在殼件表面縱向深度可變化的圖案膜的成型方法
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專利名稱-中文在殼件表面縱向深度可變化的圖案膜的成型方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I318935, 專利期間起是1999/1/1, 專利期間訖是116/09/13, 專利性質是發明, 執行單位是金屬中心, 產出年度是99, 計畫名稱是金屬積層板及複合製程高值應用關鍵技術研究三年計畫, 專利發明人是莊道良、黃建龍、花瑞銘、朱繼文.

序號6514
產出年度99
領域別創新前瞻
專利名稱-中文在殼件表面縱向深度可變化的圖案膜的成型方法
執行單位金屬中心
產出單位(空)
計畫名稱金屬積層板及複合製程高值應用關鍵技術研究三年計畫
專利發明人莊道良 | 黃建龍 | 花瑞銘 | 朱繼文
核准國家中華民國
獲證日期1999/1/1
證書號碼I318935
專利期間起1999/1/1
專利期間訖116/09/13
專利性質發明
技術摘要-中文提供殼件表面形成縱向深度可變化的圖案膜的成形方法,包含在殼件上噴塗待壓印膜層的植覆步驟、使待壓印膜層與殼件穩定附著的穩定步驟、操控一組滾壓頭依照設定的行進路徑沿該待壓印膜層表面行進,並在行進過程中進行制動,而使該待壓印膜層形成具有縱向深度可變並對應於該滾壓頭之花紋的圖案膜的壓印步驟,及使成形的圖案膜固化的固化步驟,而可用最簡潔的製作過程,達到賦予殼件表面炫彩披覆的功效。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員莊道良
電話07-3513121#3554
傳真07-3522170
電子信箱long@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

6514

產出年度

99

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

在殼件表面縱向深度可變化的圖案膜的成型方法

執行單位

金屬中心

產出單位

(空)

計畫名稱

金屬積層板及複合製程高值應用關鍵技術研究三年計畫

專利發明人

莊道良 | 黃建龍 | 花瑞銘 | 朱繼文

核准國家

中華民國

獲證日期

1999/1/1

證書號碼

I318935

專利期間起

1999/1/1

專利期間訖

116/09/13

專利性質

發明

技術摘要-中文

提供殼件表面形成縱向深度可變化的圖案膜的成形方法,包含在殼件上噴塗待壓印膜層的植覆步驟、使待壓印膜層與殼件穩定附著的穩定步驟、操控一組滾壓頭依照設定的行進路徑沿該待壓印膜層表面行進,並在行進過程中進行制動,而使該待壓印膜層形成具有縱向深度可變並對應於該滾壓頭之花紋的圖案膜的壓印步驟,及使成形的圖案膜固化的固化步驟,而可用最簡潔的製作過程,達到賦予殼件表面炫彩披覆的功效。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

莊道良

電話

07-3513121#3554

傳真

07-3522170

電子信箱

long@mail.mirdc.org.tw

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(空)

備註

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特殊情形

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在殼件表面形成縱向深度可變化的圖案膜的成型方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I318935 | 專利期間起: 1999/1/1 | 專利期間訖: 116/09/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 莊道良 黃建龍 花瑞銘 朱繼文

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在殼件表面形成縱向深度可變化的圖案膜的成型方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I318935 | 專利期間起: 1999/1/1 | 專利期間訖: 116/09/13 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 金屬中心創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 莊道良 黃建龍 花瑞銘 朱繼文

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真空鍍膜系統之鍍膜方法及鍍膜裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I441935 | 專利期間起: 120/11/14 | 專利期間訖: 真空鍍膜系統之鍍膜方法及鍍膜裝置 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 高值化金屬材料暨製造技術研發計畫 | 專利發明人: 莊道良、黃家宏、高于迦、吳政諺

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真空捲式鍍膜系統技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 平面顯示器設備技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 軟板幅寬: 650mm、軟板厚度: 10~90μm、軟捲內徑: 500mm、張力控制: 3~25Kg、線速度: 0.1~10 m/min、真空度: 1.0e-6 Torr、前處理離子能量: 60ev、... | 潛力預估: 影響之產業產值總體可達15億元

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低溫時效處理製程技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 金屬中心產業技術環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ΔL/L≦0.6μm/40mm ‧殘留沃斯田鐵量 ≦2.3% | 潛力預估: 創造潛在利基市場產品產值達2億元以上。

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應用於濕式發色製程之殼件隔離方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I325831 | 專利期間起: 1999/6/11 | 專利期間訖: 116/08/29 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 金屬中心機械與自動化環境建構計畫 | 專利發明人: 莊道良、黃建龍、邱松茂、朱繼文

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多層薄盤壓電致動式超音波馬達

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多層膜碟片膜層分離裝置

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多層膜資訊儲存媒體之製作方法

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多層膜資訊儲存媒體之製作方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,797,090 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 楊惠雯, 廖文毅, 鄭尊仁, 黃建喨, 黃得瑞, 鄭懷瑜

多層膜可蓋寫型資訊儲存媒體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 197221 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 林志銘, 廖文毅, 鄭尊仁, 顏文信, 楊惠雯

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次微米解析度光學同調斷層攝影技術

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223719 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 孫啟光

被動式電激發光二極體陣列的驅動方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190526 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿

基於動態影像壓縮標準之階層式物件切割法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188953 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰

位相差式防偽方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,667,797 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭

微透鏡之製作方法及其製造裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224210 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 204230 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居

多層薄盤壓電致動式超音波馬達

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,717,331 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 藍永松, 黃晉興, 張吉龍, 歐陽敏盛, 黃友謙, 游祥杰, 黃振源, 鄭尊仁, 朱朝居

近場光學頭物鏡

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190526 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何貫睿

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188953 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 甘敏成, 郭鐘榮, 吳國瑞, 蔡孟翰

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核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,667,797 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王迺岳, 蔡朝旭

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224210 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳錦泰

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