以矽為基材之微機電射頻開關製作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文以矽為基材之微機電射頻開關製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫, 專利發明人是邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤, 證書號碼是220142.

序號888
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文以矽為基材之微機電射頻開關製作方法
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫
專利發明人邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220142
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係為一種以矽為基材之微機電射頻開關製作方法，該方法包括塗佈一元件層於一矽基板上，該元件層上層為上金屬層，再於該上金屬層上塗佈一鈍態層(passivation layer)，該元件層下層為一氧化矽層；蝕刻該鈍態層係由該上金屬層之上端；形成一缺口，係由該上金屬層蝕刻至複數個栓塞層之上端；形成一空窗區，係沿著該缺口蝕刻至該元件層內；形成一凹槽，係沿著該空窗區向下蝕刻至該矽基板內；移除該鈍態層及該栓塞層，使該上金屬層形成一趬曲結構；及形成複數個覆蓋金屬層於該上金屬層之兩側及該元件層上。應用上述方法及使用無電極電鍍技術，將金電鍍於該趬曲結構與共面波導的接觸面及共面波導上，解決目前不適用於開發射頻元件的矽基材製程之目的。另外，為避免微波訊號在矽基材上形成很大的損失，本發明也擬利用微體型加工(bulk micro machining)技術將微波訊號線底下的矽基材掏空形成一凹槽。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820445
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

888

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

以矽為基材之微機電射頻開關製作方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫

專利發明人

邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

220142

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係為一種以矽為基材之微機電射頻開關製作方法，該方法包括塗佈一元件層於一矽基板上，該元件層上層為上金屬層，再於該上金屬層上塗佈一鈍態層(passivation layer)，該元件層下層為一氧化矽層；蝕刻該鈍態層係由該上金屬層之上端；形成一缺口，係由該上金屬層蝕刻至複數個栓塞層之上端；形成一空窗區，係沿著該缺口蝕刻至該元件層內；形成一凹槽，係沿著該空窗區向下蝕刻至該矽基板內；移除該鈍態層及該栓塞層，使該上金屬層形成一趬曲結構；及形成複數個覆蓋金屬層於該上金屬層之兩側及該元件層上。應用上述方法及使用無電極電鍍技術，將金電鍍於該趬曲結構與共面波導的接觸面及共面波導上，解決目前不適用於開發射頻元件的矽基材製程之目的。另外，為避免微波訊號在矽基材上形成很大的損失，本發明也擬利用微體型加工(bulk micro machining)技術將微波訊號線底下的矽基材掏空形成一凹槽。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

楊倉錄

電話

03-5914393

傳真

03-5820445

電子信箱

yangtl@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為機械運輸，95年改為機電運輸

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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延平國小活動中心

災民收容所編號: SM557-0018 | 南投縣 | 竹山鎮 | | 收容所地址: 延平里集山路二段1161號

@ 災民收容所

延平國小活動中心

災民收容所編號: SM557-0018 | 南投縣 | 竹山鎮 | | 收容所地址: 延平里集山路二段1161號

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靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

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晶圓級封裝方法及其封裝結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳振頤、邱景宏、顏凱翔 | 證書號碼: I236111

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靜電式驅動之微繼電器及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 陳振頤, 房佩怡 | 證書號碼: 198718

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晶圓級封裝方法及其封裝結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 陳振頤、邱景宏、顏凱翔 | 證書號碼: I236111

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# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號651
產出年度93
技術名稱-中文電化學蝕刻停止技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 651
產出年度: 93
技術名稱-中文: 電化學蝕刻停止技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 電化學蝕刻停止技術是為以電化學濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 以濕蝕刻方式製作精確的懸膜厚度結構時，最常用到，如壓力感測器、加速度計與微流量感測器等。
潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號652
產出年度93
技術名稱-中文鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電化學,化工或,機械背景人才。
序號: 652
產出年度: 93
技術名稱-中文: 鎳鈷及金微電鑄及製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供鎳,鎳鈷及金電鍍,電鑄及製程技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 需要電鍍或電鑄鎳,鎳鈷及金之相關產品。
潛力預估: 應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號654
產出年度93
技術名稱-中文微鰭片散熱技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估應用潛力中
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才微機電製程,機械背景人才
序號: 654
產出年度: 93
技術名稱-中文: 微鰭片散熱技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用金屬蝕刻的方式, 製作微細尺寸之鰭片。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 散熱模組上之鰭片結構。
潛力預估: 應用潛力中
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 須建廠, 並符合相關環保法規。
需具備之專業人才: 微機電製程,機械背景人才

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號655
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度試量產
可應用範圍壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才alignment mask design / anisotropic wet etching
序號: 655
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號656
產出年度93
技術名稱-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱微奈米系統應用技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格（1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度雛型
可應用範圍保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才具IC設計、影像系統設計能力。
序號: 656
產出年度: 93
技術名稱-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 室溫熱像儀驅動顯示控制技術，主要是透過一紅外線陣列感測元件，依據感測元件的時序規格、讀取週期與電路資料等，設計建立包括了 （1）產生讀取電路控制信號的時序產生器和 （2）具有類比輸入/類比輸出/數位輸出功能，可讀取溫度資料的資料擷取系統，開發出的非接觸式溫度信號擷取系統。可使用的紅外線陣列元件包 括16*16、64*64以及320*240等面陣列感測元件。藉由此溫度信號擷取系統讀取與處理陣列元件感測的電阻變化，最後再以影像格式顯示，提供了一個完好的物體溫度對應不同色階的影像顯示介面。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 保全監視系統、溫度監控系統、溫度分佈分析、工業安全檢測。
潛力預估: 應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: FPGA/CPLD 發展軟體、硬體
需具備之專業人才: 具IC設計、影像系統設計能力。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號657
產出年度93
技術名稱-中文低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度試量產
可應用範圍犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 657
產出年度: 93
技術名稱-中文: 低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術特色為低表面缺陷之犧牲層製作技術，具有製程簡單、低溫製程與電路整合性高等優勢。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 犧牲層製作(微鏡面，Micro Relay) ‧ 玻璃-玻璃接合介質材料
潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號658
產出年度93
技術名稱-中文利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才半導體製程背景人才。
序號: 658
產出年度: 93
技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 半導體製程背景人才。

# 03-5914393 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號659
產出年度93
技術名稱-中文矽晶片蝕穿技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度試量產
可應用範圍印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估潛力中等
聯絡人員楊倉錄
電話03-5914393
傳真03-5820412
電子信箱yangtl@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才電機,半導體製程背景人才。
序號: 659
產出年度: 93
技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估: 潛力中等
聯絡人員: 楊倉錄
電話: 03-5914393
傳真: 03-5820412
電子信箱: yangtl@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。
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與以矽為基材之微機電射頻開關製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林, 徐欽山 | 證書號碼: 6683469

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

增快液晶顯示器應答速度之驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 | 證書號碼: 200112

可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 李明林, 徐欽山 | 證書號碼: 6683469

子母貫通孔結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 | 證書號碼: 6717071

一種GAMMA校正驅動系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 | 證書號碼: 193940

三極結構電子發射源之製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 | 證書號碼: 6705910

低溫多晶矽的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 | 證書號碼: 206403

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 沈毓仁 | 證書號碼: 6750834

奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 | 證書號碼: 6811457

具低切換雜訊之構裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 | 證書號碼: 6683781

低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 | 證書號碼: 6670224

傾斜散射反射板的製造方法與結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 | 證書號碼: 6692902

低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 | 證書號碼: 6692791

無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃元璋 | 證書號碼: 6656772

使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪 | 證書號碼: 6605491

可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和 | 證書號碼: 185849

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