具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途的核准國家是澳大利亞, 執行單位是核研所, 產出年度是100, 專利性質是發明, 計畫名稱是放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫, 專利發明人是李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風, 證書號碼是92109497.

序號	7713
產出年度	100
領域別	生技醫藥
專利名稱-中文	具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途
執行單位	核研所
產出單位	核研所
計畫名稱	放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫
專利發明人	李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風
核准國家	澳大利亞
獲證日期	100/03/25
證書號碼	92109497
專利期間起	93/04/22
專利期間訖	113/04/22
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明亦提供一種藥學組成物，其包含有一治療有效量之該具放射性的含砷化合物以及一藥學上可接受之載劑。該藥學組成物可供應用於諸如血液腫瘤或固態腫瘤的腫瘤/癌症之治療。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李德偉
電話	03-4711400#7204
傳真	03-4711416
電子信箱	twlee@iner.gov.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

7713

產出年度

100

領域別

生技醫藥

專利名稱-中文

具放射性的含砷化合物及其用於腫瘤治療的用途

執行單位

核研所

產出單位

核研所

計畫名稱

放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫

專利發明人

李德偉、陳德容、許銀茂、張湘戎、祈式儀、張志賢、范國賢、徐維荃、傅應凱、黃純瑩、吳明?、張國平、高長風

核准國家

澳大利亞

獲證日期

100/03/25

證書號碼

92109497

專利期間起

93/04/22

專利期間訖

113/04/22

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明亦提供一種藥學組成物，其包含有一治療有效量之該具放射性的含砷化合物以及一藥學上可接受之載劑。該藥學組成物可供應用於諸如血液腫瘤或固態腫瘤的腫瘤/癌症之治療。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李德偉

電話

03-4711400#7204

傳真

03-4711416

電子信箱

twlee@iner.gov.tw

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(空)

備註

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特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

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Radioactive arsenic-containing compounds and their uses in the treatment of tumor

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# 03-4711400 7204 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號	6389
產出年度	99
領域別	(空)
專利名稱-中文	Method for manufacturing diethylene triamine pentaacetic acid derivative
執行單位	核研所
產出單位	(空)
計畫名稱	核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫
專利發明人	Lee, Te-wei、Yang, Chia-his、Ho, Yen-sheng、Lu, Li-hui、Chen, Shu-ling
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	US 7,767,844 B2
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	The main purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a DTPA derivative, where the method comprises a simple production procedure with a high yield rate.
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李德偉
電話	03-4711400#7204
傳真	03-4711416
電子信箱	twlee@iner.gov.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 6389

產出年度: 99

領域別: (空)

專利名稱-中文: Method for manufacturing diethylene triamine pentaacetic acid derivative

執行單位: 核研所

產出單位: (空)

計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫

專利發明人: Lee, Te-wei、Yang, Chia-his、Ho, Yen-sheng、Lu, Li-hui、Chen, Shu-ling

核准國家: 美國

獲證日期: (空)

證書號碼: US 7,767,844 B2

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: The main purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a DTPA derivative, where the method comprises a simple production procedure with a high yield rate.

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李德偉

電話: 03-4711400#7204

傳真: 03-4711416

電子信箱: twlee@iner.gov.tw

參考網址: (空)

備註: (空)

特殊情形: (空)

# 03-4711400 7204 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號	9219
產出年度	101
領域別	生技醫藥
專利名稱-中文	製備脂質－間隔基－反應官能基－胜?之方法
執行單位	核研所
產出單位	核能研究所
計畫名稱	放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫
專利發明人	李德偉、邱淑珮、游佳瑜、張翠容、張志賢
核准國家	中華民國
獲證日期	101/04/21
證書號碼	發明第I362270號
專利期間起	101/04/21
專利期間訖	115/10/30
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提供一種製備脂質－間隔基－反應官能基－胜?之方法，其中胜?為由3至16個胺基酸殘基組成且至少一個胺基酸殘基為離胺酸(Lys)之胜?，反應官能基為－X－CO－Y－CO－，其中X為氧或氮原子，Y為C1－6伸烷基，其又可經1或2個氧或氮原子插入，間隔基為親水性聚合物，脂質為以下式(I)所示之磷脂醯乙醇胺羰基：R1與R2可相同或相異且個別代表呈直鏈或分支狀之C7－30烷基或C7－30烯基；該方法特徵為於液相進行反應且包括下列步驟：(a)首先使胜?之胺基酸殘基Lys以保護基予以保護；(b)接著與脂質－間隔基－反應官能基反應；及(c)最後去除胜?之胺基酸殘基Lys上之保護基。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李德偉
電話	03-4711400#7204
傳真	03-4711416
電子信箱	twlee@iner.gov.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 9219

產出年度: 101

領域別: 生技醫藥

專利名稱-中文: 製備脂質－間隔基－反應官能基－胜?之方法

執行單位: 核研所

產出單位: 核能研究所

計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫

專利發明人: 李德偉、邱淑珮、游佳瑜、張翠容、張志賢

核准國家: 中華民國

獲證日期: 101/04/21

證書號碼: 發明第I362270號

專利期間起: 101/04/21

專利期間訖: 115/10/30

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係提供一種製備脂質－間隔基－反應官能基－胜?之方法，其中胜?為由3至16個胺基酸殘基組成且至少一個胺基酸殘基為離胺酸(Lys)之胜?，反應官能基為－X－CO－Y－CO－，其中X為氧或氮原子，Y為C1－6伸烷基，其又可經1或2個氧或氮原子插入，間隔基為親水性聚合物，脂質為以下式(I)所示之磷脂醯乙醇胺羰基：R1與R2可相同或相異且個別代表呈直鏈或分支狀之C7－30烷基或C7－30烯基；該方法特徵為於液相進行反應且包括下列步驟：(a)首先使胜?之胺基酸殘基Lys以保護基予以保護；(b)接著與脂質－間隔基－反應官能基反應；及(c)最後去除胜?之胺基酸殘基Lys上之保護基。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李德偉

電話: 03-4711400#7204

傳真: 03-4711416

電子信箱: twlee@iner.gov.tw

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特殊情形: (空)

# 03-4711400 7204 於經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號	9220
產出年度	101
領域別	生技醫藥
專利名稱-中文	二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法
執行單位	核研所
產出單位	核能研究所
計畫名稱	放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫
專利發明人	楊嘉喜、何彥昇、盧麗慧、陳淑玲、李德偉
核准國家	日本
獲證日期	101/06/01
證書號碼	日本特許第5004438號
專利期間起	94/06/09
專利期間訖	114/06/08
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係為一種二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法，其為先製備五-烷基-二乙烯基三胺基五醋酸(penta-alkylDTPA)，再以金屬離子為催化劑下選擇性水解得到四-烷基-二乙烯基三胺基五醋酸(tetra-alkylDTPA)，亦即利用兩個反應步驟備製單一活性之二乙烯基三胺基五醋酸衍生物。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李德偉
電話	03-4711400#7204
傳真	03-4711416
電子信箱	twlee@iner.gov.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號: 9220

產出年度: 101

領域別: 生技醫藥

專利名稱-中文: 二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法

執行單位: 核研所

產出單位: 核能研究所

計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫

專利發明人: 楊嘉喜、何彥昇、盧麗慧、陳淑玲、李德偉

核准國家: 日本

獲證日期: 101/06/01

證書號碼: 日本特許第5004438號

專利期間起: 94/06/09

專利期間訖: 114/06/08

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 本發明係為一種二乙烯基三胺基五醋酸衍生物製備方法，其為先製備五-烷基-二乙烯基三胺基五醋酸(penta-alkylDTPA)，再以金屬離子為催化劑下選擇性水解得到四-烷基-二乙烯基三胺基五醋酸(tetra-alkylDTPA)，亦即利用兩個反應步驟備製單一活性之二乙烯基三胺基五醋酸衍生物。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 李德偉

電話: 03-4711400#7204

傳真: 03-4711416

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使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 \| 證書號碼: 6605491
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 \| 證書號碼: 185849
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹 \| 證書號碼: 3533205
具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩 \| 證書號碼: 223402
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 184677
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝 \| 證書號碼: 6651325
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟 \| 證書號碼: 184681
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰 \| 證書號碼: 6700783
應用奈米管增加半導體元件電容之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中 \| 證書號碼: 6759305
改進之場發射型顯示器驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚 \| 證書號碼: 6741039
氣體吸附式晶圓保護裝置及其方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蘇慧琪, 江松燦 \| 證書號碼: 188211
形成薄膜電晶體於透明基板上之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 證書號碼: 6764887
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 187289
利用灰階曝光法製作傾斜散射式反射板之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 賴志明, 翁逸君, 廖奇璋 \| 證書號碼: 6773870
電流驅動元件主動陣列的畫素電路	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳建儒, 陳尚立, 施俊任 \| 證書號碼: 197219

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專利期間訖

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