讀?放大器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文讀?放大器的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL200610071485.9, 專利期間起是1999/5/12, 專利期間訖是115/03/23, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是99, 計畫名稱是奈米電子關鍵及應用技術四年計畫, 專利發明人是張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 ,.

序號	7019
產出年度	99
領域別	電資通光
專利名稱-中文	讀?放大器
執行單位	工研院電光所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人	張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立
核准國家	中國大陸
獲證日期	1999/6/7
證書號碼	ZL200610071485.9
專利期間起	1999/5/12
專利期間訖	115/03/23
專利性質	發明
技術摘要-中文	.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

7019

產出年度

領域別

電資通光

專利名稱-中文

讀?放大器

執行單位

工研院電光所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵及應用技術四年計畫

專利發明人

張嘉伯 | 林志昇 | 蘇耿立

核准國家

中國大陸

獲證日期

1999/6/7

證書號碼

ZL200610071485.9

專利期間起

1999/5/12

專利期間訖

115/03/23

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

stephen.chung@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

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使用動態參考電壓之單端感應放大器及其運作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7768321 \| 專利期間起: 1999/8/3 \| 專利期間訖: 117/08/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張孟凡 \| 楊書孟 \| 繆俊偉 @ 技術司專利資料集
使用動態參考電壓之單端感應放大器及其運作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I409824 \| 專利期間起: 102/09/21 \| 專利期間訖: 118/01/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張孟凡 \| 楊書孟 \| 繆俊偉 @ 技術司專利資料集
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光學讀取頭之高頻放大器群組技術開發

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增距型RFID讀取器開發

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使用動態參考電壓之單端感應放大器及其運作方法

記憶體架構及其寫入方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I279802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立林志昇張嘉伯 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I303068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I298886 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全林志昇張嘉伯蘇耿立 @ 技術司專利資料集
感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,394,295 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯林志昇蘇耿立 @ 技術司專利資料集
記憶體結構及其寫入方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7508727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 蘇耿立 \| 林志昇 \| 張嘉伯 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I312154 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7539068 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
應用於記憶體之多穩態感測放大器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7486546 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 王敏全 \| 林志昇 \| 張嘉伯 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I337355 \| 專利期間起: 100/02/11 \| 專利期間訖: 116/06/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 @ 技術司專利資料集

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6753655 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 施俊任 \| 陳尚立 \| 陳建儒
形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6737303 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 周維揚 \| 許財源 \| 王右武 \| 何家充 \| 廖奇璋
薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189563 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭弘隆 \| 王右武 \| 趙慶勳 \| 李正中 \| 許財源
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6642595 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188234 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
液柱衝擊式液體佈著方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6663214 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳仲竹 \| 鍾震桂 \| 陳世輝
積體化流體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189552 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂 \| 林俊仁
電磁驅動光開關及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191670 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 盧慧娟 \| 李新立 \| 張文陽 \| 李政鴻
應用於紅外線成像器與感測器之懸浮微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206522 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 歐政隆 \| 李宗昇
可撓性之光電傳輸匯流排	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 沈里正 \| 陳有志 \| 張恕銘 \| 柯志祥
N型奈米碳管元件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王宏祥 \| 魏拯華 \| 高明哲
形成薄膜電晶體元件的方法以及形成薄膜電晶體元件於彩色濾光片上的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190648 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張鈞傑 \| 陳志強 \| 莊景桑
光波導製程之階梯覆蓋率的測試結構及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191701 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡柏豪 \| 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 劉文俊 \| 李裕文
埋藏式電容結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192752 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 卓威明 \| 魏培森 \| 翁卿亮 \| 吳俊昆 \| 陳昌昇

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