
證書號碼I402456
專利期間起102/07/21
專利期間訖119/03/16
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種照明裝置，包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列，其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中，另一端則與軟性照明元件連接，傳動模組與懸臂連接，並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是，一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間，並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12021
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 照明裝置
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫
專利發明人: 黃承揚 ,許詔開
核准國家: 中華民國
獲證日期: 102/07/30
證書號碼: I402456
專利期間起: 102/07/21
專利期間訖: 119/03/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種照明裝置，包括一連接盤、一軟性照明元件、複數個懸臂以及一傳動模組。複數個懸臂呈放射狀排列，其中每一懸臂之一端以可旋轉的方式設置於連接盤中，另一端則與軟性照明元件連接，傳動模組與懸臂連接，並趨使懸臂旋轉以使軟性照明元件變形。或者是，一距離形成於軟性照明元件以及連接盤之間，並藉由改變此距離而使軟性照明元件變形。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 李露蘋
電話: 03-5917812
傳真: 03-5917812
電子信箱: oralp@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5917812 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號15264
產出年度104
領域別民生福祉
專利名稱-中文Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位工研院生醫所
產出單位工研院生醫所
計畫名稱智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家美國
獲證日期104/03/11
證書號碼8,940,333
專利期間起104/01/27
專利期間訖116/05/11
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種兩性團聯共聚高分子，包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體，用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露頻
電話03-5917812
傳真03-5917812
電子信箱oralp@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 15264
產出年度: 104
領域別: 民生福祉
專利名稱-中文: Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same
執行單位: 工研院生醫所
產出單位: 工研院生醫所
計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫
專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐
核准國家: 美國
獲證日期: 104/03/11
證書號碼: 8,940,333
專利期間起: 104/01/27
專利期間訖: 116/05/11
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種兩性團聯共聚高分子，包括一或多個親水性高分子、一或多個疏水性高分子以及一或多個兩性分子。本發明另提供一種包含此兩性團聯共聚高分子之奈米微粒及載體，用以傳輸脂溶性藥物、生長因子、基因或化妝品。
技術摘要-英文: (空)
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與發光二極體封裝結構及其製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜 | 證書號碼: ZL00106427.4

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平 | 證書號碼: ZL01102417.8

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮 | 證書號碼: ZL01103984.1

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 | 證書號碼: 6,666,545

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓 | 證書號碼: 6,644,795

墨水通道製造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王介文, 吳義勇, 胡鴻烈, 李明玲 | 證書號碼: ZL98115179.5

噴墨印頭晶片的單石製造方法及噴墨印頭

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 胡紀平, 吳義勇, 藍元亮, 賴怡絢, 王惠芳 | 證書號碼: ZL98118397.2

噴墨印頭的結構與製作方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李憶興, 吳義勇, 鄭陳煜, 邱紹玲, 徐享楨 | 證書號碼: ZL98124126.3

一種噴墨頭墨水儲存裝置及其供給方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 王介文, 侯怡仲, 張智超 | 證書號碼: ZL00100896.X

可精確測量加熱元件溫度的噴墨打印頭及其測量方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL00100897.8

精確量測噴墨印頭加熱元件溫度的方法和結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 蘇士豪 | 證書號碼: 189849

噴墨頭墨水壓力控制裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 謝樹崢, 蘇士豪, 許成偉, 陳錦泰, 侯怡仲, 王介文 | 證書號碼: ZL00100898.6

噴墨印頭芯片及噴墨印頭壽命與缺陷的檢測方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 王介文, 李明玲, 藍元亮, 呂志平, 鄭陳煜 | 證書號碼: ZL00106427.4

一種噴墨匣的噴墨頭晶片的封裝方法及封裝構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 蘇士豪, 王介文, 呂志平 | 證書號碼: ZL01102417.8

安排噴墨頭的噴孔的方法及其構造

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 張輝煌, 黃友澤 | 證書號碼: ZL01109007.3

一種熱氣泡噴墨印頭的制法及其結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 武東星, 鄭陳煜, 胡紀平, 吳義勇, 李憶興 | 證書號碼: ZL01100028.7

多色階噴墨頭晶片結構

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張智超, 邱慶龍, 蘇士豪 | 證書號碼: ZL01109057.X

噴墨筆的墨水壓力調節裝置

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 許成偉, 蘇士豪, 侯怡仲, 王介文, 藍元亮 | 證書號碼: ZL01103984.1

噴墨印頭晶片之驅動電晶體結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 劉建宏, 劉健群, 張智超, 胡紀平, 陳俊融 | 證書號碼: 6,666,545

壓力調節裝置及利用此壓力調節裝置之噴墨印頭

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林順泉, 張智超, 蘇士豪, 陳俊融, 李柏勳, 羅啟賓 | 證書號碼: 6,644,795

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