化學氣相沈積裝置與聚對二甲苯薄膜的形成方法
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專利名稱-中文化學氣相沈積裝置與聚對二甲苯薄膜的形成方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I376426, 專利期間起是101/11/11, 專利期間訖是117/12/14, 專利性質是發明, 執行單位是工研院南分院, 產出年度是101, 計畫名稱是軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫, 專利發明人是張均豪,林東穎,王登彥.

序號	10616
產出年度	101
領域別	機械運輸
專利名稱-中文	化學氣相沈積裝置與聚對二甲苯薄膜的形成方法
執行單位	工研院南分院
產出單位	工研院南分院
計畫名稱	軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
專利發明人	張均豪 \| 林東穎 \| 王登彥
核准國家	中華民國
獲證日期	101/12/03
證書號碼	I376426
專利期間起	101/11/11
專利期間訖	117/12/14
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種化學氣相沈積裝置，其包括沈積室、裂解室、冷卻阻陷、節流閥與蒸發室。裂解室藉由第一管路與沈積室連接。冷卻阻陷藉由第二管路與沈積室連接。節流閥藉由第三管路與冷卻阻陷連接。蒸發室藉由第四管路與裂解室連接，且藉由第五管路與冷卻阻陷連接，其中第四管路具有第一閥門，且第五管路具有第二閥門。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

10616

產出年度

101

領域別

機械運輸

專利名稱-中文

化學氣相沈積裝置與聚對二甲苯薄膜的形成方法

執行單位

工研院南分院

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫

專利發明人

張均豪 | 林東穎 | 王登彥

核准國家

中華民國

獲證日期

101/12/03

證書號碼

I376426

專利期間起

101/11/11

專利期間訖

117/12/14

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種化學氣相沈積裝置，其包括沈積室、裂解室、冷卻阻陷、節流閥與蒸發室。裂解室藉由第一管路與沈積室連接。冷卻阻陷藉由第二管路與沈積室連接。節流閥藉由第三管路與冷卻阻陷連接。蒸發室藉由第四管路與裂解室連接，且藉由第五管路與冷卻阻陷連接，其中第四管路具有第一閥門，且第五管路具有第二閥門。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

(空)

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化學氣相沈積裝置與聚對二甲苯薄膜的形成方法

等離子體輔助有機薄膜沉積裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710302363.0 \| 專利期間起: 1999/8/25 \| 專利期間訖: 116/12/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 軟性電子設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 黃國興 ,林東穎 ,張均豪 ,王家宏 ,王登彥 @ 技術司專利資料集
電漿輔助有機薄膜沉積裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8235002 \| 專利期間起: 101/08/07 \| 專利期間訖: 118/11/12 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 黃國興,林東穎,張均豪,王家宏,王登彥 @ 技術司專利資料集
電漿輔助有機薄膜沉積裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I364126 \| 專利期間起: 101/05/11 \| 專利期間訖: 116/11/22 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 黃國興,林東穎,張均豪,王家宏,王登彥, @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 @ 技術司專利資料集

雜質振盪分離送料器結構之改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李明晃、陳珠修、楊奉儒
以工業廢棄物作為原料的樹脂混凝土	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207309 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳清齊、賴明柱、楊奉儒、陳志恒
研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211613 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修、楊奉儒、李明晃
液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195728 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6713377 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6660625 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧
消除光阻中近接效應之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 183704 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 高蔡勝, 戴昌銘
製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185243 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 丁岱良
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188081 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6747727 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
正向修補型之薄膜電晶體液晶顯示裝置以及正向修補方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6714269 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃庭輝
低漏光及低訊號線阻值之IPS-TFT 陣列設計	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185400 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世昌, 陳志宏, 劉秉德
配備平坦電極的平面螢光燈及其組裝方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6639351 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡光隆, 樊雨心, 林介清, 許量魁
一種整合影像感測器及液晶顯示器的主動矩陣陣列及其半導體裝置結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185401 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳逸蔚
用在真空顯示面板之吸氣劑總成	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195740 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李正中, 簡瑞峰

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產出單位

計畫名稱

專利發明人

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專利期間訖

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