記憶體單元之讀取方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文記憶體單元之讀取方法的核准國家是美國, 證書號碼是8,184,491, 專利期間起是101/05/22, 專利期間訖是119/08/26, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是101, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是FREDERICKT.CHEN.

序號	10037
產出年度	101
領域別	電資通光
專利名稱-中文	記憶體單元之讀取方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人	FREDERICKT.CHEN
核准國家	美國
獲證日期	101/06/13
證書號碼	8,184,491
專利期間起	101/05/22
專利期間訖	119/08/26
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種記憶體單元之讀取方法，包括：施予一第一讀取脈衝至一記憶體單元，以加熱該記憶體單元至一第一溫度並獲得一第一讀取資料；轉換該第一讀取資料至一第一數位資料；儲存該第一數位資料於一移位暫存器；施予一第二讀取脈衝至該記憶體單元，以加熱該記憶體單元至一第二溫度並獲得一第二讀取資料；轉換該第二讀取資料至一第二數位資料；儲存該第二數位資料於該移位暫存器；計算該第一數位資料與該第二數位資料之比值，以獲得一商數；轉換該商數至一類比值；以及以一對數放大電路對該類比值取對數，以表示一活化能狀態。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	(03)-5912777
傳真	(03)-5917690
電子信箱	tephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

10037

產出年度

101

領域別

電資通光

專利名稱-中文

記憶體單元之讀取方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

FREDERICKT.CHEN

核准國家

美國

獲證日期

101/06/13

證書號碼

8,184,491

專利期間起

101/05/22

專利期間訖

119/08/26

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種記憶體單元之讀取方法，包括：施予一第一讀取脈衝至一記憶體單元，以加熱該記憶體單元至一第一溫度並獲得一第一讀取資料；轉換該第一讀取資料至一第一數位資料；儲存該第一數位資料於一移位暫存器；施予一第二讀取脈衝至該記憶體單元，以加熱該記憶體單元至一第二溫度並獲得一第二讀取資料；轉換該第二讀取資料至一第二數位資料；儲存該第二數位資料於該移位暫存器；計算該第一數位資料與該第二數位資料之比值，以獲得一商數；轉換該商數至一類比值；以及以一對數放大電路對該類比值取對數，以表示一活化能狀態。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

(03)-5912777

傳真

(03)-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

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漫步大英博物館= Rambling in the Britishmuseum	作者: 林深著 \| 一帆繪 \| 出版機構: 南門書局 \| 版次: 初版 \| 預訂出版日: 111/06 \| 適讀對象: 成人(一般) \| 頁數: 184 \| 得獎紀錄: \| ISBN: 978-986-491-992-5 (平裝, NT$350, 184面, 21公分) @ 臺灣出版新書預告書訊
09/12-19:03高雄市政府南南東方 375.8 公里發生規模6.7有感地震，最大震度屏東縣鵝鑾鼻、臺東縣蘭嶼、高雄市、臺南市佳里、雲林縣四湖、彰化縣大城2級。	開放資料燈號: 綠色 \| 地震報告編號: 112067 \| 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告
德國租稅通則	出版日期: 2013-05 \| 出版單位: 司法院 \| 作者資訊: 陳敏 \| ISBN: 9789860364798 \| 語言: 中文 \| 適用對象: 成人（學術性） \| 主題分類: 法務 \| 書籍介紹: 德國租稅通則 \| 授權資訊: 聯絡處室：行政訴訟及懲戒廳;姓名：張淑玲;電話：23618577-266;地址：;北市重慶南路一段124號 @ 出版書目資料
外交部近5年外交特考錄取人數及錄取率	資料集識別碼: 30390 \| 詮釋資料更新時間: 2024-12-31 14:49:58 \| 品質檢測: http://白金 \| 檔案格式: CSV;CSV \| 編碼格式: UTF-8;UTF-8 \| 提供機關: 外交部 \| 服務分類: 公共資訊 \| 資料集描述: 外交部近5年外交特考錄取人數之統計資料 @ 政府資料開放平臺資料集清單

09/12-19:03高雄市政府南南東方 375.8 公里發生規模6.7有感地震，最大震度屏東縣鵝鑾鼻、臺東縣蘭嶼、高雄市、臺南市佳里、雲林縣四湖、彰化縣大城2級。

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德國租稅通則

@ 出版書目資料

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
電阻切換式記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,198,620 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 119/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 蔡銘進 \| 陳維恕 \| 李亨元 @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
電阻切換式記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8198620 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 119/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 蔡銘進 \| 陳維恕 \| 李亨元 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,397,584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集

智慧型空調系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206662 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇 \| 曾國華 \| 陳龍德 \| 游金銘
智慧型空調系統	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6715689 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇 \| 曾國華 \| 陳龍德 \| 游金銘
整合影像顯示之體溫計	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200916 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇 \| 陳龍德 \| 曾國華 \| 吳家興
電鍍金屬導線製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206682 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃俊堯 \| 陳政忠 \| 吳永富 \| 蔡政宏 \| 喬傳國 \| 朱芳村
場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林偉義 \| 蕭名君 \| 陳盈憲 \| 曾企民 \| 蕭雲嬌
利用TIO2層製作擴散式反射板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206687 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 陳明道 \| 黃良瑩 \| 翁逸君 \| 吳耀庭 \| 蔡明郎 \| 溫俊祥 \| 林顯光
具無機及有機功能性構裝基板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196534 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 吳仕先 \| 李明林 \| 賴信助
奈米碳管閘極之電晶體結構與製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222742 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 魏拯華 \| 陳信輝 \| 賴明駿 \| 王宏祥 \| 高明哲
元件轉貼之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 221010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳昱丞 \| 王文通 \| 張榮芳 \| 湯景萱
多層互補式導線結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220775 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳昱丞 \| 陳麒麟
以矽為基材之微機電射頻開關製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220142 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏 \| 顏凱翔 \| 陳振頤
覆晶構裝接合結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222725 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋
於基板上形成空間支撐物的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223307 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩 \| 詹景翔 \| 李正中 \| 何家充 \| 蕭名君
具內藏電容之基板結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鍾佩翰 \| 李明林 \| 賴信助 \| 吳仕先 \| 張慧如 \| 鄭玉美
塑膠基板彩色濾光片製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206792 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩 \| 詹景翔 \| 何家充 \| 廖奇璋 \| 辛隆賓

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