電阻切換式記憶體
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專利名稱-中文電阻切換式記憶體的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是101, 專利性質是發明, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是FREDERICKT.CHEN,蔡銘進,陳維恕,李亨元, 證書號碼是8,198,620.
| 序號 | 10041 |
| 產出年度 | 101 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 電阻切換式記憶體 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | FREDERICKT.CHEN,蔡銘進,陳維恕,李亨元 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 101/07/19 |
| 證書號碼 | 8,198,620 |
| 專利期間起 | 101/06/21 |
| 專利期間訖 | 119/09/26 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種電阻切換式記憶體。此電阻切換式記憶體包括高度絕緣或電阻切換式材料，其覆蓋著圖案化之金屬線的側壁，且沿著介電層側壁的邊緣而延伸，以進一步接觸下電極上表面的一部分。下電極上表面的其他部分則被上電極與下電極之間的絕緣層所覆蓋。下電極中的一吸氧金屬層佔據了下電極上表面的實質中心部分，且被高度絕緣或電阻切換式材料局部覆蓋著。如此一來，一切換區就自然定義在在下電極的吸氧金屬層的實質中心部分。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | (03)5914675 |
| 傳真 | (03)5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 同步更新日期 | 2023-07-05 |
序號10041 |
產出年度101 |
領域別電資通光 |
專利名稱-中文電阻切換式記憶體 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位工研院電光所 |
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
專利發明人FREDERICKT.CHEN,蔡銘進,陳維恕,李亨元 |
核准國家美國 |
獲證日期101/07/19 |
證書號碼8,198,620 |
專利期間起101/06/21 |
專利期間訖119/09/26 |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種電阻切換式記憶體。此電阻切換式記憶體包括高度絕緣或電阻切換式材料，其覆蓋著圖案化之金屬線的側壁，且沿著介電層側壁的邊緣而延伸，以進一步接觸下電極上表面的一部分。下電極上表面的其他部分則被上電極與下電極之間的絕緣層所覆蓋。下電極中的一吸氧金屬層佔據了下電極上表面的實質中心部分，且被高度絕緣或電阻切換式材料局部覆蓋著。如此一來，一切換區就自然定義在在下電極的吸氧金屬層的實質中心部分。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員陳奕潔 |
電話(03)5914675 |
傳真(03)5917193 |
電子信箱miranda@itri.org.tw |
參考網址(空) |
備註(空) |
特殊情形(空) |
同步更新日期2023-07-05 |
根據識別碼 8 198 620 找到的相關資料
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| 聯絡人電話 | (04)25941574#620 |
| 根據 | 2 借用或冒用他人名義或證件投標者.政府採購法第103條所定期間 |
| 採購單位聯絡人 | 孫昱廷 |
| 有效日期 | 1090101 00:00 |
| Supplier_Principal_ID | (空) |
| 有效期間 | 3年 |
| 採購單位 | 台灣電力股份有限公司大甲溪發電廠 |
| 到期日期 | 1111231 23:59 |
| 統一編號 | 26021830 |
| Supplier_Principal | 姜慧臻 |
| 宣告日期 | 1081231 00:00 |
| 廠商國別 | 中華民國(Republic of China (Taiwan)) |
| 上訴結果 | 行政院公共工程委員會採購申訴審議委員會108年12月13日第796次委員會議審議判斷結果：申訴不受理(訴1080277號)。 |
| 採購單位號碼 | 3.13.31.70 |
| 採購案 | 谷關壩#1～#4排洪門水封更換等工作 |
| 採購案碼 | 2550500053 |
| 廠商地址 | 高雄市苓雅區五福里建國一路１９８號３樓 |
| 廠商名稱 | 詠臻企業行（合夥） |
| 採購單位地址 | 臺中市和平區天輪里東關路2段89-1號 |
| 原採購日期: 1081231 00:00 |
| 聯絡人電話: (04)25941574#620 |
| 根據: 2 借用或冒用他人名義或證件投標者.政府採購法第103條所定期間 |
| 採購單位聯絡人: 孫昱廷 |
| 有效日期: 1090101 00:00 |
| Supplier_Principal_ID: (空) |
| 有效期間: 3年 |
| 採購單位: 台灣電力股份有限公司大甲溪發電廠 |
| 到期日期: 1111231 23:59 |
| 統一編號: 26021830 |
| Supplier_Principal: 姜慧臻 |
| 宣告日期: 1081231 00:00 |
| 廠商國別: 中華民國(Republic of China (Taiwan)) |
| 上訴結果: 行政院公共工程委員會採購申訴審議委員會108年12月13日第796次委員會議審議判斷結果：申訴不受理(訴1080277號)。 |
| 採購單位號碼: 3.13.31.70 |
| 採購案: 谷關壩#1～#4排洪門水封更換等工作 |
| 採購案碼: 2550500053 |
| 廠商地址: 高雄市苓雅區五福里建國一路１９８號３樓 |
| 廠商名稱: 詠臻企業行（合夥） |
| 採購單位地址: 臺中市和平區天輪里東關路2段89-1號 |
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| 序號 | 12057 |
| 產出年度 | 102 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 電阻切換式記憶體 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | FREDERICK T. CHEN ,蔡銘進 ,陳維恕 ,李亨元 |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | 102/09/10 |
| 證書號碼 | I405331 |
| 專利期間起 | 102/08/11 |
| 專利期間訖 | 118/12/24 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | "一種電阻切換式記憶體。此電阻切換式記憶體包括高度絕緣或電阻切換式材料，其覆蓋著圖案化之金屬線的側壁，且沿著介電層側壁的邊緣而延伸，以進一步接觸下電極上表面的一部分。下電極上表面的其他部分則被上電極與下電極之間的絕緣層所覆蓋。下電極中的一吸氧金屬層佔據了下電極上表面的實質中心部分，且被高度絕緣或電阻切換式材料局部覆蓋著。如此一來，一切換區就自然定義在在下電極的吸氧金屬層的實質中心部分。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 鍾佩翰 |
| 電話 | 03-5912777 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 12057 |
| 產出年度: 102 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 電阻切換式記憶體 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: FREDERICK T. CHEN ,蔡銘進 ,陳維恕 ,李亨元 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: 102/09/10 |
| 證書號碼: I405331 |
| 專利期間起: 102/08/11 |
| 專利期間訖: 118/12/24 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: "一種電阻切換式記憶體。此電阻切換式記憶體包括高度絕緣或電阻切換式材料，其覆蓋著圖案化之金屬線的側壁，且沿著介電層側壁的邊緣而延伸，以進一步接觸下電極上表面的一部分。下電極上表面的其他部分則被上電極與下電極之間的絕緣層所覆蓋。下電極中的一吸氧金屬層佔據了下電極上表面的實質中心部分，且被高度絕緣或電阻切換式材料局部覆蓋著。如此一來，一切換區就自然定義在在下電極的吸氧金屬層的實質中心部分。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 鍾佩翰 |
| 電話: 03-5912777 |
| 傳真: 03-5917690 |
| 電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03 5914675 ...)| 序號 | 8361 |
| 產出年度 | 100 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 具氣密性之三維晶圓堆疊 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 100/03/04 |
| 證書號碼 | 7,948,072 |
| 專利期間起 | 100/05/24 |
| 專利期間訖 | 118/03/01 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明提供一種晶片堆疊結構，包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一裝置層及一基板，其中該裝置層具有至少一晶片及至少一介電材料層;一第二晶圓設置在該第一晶圓之上，具有一裝置層以及一封閉結構，設置於該至少第一晶片上且設置於該至少一晶片的切割的內側，其中該封閉結構是從第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其靠近該第一基板的另一側。本發明所提的晶片堆疊結構不但可提供晶片裝置層的多孔性介電材料一定的應力支撐保護，更可隔絕多孔性介電材料，使其免於濕氣的侵入，而解決晶片堆疊結構可能因氣密性不足而引發的可靠性問題。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳淑珠 |
| 電話 | 03-5914675 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | -@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 8361 |
| 產出年度: 100 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 具氣密性之三維晶圓堆疊 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 100/03/04 |
| 證書號碼: 7,948,072 |
| 專利期間起: 100/05/24 |
| 專利期間訖: 118/03/01 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 本發明提供一種晶片堆疊結構，包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一裝置層及一基板，其中該裝置層具有至少一晶片及至少一介電材料層;一第二晶圓設置在該第一晶圓之上，具有一裝置層以及一封閉結構，設置於該至少第一晶片上且設置於該至少一晶片的切割的內側，其中該封閉結構是從第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其靠近該第一基板的另一側。本發明所提的晶片堆疊結構不但可提供晶片裝置層的多孔性介電材料一定的應力支撐保護，更可隔絕多孔性介電材料，使其免於濕氣的侵入，而解決晶片堆疊結構可能因氣密性不足而引發的可靠性問題。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳淑珠 |
| 電話: 03-5914675 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: -@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 10034 |
| 產出年度 | 101 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 具應力緩衝之微連凸塊結構及製造方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 許永昱,廖錫卿,譚瑞敏,鄭智元 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 101/03/21 |
| 證書號碼 | 8,123,965 |
| 專利期間起 | 101/02/28 |
| 專利期間訖 | 117/07/22 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | "本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。本發明提供一種晶片封裝結構及其製造方法，上述晶片封裝結構包括至少一晶片，具有至少一導通孔；至少一應力緩衝疊孔結構，置於上述導通孔中，其中上述應力緩衝疊孔結構包括一第一墊片和一第二墊片；一支撐柱，其兩末端分別連接上述第一墊片和上述第二墊片，且上述支撐柱的上述兩末端的面積分別小於上述第一墊片和上述第二墊片的面積；一緩衝層，設於上述第一墊片和上述第二墊片之間，且包覆上述支撐柱的側壁；一絕緣層，置於上述導通孔中，且圍繞上述應力緩衝疊孔結構的側壁。本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | (03)5914675 |
| 傳真 | (03)5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 10034 |
| 產出年度: 101 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 具應力緩衝之微連凸塊結構及製造方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 許永昱,廖錫卿,譚瑞敏,鄭智元 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 101/03/21 |
| 證書號碼: 8,123,965 |
| 專利期間起: 101/02/28 |
| 專利期間訖: 117/07/22 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: "本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。本發明提供一種晶片封裝結構及其製造方法，上述晶片封裝結構包括至少一晶片，具有至少一導通孔；至少一應力緩衝疊孔結構，置於上述導通孔中，其中上述應力緩衝疊孔結構包括一第一墊片和一第二墊片；一支撐柱，其兩末端分別連接上述第一墊片和上述第二墊片，且上述支撐柱的上述兩末端的面積分別小於上述第一墊片和上述第二墊片的面積；一緩衝層，設於上述第一墊片和上述第二墊片之間，且包覆上述支撐柱的側壁；一絕緣層，置於上述導通孔中，且圍繞上述應力緩衝疊孔結構的側壁。本發明係為一種具應力緩衝之微連凸塊結構，其係包括有：一第一頂面，該第一頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一第二頂面，該第二頂面係與基板及電子元件其中一者連接；一支撐體，連接於第一頂面與第二頂面之間，且該支撐體之二端表面積不大於第一頂面及第二頂面；一緩衝層，設置於支撐體之外部，以提供應力吸收及緩衝之功能。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: (03)5914675 |
| 傳真: (03)5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 10036 |
| 產出年度 | 101 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 晶片封裝結構及其製造方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 譚瑞敏,趙玉麟,楊書榮,范榮昌,李暐,鄭智元,謝明哲, |
| 核准國家 | 中華民國 |
| 獲證日期 | 101/03/09 |
| 證書號碼 | I357135 |
| 專利期間起 | 101/01/21 |
| 專利期間訖 | 117/05/28 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | "一種晶片封裝結構，其包括基板、晶片、導熱層、多個訊號接點以及封裝膠體。基板具有多個第一導熱孔道、連接線路以及與連接線路電性連接的多個訊號孔道，且基板具有晶片容置區。晶片配置於基板的晶片容置區上，並經由連接線路與訊號孔道電性連接。導熱層配置於基板上方並與第一導熱孔道連接，並且位於晶片容置區上方，且導熱層具有暴露出訊號孔道的第一開口。訊號接點分別配置於第一開口中並與訊號孔道連接。封裝膠體包覆晶片。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | (03)5914675 |
| 傳真 | (03)5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 10036 |
| 產出年度: 101 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 晶片封裝結構及其製造方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 譚瑞敏,趙玉麟,楊書榮,范榮昌,李暐,鄭智元,謝明哲, |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: 101/03/09 |
| 證書號碼: I357135 |
| 專利期間起: 101/01/21 |
| 專利期間訖: 117/05/28 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: "一種晶片封裝結構，其包括基板、晶片、導熱層、多個訊號接點以及封裝膠體。基板具有多個第一導熱孔道、連接線路以及與連接線路電性連接的多個訊號孔道，且基板具有晶片容置區。晶片配置於基板的晶片容置區上，並經由連接線路與訊號孔道電性連接。導熱層配置於基板上方並與第一導熱孔道連接，並且位於晶片容置區上方，且導熱層具有暴露出訊號孔道的第一開口。訊號接點分別配置於第一開口中並與訊號孔道連接。封裝膠體包覆晶片。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: (03)5914675 |
| 傳真: (03)5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 10045 |
| 產出年度 | 101 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 空隙製造方法、電阻式記憶元件及其製造方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 陳維恕 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 101/08/22 |
| 證書號碼 | 8,212,231 |
| 專利期間起 | 101/07/03 |
| 專利期間訖 | 119/02/10 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種空隙製造方法。首先，在基底上形成圖案化犧牲層，此圖案化犧牲層的材料包括鍺銻碲合金。接著，於圖案化犧牲層上覆蓋介電層。之後，提供反應物與圖案化犧牲層反應而移除圖案化犧牲層，以在圖案化犧牲層原本的位置形成一具有空隙之結構。可利用上述空隙製造方法製造出具有空氣介電層的電阻式記憶元件 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | (03)5914675 |
| 傳真 | (03)5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 10045 |
| 產出年度: 101 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 空隙製造方法、電阻式記憶元件及其製造方法 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 陳維恕 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 101/08/22 |
| 證書號碼: 8,212,231 |
| 專利期間起: 101/07/03 |
| 專利期間訖: 119/02/10 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種空隙製造方法。首先，在基底上形成圖案化犧牲層，此圖案化犧牲層的材料包括鍺銻碲合金。接著，於圖案化犧牲層上覆蓋介電層。之後，提供反應物與圖案化犧牲層反應而移除圖案化犧牲層，以在圖案化犧牲層原本的位置形成一具有空隙之結構。可利用上述空隙製造方法製造出具有空氣介電層的電阻式記憶元件 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: (03)5914675 |
| 傳真: (03)5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號: 10050 |
| 產出年度: 101 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 林志昇,蕭智文,蘇耿立 |
| 核准國家: 中華民國 |
| 獲證日期: 101/10/01 |
| 證書號碼: 20290319 |
| 專利期間起: 101/10/01 |
| 專利期間訖: 118/03/19 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種三維積體電路直通矽晶穿孔元件之靜電放電結構，包括一基板、貫穿前述基板且等效成一RLC元件的直通矽晶穿孔元件、以及位於基板中並與所述直通矽晶穿孔元件的一端電性相連的至少一靜電放電元件。這樣的靜電放電結構可保護3DIC電路及TSV元件。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: (03)5914675 |
| 傳真: (03)5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 12052 |
| 產出年度 | 102 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 測量裝置 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 譚瑞敏 ,劉漢誠 ,謝明哲 ,李暐 ,戴明吉 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 102/09/17 |
| 證書號碼 | 8,502,224 |
| 專利期間起 | 102/08/06 |
| 專利期間訖 | 120/03/27 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表面並電性連接第一線路層。第一應力感測器配置於第一表面並電性連接第一線路層。第二線路層配置於第二表面。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | 03-5914675 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 12052 |
| 產出年度: 102 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 測量裝置 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 譚瑞敏 ,劉漢誠 ,謝明哲 ,李暐 ,戴明吉 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 102/09/17 |
| 證書號碼: 8,502,224 |
| 專利期間起: 102/08/06 |
| 專利期間訖: 120/03/27 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表面並電性連接第一線路層。第一應力感測器配置於第一表面並電性連接第一線路層。第二線路層配置於第二表面。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: 03-5914675 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 12053 |
| 產出年度 | 102 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 測量裝置 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人 | 譚瑞敏 ,戴明吉 ,許世玄 ,林志昇 ,吳仕先 |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 102/09/17 |
| 證書號碼 | 8,507,909 |
| 專利期間起 | 102/08/13 |
| 專利期間訖 | 120/03/27 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | "提供一種測量裝置，包括：第一晶片，第一電路層，一個第一加熱器，第一壓力傳感器和一個第二電路層。第一晶片的第一矽通孔，第一表面和與該第一表面相反的第二表面。第一電路層被佈置在第一表面上。第一加熱器和所述第一壓力感測器設置在第一表面上，並連接到所述第一電路層。第二電路層被佈置在第二表面上。第一加熱器包括多個串聯連接的第一開關，以產生熱量。 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 陳奕潔 |
| 電話 | 03-5914675 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
| 序號: 12053 |
| 產出年度: 102 |
| 領域別: 電資通光 |
| 專利名稱-中文: 測量裝置 |
| 執行單位: 工研院電光所 |
| 產出單位: 工研院電光所 |
| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 |
| 專利發明人: 譚瑞敏 ,戴明吉 ,許世玄 ,林志昇 ,吳仕先 |
| 核准國家: 美國 |
| 獲證日期: 102/09/17 |
| 證書號碼: 8,507,909 |
| 專利期間起: 102/08/13 |
| 專利期間訖: 120/03/27 |
| 專利性質: 發明 |
| 技術摘要-中文: "提供一種測量裝置，包括：第一晶片，第一電路層，一個第一加熱器，第一壓力傳感器和一個第二電路層。第一晶片的第一矽通孔，第一表面和與該第一表面相反的第二表面。第一電路層被佈置在第一表面上。第一加熱器和所述第一壓力感測器設置在第一表面上，並連接到所述第一電路層。第二電路層被佈置在第二表面上。第一加熱器包括多個串聯連接的第一開關，以產生熱量。 |
| 技術摘要-英文: (空) |
| 聯絡人員: 陳奕潔 |
| 電話: 03-5914675 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 備註: (空) |
| 特殊情形: (空) |
| 序號 | 682 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 無鉛製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院材料與化工領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試 方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。 2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可 靠度評估資料庫。 3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討，建立改善無鉛 產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | 面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高，使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上，不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言，以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意，松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫，並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理，使得整個產品的含鉛量大幅下降，並在當時造成一陣熱潮，其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金，以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研 |
| 潛力預估 | 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。 |
| 聯絡人員 | 陳淑珠 |
| 電話 | 03-5914675 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | miranda@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | SMT製程設備波銲製程設備 |
| 需具備之專業人才 | 瞭解SMT及波銲製程 |
| 序號: 682 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 無鉛製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 1. 提供無鉛銲錫現況與製程發展、品質認證及測試 方法原理之教育訓練及技術輔導與咨詢服務。 2. 協助建立無鉛銲錫之SMT組裝製程技術與焊點可 靠度評估資料庫。 3. 藉由焊點破壞模式之分析與探討，建立改善無鉛 產品SMT組裝良率及焊點可靠度之能力。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量 小於900ppm 2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: 面對全球環保意識抬頭與鉛對人體危害認知之升高，使用無鉛銲錫於電子類產品也已經是箭在弦上，不得不然的趨勢了。就無鉛產品市場接受度而言，以1998年10月日本的松下公司(Panasonic)的迷你隨身聽(MiniDisk)最被注意，松下公司的這一型隨身聽主要使用Sn-Bi系統無鉛銲錫，並使用有機保護膜來做印刷電路板的的表面處理，使得整個產品的含鉛量大幅下降，並在當時造成一陣熱潮，其市場佔有率也從原本的4.7%上升到15%。接下來只是該選用何種合金，以及如何搭配相關之製程、材料與設備等問題而已。各公司除了自行研 |
| 潛力預估: 市場規模包含IC設計、材料、設備、製造、測試等，涵蓋所有消費性家電，市場影響之大無庸置疑。 |
| 聯絡人員: 陳淑珠 |
| 電話: 03-5914675 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: miranda@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: SMT製程設備波銲製程設備 |
| 需具備之專業人才: 瞭解SMT及波銲製程 |
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| 核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 楊儒林 | 證書號碼: US6754213B2 |
| 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林祺政 | 證書號碼: 第185504號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 楊儒林、林軍鼐 | 證書號碼: 發明第197188號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳華傑 | 證書號碼: 發明第222558號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第204686號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第I220617號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第222811號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳鶴文 | 證書號碼: 發明第204699號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 翁志昌.黃建文.李正中 | 證書號碼: 發明第203909號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 孫宏民、陳孟彰、林宸堂 | 證書號碼: 發明第199742號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林華君、王建興、張麗容 | 證書號碼: 發明第220613號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 李基民 | 證書號碼: 發明第190201號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張治昇、魏全佑、陳武民 | 證書號碼: 發明第188850號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 魏全佑 | 證書號碼: 發明第207170號 |
| 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 李宜揚 | 證書號碼: 發明第200844號 |
核准國家: 美國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 楊儒林 | 證書號碼: US6754213B2 |
核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林祺政 | 證書號碼: 第185504號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 楊儒林、林軍鼐 | 證書號碼: 發明第197188號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳華傑 | 證書號碼: 發明第222558號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第204686號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第I220617號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林軍鼐 | 證書號碼: 發明第222811號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 陳鶴文 | 證書號碼: 發明第204699號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 翁志昌.黃建文.李正中 | 證書號碼: 發明第203909號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 孫宏民、陳孟彰、林宸堂 | 證書號碼: 發明第199742號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 林華君、王建興、張麗容 | 證書號碼: 發明第220613號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 李基民 | 證書號碼: 發明第190201號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 張治昇、魏全佑、陳武民 | 證書號碼: 發明第188850號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 魏全佑 | 證書號碼: 發明第207170號 |
核准國家: 中華民國 | 執行單位: 資策會 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 通訊軟體關鍵技術開發五年計畫 | 專利發明人: 李宜揚 | 證書號碼: 發明第200844號 |
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