牙根植體
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文牙根植體的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL201120222195.6, 專利期間起是101/03/21, 專利期間訖是110/06/27, 專利性質是新型, 執行單位是金屬中心, 產出年度是101, 計畫名稱是高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫, 專利發明人是蔡東霖/郭獻南/王昱傑/潘柏瑋.

序號9190
產出年度101
領域別生技醫藥
專利名稱-中文牙根植體
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫
專利發明人蔡東霖 | 郭獻南 | 王昱傑 | 潘柏瑋
核准國家中國大陸
獲證日期101/03/21
證書號碼ZL201120222195.6
專利期間起101/03/21
專利期間訖110/06/27
專利性質新型
技術摘要-中文1.具單現數道環形槽,可由三角、方、矩、弧或蝶所構成。2.具複述弧形上凹或下凹螺紋,增加骨整合面積。3.由螺紋切削凹槽與弧形所構成,可產生自牙攻之功能。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員潘柏瑋
電話07-6955298#220
傳真07-6955249
電子信箱siquare@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

9190

產出年度

101

領域別

生技醫藥

專利名稱-中文

牙根植體

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫

專利發明人

蔡東霖 | 郭獻南 | 王昱傑 | 潘柏瑋

核准國家

中國大陸

獲證日期

101/03/21

證書號碼

ZL201120222195.6

專利期間起

101/03/21

專利期間訖

110/06/27

專利性質

新型

技術摘要-中文

1.具單現數道環形槽,可由三角、方、矩、弧或蝶所構成。2.具複述弧形上凹或下凹螺紋,增加骨整合面積。3.由螺紋切削凹槽與弧形所構成,可產生自牙攻之功能。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

潘柏瑋

電話

07-6955298#220

傳真

07-6955249

電子信箱

siquare@mail.mirdc.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

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BMP2 生物複合牙根植體與 3D CT 植牙技術開發計畫

公司名稱: 寶元科技股份有限公司 | 計畫起訖時間: 98 年 12 月 1 日 至 101 年 11 月 30 日(共 36 個月) | 計畫總經費: 80000 | 計畫補助款: 35520 | 計畫自籌款: 44480 | 計畫摘要: (一)公司簡介  創立日期:82年12月負責人:郭泰佑實收資本額: 97年實收資本額:900,000仟元公司總人數:116人研發人員數:60 人主要營業項目:生醫系統與植入物。(二)政府補助原因說明 ...

@ 技術司業界開發產業技術計畫補助計畫

植牙治缺牙 營養健康不缺乏-人工牙根系統

發布日期: 2015/12/23 | 內容: 人工植牙為目前治療缺牙的方式之一,而造成缺牙原因有生活中的外傷、牙齒斷裂、嚴重齲齒、牙周病與不良的衛生習慣,而最主要還是因老年人機能退化、與慢性疾病所導致的缺牙。國民健康署統計,全國65 歲以上老年人...

@ 本署新聞公告資料集

牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M402702 | 專利期間起: 100/05/01 | 專利期間訖: 109/12/01 | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 專利發明人: 蔡東霖/潘柏瑋/王昱傑/郭獻南

@ 技術司專利資料集

人工牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I398242 | 專利期間起: 102/06/11 | 專利期間訖: 119/08/31 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

以新型態顎骨骨質分類法探討人工牙根穩定度、顎骨應力應變分佈對人工牙根植體周邊骨質流失之影響:體外力學實驗、有限元素模擬與臨床數據分析

機關名稱: 中國醫藥大學牙醫學系 | 學門: E17-醫學工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會醫學工程學門專題計畫補助清冊

“艾秀菲絲”人工牙根植體系統零組件

英文品名: “OsseoFuse” HexaPLUS Endosseous Dental Implant Systems prosthetic part | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029204號 | 有效日期: 20261207 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 醫 器 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本 | 限制項目: 輸 入 ;;委託製造 | 申請商名稱: 英屬維京群島商聖掌有限公司台灣分公司

@ 醫療器材許可證資料集

“畢堤愛”優尼卡人工牙根植體系統

英文品名: “BTI”UnicCa Dental Implant System | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029603號 | 有效日期: 2027/03/20 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 09 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本。註銷規格:詳如核定之中文說明書,以下空白。增加規格及標籤、說明書或包裝變更,詳如核定之中文說明書(原106年4月7日核定之標籤、說明書或包裝予以回收作廢),以下空白。 | 限制項目: 輸 入 | 申請商名稱: 信益普生物科技股份有限公司

@ 醫療器材許可證資料集

“艾秀菲絲”人工牙根植體系統零組件

英文品名: “OsseoFuse” HexaPLUS Endosseous Dental Implant Systems prosthetic parts | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029204號 | 有效日期: 2026/12/07 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 09 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本 | 限制項目: 輸 入;;委託製造 | 申請商名稱: 英屬維京群島商聖掌有限公司台灣分公司

@ 醫療器材許可證資料集

BMP2 生物複合牙根植體與 3D CT 植牙技術開發計畫

公司名稱: 寶元科技股份有限公司 | 計畫起訖時間: 98 年 12 月 1 日 至 101 年 11 月 30 日(共 36 個月) | 計畫總經費: 80000 | 計畫補助款: 35520 | 計畫自籌款: 44480 | 計畫摘要: (一)公司簡介  創立日期:82年12月負責人:郭泰佑實收資本額: 97年實收資本額:900,000仟元公司總人數:116人研發人員數:60 人主要營業項目:生醫系統與植入物。(二)政府補助原因說明 ...

@ 技術司業界開發產業技術計畫補助計畫

植牙治缺牙 營養健康不缺乏-人工牙根系統

發布日期: 2015/12/23 | 內容: 人工植牙為目前治療缺牙的方式之一,而造成缺牙原因有生活中的外傷、牙齒斷裂、嚴重齲齒、牙周病與不良的衛生習慣,而最主要還是因老年人機能退化、與慢性疾病所導致的缺牙。國民健康署統計,全國65 歲以上老年人...

@ 本署新聞公告資料集

牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M402702 | 專利期間起: 100/05/01 | 專利期間訖: 109/12/01 | 專利性質: 新型 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 專利發明人: 蔡東霖/潘柏瑋/王昱傑/郭獻南

@ 技術司專利資料集

人工牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I398242 | 專利期間起: 102/06/11 | 專利期間訖: 119/08/31 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

以新型態顎骨骨質分類法探討人工牙根穩定度、顎骨應力應變分佈對人工牙根植體周邊骨質流失之影響:體外力學實驗、有限元素模擬與臨床數據分析

機關名稱: 中國醫藥大學牙醫學系 | 學門: E17-醫學工程 | 年度: 112 | 執行期限(起): 1120801 | 執行期限(迄): 1130731

@ 國家科學及技術委員會醫學工程學門專題計畫補助清冊

“艾秀菲絲”人工牙根植體系統零組件

英文品名: “OsseoFuse” HexaPLUS Endosseous Dental Implant Systems prosthetic part | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029204號 | 有效日期: 20261207 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 醫 器 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本 | 限制項目: 輸 入 ;;委託製造 | 申請商名稱: 英屬維京群島商聖掌有限公司台灣分公司

@ 醫療器材許可證資料集

“畢堤愛”優尼卡人工牙根植體系統

英文品名: “BTI”UnicCa Dental Implant System | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029603號 | 有效日期: 2027/03/20 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 09 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本。註銷規格:詳如核定之中文說明書,以下空白。增加規格及標籤、說明書或包裝變更,詳如核定之中文說明書(原106年4月7日核定之標籤、說明書或包裝予以回收作廢),以下空白。 | 限制項目: 輸 入 | 申請商名稱: 信益普生物科技股份有限公司

@ 醫療器材許可證資料集

“艾秀菲絲”人工牙根植體系統零組件

英文品名: “OsseoFuse” HexaPLUS Endosseous Dental Implant Systems prosthetic parts | 許可證字號: 衛部醫器輸字第029204號 | 有效日期: 2026/12/07 | 註銷狀態: | 註銷日期: | 註銷理由: | 許可證種類: 09 | 效能: 詳如中文仿單核定本 | 劑型: | 包裝: | 主成分略述: | 醫器規格: 詳如中文仿單核定本 | 限制項目: 輸 入;;委託製造 | 申請商名稱: 英屬維京群島商聖掌有限公司台灣分公司

@ 醫療器材許可證資料集

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根據姓名 蔡東霖 郭獻南 王昱傑 潘柏瑋 找到的相關資料

牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M417902 | 專利期間起: 100/12/11 | 專利期間訖: 110/07/18 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 專利發明人: 蔡東霖/潘柏瑋/王昱傑/郭獻南

@ 技術司專利資料集

牙根植體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M417902 | 專利期間起: 100/12/11 | 專利期間訖: 110/07/18 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 專利發明人: 蔡東霖/潘柏瑋/王昱傑/郭獻南

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植入物容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I400184 | 專利期間起: 102/07/01 | 專利期間訖: 2012/1/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

骨骼植入物

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010 | 專利期間起: 102/05/08 | 專利期間訖: 119/07/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

人工牙根開發設計技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.IM12植體全系統 ‧NC D3.35xL8、L10、L12、L14 ‧RC D4.2xL8、L10、L12、L14 ‧RC D5.0xL8、L10、L12、L14 2.IM12支台配件 ‧Hea... | 潛力預估: 根據金屬中心ITIS調查報告,2007年全球齒科醫材市場約200億美元,人工植牙市場佔13%約有26億美元左右,較2006年成長約18%,其中歐洲的人工植牙市場成長率約14%(德國除外,僅10~12%...

@ 技術司可移轉技術資料集

人工牙根開發設計、加工製造、品質檢測、包裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)新型人工牙根NC植體系列精進,修正先前植體外型調整至3.5mm,提高疲勞強度。新型人工牙根RC植體系列精進,採用"創新頸部內縮錐狀設計",以維持骨高度。全系列共有12種植體尺寸設計,可滿足各種缺... | 潛力預估: 根據美國Kalorama Information 的研究,預期到2010年前全球人工植牙市場將達到35億美元。金屬中心ITIS調查報告,2007年全球齒科醫材市場約200億美元,人工植牙市場佔13%約...

@ 技術司可移轉技術資料集

根管阻塞物移除器具

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I387446 | 專利期間起: 102/03/01 | 專利期間訖: 119/12/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

骨骼植入物

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I414284 | 專利期間起: 102/11/11 | 專利期間訖: 119/02/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

根管阻塞物移

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201110228155.7 | 專利期間起: 119/08/29 | 專利期間訖: 臨床資訊 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

植入物容器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I400184 | 專利期間起: 102/07/01 | 專利期間訖: 2012/1/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

骨骼植入物

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010 | 專利期間起: 102/05/08 | 專利期間訖: 119/07/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

人工牙根開發設計技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.IM12植體全系統 ‧NC D3.35xL8、L10、L12、L14 ‧RC D4.2xL8、L10、L12、L14 ‧RC D5.0xL8、L10、L12、L14 2.IM12支台配件 ‧Hea... | 潛力預估: 根據金屬中心ITIS調查報告,2007年全球齒科醫材市場約200億美元,人工植牙市場佔13%約有26億美元左右,較2006年成長約18%,其中歐洲的人工植牙市場成長率約14%(德國除外,僅10~12%...

@ 技術司可移轉技術資料集

人工牙根開發設計、加工製造、品質檢測、包裝技術

執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 南科高雄園區齒科醫療器材研發三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)新型人工牙根NC植體系列精進,修正先前植體外型調整至3.5mm,提高疲勞強度。新型人工牙根RC植體系列精進,採用"創新頸部內縮錐狀設計",以維持骨高度。全系列共有12種植體尺寸設計,可滿足各種缺... | 潛力預估: 根據美國Kalorama Information 的研究,預期到2010年前全球人工植牙市場將達到35億美元。金屬中心ITIS調查報告,2007年全球齒科醫材市場約200億美元,人工植牙市場佔13%約...

@ 技術司可移轉技術資料集

根管阻塞物移除器具

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I387446 | 專利期間起: 102/03/01 | 專利期間訖: 119/12/06 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

骨骼植入物

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I414284 | 專利期間起: 102/11/11 | 專利期間訖: 119/02/03 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

@ 技術司專利資料集

根管阻塞物移

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201110228155.7 | 專利期間起: 119/08/29 | 專利期間訖: 臨床資訊 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 高值牙科植入物創新研發與醫療器材產業服務四年計畫 | 專利發明人: 潘柏瑋

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與牙根植體同分類的技術司專利資料集

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200260 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220265 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202661 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6753655 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6737303 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189563 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6642595 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188234 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663214 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

熱性能量測系統及其方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663278 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 簡恆傑, 曾明溪, 柯文旺, 王志耀, 陳宜孝

接合支撐柱於場發射顯示器中的陽極板上之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200260 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 楊學安, 李正中, 蕭名君, 黃榮堂

形成彩色濾光片於畫素驅動元件上的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6692983 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳志強, 莊景桑, 張鈞傑

可撓式薄膜電晶體顯示器的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184717 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張志祥, 王文通, 戴遠東, 林炯暐, 陳麒麟, 廖宗能, 李啟聖

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220265 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

一種場發射顯示器之三極結構的製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6769945 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 鄭華琦, 許志榮, 趙慶勳, 陳光中

場發射顯示器之三極結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206590 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚, 何家充, 王右武

主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)之畫素結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 202661 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

主動矩陣有機發光二極體AMOLED之畫素結構

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6753655 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 陳建儒

形成具有分子排列之有機半導體層的方法,以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6737303 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋

薄膜電晶體和發光二極體之有機整合元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 189563 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 王右武, 趙慶勳, 李正中, 許財源

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

具低寫入電流之磁性隨機存取記憶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6642595 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188234 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

液柱衝擊式液體佈著方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6663214 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳仲竹, 鍾震桂, 陳世輝

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