於紡紗過程中紗線改變結晶發生時間之方法與製造裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文於紡紗過程中紗線改變結晶發生時間之方法與製造裝置的核准國家是中華民國, 執行單位是紡織所, 產出年度是99, 專利性質是發明, 計畫名稱是健康舒適性紡織品研發四年計畫, 專利發明人是虞達、黃政傳、孫光國, 證書號碼是I322837.

序號6531
產出年度99
領域別材料化工
專利名稱-中文於紡紗過程中紗線改變結晶發生時間之方法與製造裝置
執行單位紡織所
產出單位紡織所
計畫名稱健康舒適性紡織品研發四年計畫
專利發明人虞達、黃政傳、孫光國
核准國家中華民國
獲證日期99/04/01
證書號碼I322837
專利期間起99/04/01
專利期間訖105/01/04
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係有關於一種於紡絲過程中紗線改變結晶發生時間之方法及其製造裝置,其係利用相同材質或不同材質之二塑膠粒經二押出機以具相同或不同之長徑比與相同或不同之孔徑,以及相同或不同之出口形狀的噴絲板,擠壓該二塑膠粒為二纖維;然後以一加熱器分別提供該二纖維不同之結晶處理溫度予以加熱該二纖維,該加熱器可移動其所加熱之位置,而改變該二纖維結晶產生之時間;接著以加熱後之該二纖維經由一噴嘴進行併絲而形成一紗線;最後經調整該紗線之張力之後,即捲取調整張力後之該紗線。如此本發明可提升紡絲之效能,並節省成本。
技術摘要-英文The Invention is about a type of method for changing the onset time of crystallization during the yarn spinning process, and the manufactured device thereof. The Invention extrudes identical materials or different materials of two plastic particle diameters through two extruders of identical or different length-to-diameter ratios, aperture diameters, and shapes of spinneret exit holes into two fibers. Subsequently, a heater is separately provided to heat up the two fibers to two different fiber crystallization treatment temperatures. The heater can be moved to change heating position to adjust the onset time of crystallization of the two fibers. Next, the two fibers will be joined through a nozzle to form a yarn. Finally, after adjusting the tension of the yarn, the finished product is wound. Therefore, this invention can improve the spinning performance and save cost.
聯絡人員徐妙菁
電話02-22670321#6101
傳真02-22689834
電子信箱mchsu.0415@ttri.org.tw
參考網址https://www.ttri.org.tw/content/service/service12.aspx
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

6531

產出年度

99

領域別

材料化工

專利名稱-中文

於紡紗過程中紗線改變結晶發生時間之方法與製造裝置

執行單位

紡織所

產出單位

紡織所

計畫名稱

健康舒適性紡織品研發四年計畫

專利發明人

虞達、黃政傳、孫光國

核准國家

中華民國

獲證日期

99/04/01

證書號碼

I322837

專利期間起

99/04/01

專利期間訖

105/01/04

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係有關於一種於紡絲過程中紗線改變結晶發生時間之方法及其製造裝置,其係利用相同材質或不同材質之二塑膠粒經二押出機以具相同或不同之長徑比與相同或不同之孔徑,以及相同或不同之出口形狀的噴絲板,擠壓該二塑膠粒為二纖維;然後以一加熱器分別提供該二纖維不同之結晶處理溫度予以加熱該二纖維,該加熱器可移動其所加熱之位置,而改變該二纖維結晶產生之時間;接著以加熱後之該二纖維經由一噴嘴進行併絲而形成一紗線;最後經調整該紗線之張力之後,即捲取調整張力後之該紗線。如此本發明可提升紡絲之效能,並節省成本。

技術摘要-英文

The Invention is about a type of method for changing the onset time of crystallization during the yarn spinning process, and the manufactured device thereof. The Invention extrudes identical materials or different materials of two plastic particle diameters through two extruders of identical or different length-to-diameter ratios, aperture diameters, and shapes of spinneret exit holes into two fibers. Subsequently, a heater is separately provided to heat up the two fibers to two different fiber crystallization treatment temperatures. The heater can be moved to change heating position to adjust the onset time of crystallization of the two fibers. Next, the two fibers will be joined through a nozzle to form a yarn. Finally, after adjusting the tension of the yarn, the finished product is wound. Therefore, this invention can improve the spinning performance and save cost.

聯絡人員

徐妙菁

電話

02-22670321#6101

傳真

02-22689834

電子信箱

mchsu.0415@ttri.org.tw

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https://www.ttri.org.tw/content/service/service12.aspx

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特殊情形

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2019-07-24

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超細熔噴複合不織布開發暨服務

執行單位: 紡織所 | 產出年度: 102 | 產出單位: 紡織所 | 計畫名稱: 紡織環境建構第二期四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: .BET比表面積:1494 m2/g .粉體脫落率 3.1 % .壓損0.03 mmH2O .透氣度 414.3 cm3/cm2/sec | 潛力預估:

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

阻燃耐隆共聚物及其纖維

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機能性紡織產業關鍵技術研發四年計畫 | 專利發明人: 陳泰佑、陳威宏、鄭筱雯、林維朋 | 證書號碼: I472553

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

可隨外源引動之發光織物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 李俊輝、黃慶堂、沈乾龍、吳惠櫻 | 證書號碼: I320701

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

膨脹型阻燃劑組成

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 張料峰、鍾裕杰、陳岡宏 | 證書號碼: I336728

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

表面加工紗線、其紡織品及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 褚佳龍、戴煥忠、林兼民、熊漢興 | 證書號碼: I336742

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

具有偵測體表電生理功能的織物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 沈乾龍、蔡坤泉、黃慶堂、尹承達 | 證書號碼: I336738

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

製造不織布的設備及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 紡織所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃子祥、彭兆群 | 證書號碼: I337634

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

滾筒式電紡設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 張浩哲、李仁雄 | 證書號碼: I357449

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超細熔噴複合不織布開發暨服務

執行單位: 紡織所 | 產出年度: 102 | 產出單位: 紡織所 | 計畫名稱: 紡織環境建構第二期四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: .BET比表面積:1494 m2/g .粉體脫落率 3.1 % .壓損0.03 mmH2O .透氣度 414.3 cm3/cm2/sec | 潛力預估:

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

阻燃耐隆共聚物及其纖維

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 機能性紡織產業關鍵技術研發四年計畫 | 專利發明人: 陳泰佑、陳威宏、鄭筱雯、林維朋 | 證書號碼: I472553

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可隨外源引動之發光織物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 李俊輝、黃慶堂、沈乾龍、吳惠櫻 | 證書號碼: I320701

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膨脹型阻燃劑組成

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 張料峰、鍾裕杰、陳岡宏 | 證書號碼: I336728

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表面加工紗線、其紡織品及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 褚佳龍、戴煥忠、林兼民、熊漢興 | 證書號碼: I336742

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具有偵測體表電生理功能的織物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 沈乾龍、蔡坤泉、黃慶堂、尹承達 | 證書號碼: I336738

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製造不織布的設備及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 紡織所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃子祥、彭兆群 | 證書號碼: I337634

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滾筒式電紡設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 紡織所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高科技紡織品研究與開發第二期計畫 | 專利發明人: 張浩哲、李仁雄 | 證書號碼: I357449

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使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 | 證書號碼: 6700783

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 | 證書號碼: 6759305

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 | 證書號碼: 6741039

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 | 證書號碼: 3533205

具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 | 證書號碼: 223402

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 184677

懸臂式測試卡及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 | 證書號碼: 6651325

矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 | 證書號碼: 184681

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 | 證書號碼: 6700783

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 | 證書號碼: 6759305

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 | 證書號碼: 6741039

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

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