存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法
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專利名稱-中文存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院顯示中心, 產出年度是98, 專利性質是發明, 計畫名稱是新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫, 專利發明人是陳宏澤, 陳麒麟, 陳昱丞, 證書號碼是ZL200510123233.1.

序號	6028
產出年度	98
領域別	(空)
專利名稱-中文	存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法
執行單位	工研院顯示中心
產出單位	(空)
計畫名稱	新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫
專利發明人	陳宏澤, 陳麒麟, 陳昱丞
核准國家	中國大陸
獲證日期	(空)
證書號碼	ZL200510123233.1
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種記憶胞，此記憶胞適於配置於一基板上，且此記憶胞包括一島狀多晶矽層、一第一介電層、一阻陷層、一第二介電層以及一控制閘極。其中，島狀多晶矽層配置於基板上，且島狀多晶矽包括一源極摻雜區、一汲極摻雜區以及一位於源極摻雜區與汲極摻雜區之間的通道區，且該通道區的表面上具有多個規律排列之尖端。第一介電層配置於島狀多晶矽層上，阻陷層配置於第一介電層上，而第二介電層配置於阻陷層上，且控制閘極配置於第二介電層上。上述之記憶胞可整合在低溫多晶矽液晶顯示面板或有機發光二極體顯示面板的製作中。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-59117812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	20101294-Joanne
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

6028

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

存儲單元、像素結構以及存儲單元的制造方法

執行單位

工研院顯示中心

產出單位

(空)

計畫名稱

新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫

專利發明人

陳宏澤, 陳麒麟, 陳昱丞

核准國家

中國大陸

獲證日期

(空)

證書號碼

ZL200510123233.1

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種記憶胞，此記憶胞適於配置於一基板上，且此記憶胞包括一島狀多晶矽層、一第一介電層、一阻陷層、一第二介電層以及一控制閘極。其中，島狀多晶矽層配置於基板上，且島狀多晶矽包括一源極摻雜區、一汲極摻雜區以及一位於源極摻雜區與汲極摻雜區之間的通道區，且該通道區的表面上具有多個規律排列之尖端。第一介電層配置於島狀多晶矽層上，阻陷層配置於第一介電層上，而第二介電層配置於阻陷層上，且控制閘極配置於第二介電層上。上述之記憶胞可整合在低溫多晶矽液晶顯示面板或有機發光二極體顯示面板的製作中。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-59117812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

20101294-Joanne

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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記憶胞、畫素結構以及記憶胞的製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳宏澤陳麒麟陳昱丞 \| 證書號碼: 7,339,190 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 陳建志, 陳明道, 廖明俊 \| 證書號碼: 6680755
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 3522705
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 190470
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道, 沈毓仁 \| 證書號碼: 6778161
矽單晶液晶顯示器及製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖 \| 證書號碼: 6721027
簡易式塊狀彈性體的製程方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 盧思維, 盧明, 林志榮 \| 證書號碼: 6605525
蝕刻玻璃面板之裝置及方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳泰宏, 黃元璋 \| 證書號碼: 6673195
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 184692
陽光下可顯示的顯示器的畫素元件結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王文俊, 莊立聖 \| 證書號碼: 6714268
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 191581
具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 6677189

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

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專利期間訖

專利性質

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