製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法的核准國家是中華民國, 執行單位是核研所, 產出年度是101, 專利性質是發明, 計畫名稱是放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫, 專利發明人是李德偉、邱淑珮、游佳瑜、張翠容、張志賢, 證書號碼是發明第I362270號.

序號9219
產出年度101
領域別生技醫藥
專利名稱-中文製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法
執行單位核研所
產出單位核能研究所
計畫名稱放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫
專利發明人李德偉、邱淑珮、游佳瑜、張翠容、張志賢
核准國家中華民國
獲證日期101/04/21
證書號碼發明第I362270號
專利期間起101/04/21
專利期間訖115/10/30
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係提供一種製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法,其中胜?為由3至16個胺基酸殘基組成且至少一個胺基酸殘基為離胺酸(Lys)之胜?,反應官能基為-X-CO-Y-CO-,其中X為氧或氮原子,Y為C1-6伸烷基,其又可經1或2個氧或氮原子插入,間隔基為親水性聚合物,脂質為以下式(I)所示之磷脂醯乙醇胺羰基:R1與R2可相同或相異且個別代表呈直鏈或分支狀之C7-30烷基或C7-30烯基;該方法特徵為於液相進行反應且包括下列步驟:(a)首先使胜?之胺基酸殘基Lys以保護基予以保護;(b)接著與脂質-間隔基-反應官能基反應;及(c)最後去除胜?之胺基酸殘基Lys上之保護基。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李德偉
電話03-4711400#7204
傳真03-4711416
電子信箱twlee@iner.gov.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

9219

產出年度

101

領域別

生技醫藥

專利名稱-中文

製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法

執行單位

核研所

產出單位

核能研究所

計畫名稱

放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫

專利發明人

李德偉、邱淑珮、游佳瑜、張翠容、張志賢

核准國家

中華民國

獲證日期

101/04/21

證書號碼

發明第I362270號

專利期間起

101/04/21

專利期間訖

115/10/30

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係提供一種製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法,其中胜?為由3至16個胺基酸殘基組成且至少一個胺基酸殘基為離胺酸(Lys)之胜?,反應官能基為-X-CO-Y-CO-,其中X為氧或氮原子,Y為C1-6伸烷基,其又可經1或2個氧或氮原子插入,間隔基為親水性聚合物,脂質為以下式(I)所示之磷脂醯乙醇胺羰基:R1與R2可相同或相異且個別代表呈直鏈或分支狀之C7-30烷基或C7-30烯基;該方法特徵為於液相進行反應且包括下列步驟:(a)首先使胜?之胺基酸殘基Lys以保護基予以保護;(b)接著與脂質-間隔基-反應官能基反應;及(c)最後去除胜?之胺基酸殘基Lys上之保護基。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李德偉

電話

03-4711400#7204

傳真

03-4711416

電子信箱

twlee@iner.gov.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

根據識別碼 發明第I362270號 找到的相關資料

無其他 發明第I362270號 資料。

[ 搜尋所有 發明第I362270號 ... ]

根據名稱 製備脂質-間隔基-反應官能基-胜 之方法 找到的相關資料

無其他 製備脂質-間隔基-反應官能基-胜 之方法 資料。

[ 搜尋所有 製備脂質-間隔基-反應官能基-胜 之方法 ... ]

根據姓名 李德偉 邱淑珮 游佳瑜 張翠容 張志賢 找到的相關資料

無其他 李德偉 邱淑珮 游佳瑜 張翠容 張志賢 資料。

[ 搜尋所有 李德偉 邱淑珮 游佳瑜 張翠容 張志賢 ... ]

根據電話 03-4711400 7204 找到的相關資料

(以下顯示 5 筆) (或要:直接搜尋所有 03-4711400 7204 ...)

具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途

核准國家: 澳大利亞 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: 92109497

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

核准國家: 歐盟 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: EP1477174

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Method for manufacturing diethylene triamine pentaacetic acid derivative

核准國家: 美國 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: Lee, Te-wei、Yang, Chia-his、Ho, Yen-sheng、Lu, Li-hui、Chen, Shu-ling | 證書號碼: US 7,767,844 B2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

核准國家: 美國 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: US 7,803,350 B2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 專利發明人: 楊嘉喜、何彥昇、盧麗慧、陳淑玲、李德偉 | 證書號碼: 日本特許第5004438號

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途

核准國家: 澳大利亞 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: 92109497

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

核准國家: 歐盟 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: EP1477174

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Method for manufacturing diethylene triamine pentaacetic acid derivative

核准國家: 美國 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: Lee, Te-wei、Yang, Chia-his、Ho, Yen-sheng、Lu, Li-hui、Chen, Shu-ling | 證書號碼: US 7,767,844 B2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

核准國家: 美國 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 專利發明人: 李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風 | 證書號碼: US 7,803,350 B2

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法

核准國家: 日本 | 執行單位: 核研所 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 專利發明人: 楊嘉喜、何彥昇、盧麗慧、陳淑玲、李德偉 | 證書號碼: 日本特許第5004438號

@ 經濟部產業技術司–專利資料集
[ 搜尋所有 03-4711400 7204 ... ]

與製備脂質-間隔基-反應官能基-胜?之方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 206462

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 | 證書號碼: 188211

形成薄膜電晶體於透明基板上之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 戴遠東 | 證書號碼: 6764887

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 187289

利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 | 證書號碼: 6773870

電流驅動元件主動陣列的畫素電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 | 證書號碼: 197219

高密度資料讀寫器及其讀寫方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 李裕文, 蔡晴翔, 吳清沂 | 證書號碼: 200381

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 206462

半穿透反射式液晶顯示器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳慶逸, 沈毓仁 | 證書號碼: 6806929

光電模組模封裝

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳文彥, 范榮昌, 劉君愷 | 證書號碼: 220733

光電元件與光纖連接器之被動對位封裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 姜信騰, 劉君愷, 周意工 | 證書號碼: 6808323

一次成形之覆晶式閘球陣列半導體構裝與其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 盧思維, 盧威華, 呂芳俊 | 證書號碼: 190623

一應用半導體構裝治具的雙面組裝方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 盧思維, 樓百堯 | 證書號碼: 184711

具有主動控制之可調式場發射顯示器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王右武, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 202493

氣動式微流體驅動裝置及方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾永強, 吳得群, 郭遠峰, 黃士豪 | 證書號碼: 6682311

用於陽極接合間隙物之SOG材料

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蕭名君, 蘇凱農, 李正中, 林鵬, 陳三元 | 證書號碼: 184703

 |