專利名稱-中文3C產品殼件之 壓形製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I315226, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是98, 計畫名稱是金屬中心機械與自動化環境建構計畫, 專利發明人是林志倫、吳隆佃、姜志華、許宏旭、李明富、黃建成.
無其他 I315226 資料。
[ 搜尋所有 I315226 ... ]
根據名稱 3C產品殼件之 壓形製造方法 找到的相關資料
根據姓名 林志倫 吳隆佃 姜志華 許宏旭 李明富 黃建成 找到的相關資料
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達0.5μm、零組件接合良率可達85%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到±3°、洩漏檢測可達到3.2×10E(-9) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達1μm、零組件接合良率可達95%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到± 5°、洩漏檢測可達到1.2×10E(-8) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件定位精度可達0.5μm、零組件接合良率可達85%。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達2,000萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20%。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬精微元件與系統關鍵技術研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 零件接合精度可達到±3°、洩漏檢測可達到3.2×10E(-9) atm‧cc/sec。 | 潛力預估: 應用於光通訊雷射二極體之製作與量產,預計可取代同類型之進口產品,預估量產初期年產值可達兩千萬元以上。另可節省光通訊模組製造成本20% @ 技術司可移轉技術資料集 |
[ 搜尋所有 07-3513121轉2514 ... ]
在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:
與3C產品殼件之 壓形製造方法同分類的技術司專利資料集
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 209152 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 彭裕民 | 劉士山 | 黃振豊 | 丁朝陽 | 陳皇壯 | 李獻章 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 210173 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 朱堯熹 | 陳增堯 | 杜佾璋 | 莊思賢 | 溫獻瑞 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190383 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助 | 康顧嚴 | 許平源 | 薛康琳 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,680,148 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196500 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑 | 陳金銘 | 洪松慰 | 劉茂煌 | 謝建德 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197251 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李志聰 | 詹益松 | 林月微 | 吳茂松 | 莊文源 |
| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 3566681 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200904 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 杜佾璋 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01115531.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223294 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 杜佾璋 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224404 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉茂煌 | 陳金銘 | 王富田 | 黃國忠 | 鄭季汝 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01134646.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄 | 邱思議 | 鄭楚丕 | 溫志中 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 185721 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕 | 翁榮洲 | 劉金耀 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 189417 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中 | 于作浩 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: US 6,635,219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中 | 賴明雄 | 李秉璋 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 209152 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 彭裕民 | 劉士山 | 黃振豊 | 丁朝陽 | 陳皇壯 | 李獻章 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 210173 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 朱堯熹 | 陳增堯 | 杜佾璋 | 莊思賢 | 溫獻瑞 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190383 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助 | 康顧嚴 | 許平源 | 薛康琳 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,680,148 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 196500 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑 | 陳金銘 | 洪松慰 | 劉茂煌 | 謝建德 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197251 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李志聰 | 詹益松 | 林月微 | 吳茂松 | 莊文源 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 3566681 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200904 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 杜佾璋 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01115531.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松 | 吳盛豐 | 楊長榮 | 陳鑑昌 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223294 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端 | 杜佾璋 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224404 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉茂煌 | 陳金銘 | 王富田 | 黃國忠 | 鄭季汝 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01134646.9 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄 | 邱思議 | 鄭楚丕 | 溫志中 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 185721 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕 | 翁榮洲 | 劉金耀 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: TW 189417 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中 | 于作浩 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: US 6,635,219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中 | 賴明雄 | 李秉璋 |
|