軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 @ 政府開放資料
軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 - 搜尋結果總共有 69 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
R2R傳輸模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
卷對卷模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AMOLED薄膜封裝技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% | 潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高效率柱狀靶源設計技術 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜速率≒2μm/hr、 靶材使用率:75% 靶源輸出功率:20.2429W/cm2 靶材尺寸:管內??56mm 管外??65mm~?93mm 長度520mm | 潛力預估: 此為綠色環保製程，未來將大量使用，預估若以模組型態銷售產值約1億台幣。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
線型雷射光束模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% | 潛力預估: 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
線型離子源技術 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理幅寬：300 mm Collimated Ion Source 放電電壓600～3000V 放電電流0.75A 線型離子束長度≧300 mm | 潛力預估: 模組產值每年約5千萬元以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜封裝模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜面積 : 370mm×470mm 鍍膜均勻度 : >95%@500nm 殘留應力 : | 潛力預估: 可結合面板廠AMOLED研發產線進行薄膜封裝應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
影像式有機薄膜厚度均勻性檢測模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 空間解析度:≦5μm 厚度量測重複性: ≦1% 檢測膜材:Organic Film | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料厚度均勻性與缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
真空連續式載台傳輸偏壓裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 許恭銘,楊景富,張凱傑 | 證書號碼: I393162 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
橢偏影像量測技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1、空間解析度: ≦5μm 2、可調頻寬範圍: ≦100nm 3、檢測基材: LTSP | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射背面加工吸附方法及其裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李鈞函 ,劉松河 ,李閔凱 | 證書號碼: I400138 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於軟性基材之連續滾壓式夾持裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李昌周 ,劉錦龍 ,柯志諭 ,劉如豐 | 證書號碼: I386356 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
透明導電膜電性檢測模組技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1、ITO檢測最小線寬20μm 2、檢測幅寬最大300mm 3、ITO 刮傷、短、斷路等缺陷之即時影像檢測 | 潛力預估: 關鍵技術可應用於透明導電膜片 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射加工裝置及方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 陳峻明,劉松河,李永春,李閔凱 | 證書號碼: I356744 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜光學檢測裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 吳駿逸 ,王浩偉 ,謝易辰 ,莊凱評 ,楊富翔 | 證書號碼: I386638 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
壓力回饋式刮刀模組 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉冠志,洪國凱 | 證書號碼: I408055 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
真空製程設備之連續送料裝置 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 黃建龍,張凱傑,楊景富,許恭銘 | 證書號碼: I380945 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
定張力捲繞裝置及其調控模組 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉冠志,林崇田 | 證書號碼: I409207 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
基板電性的量測設備 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 鄒永桐 ,劉定坤 ,王浩偉 ,詹智翔 | 證書號碼: 8,552,732 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
真空機械引入模組 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 謝志男、許恭銘、張凱傑 | 證書號碼: I378151 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
R2R傳輸模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
卷對卷模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
AMOLED薄膜封裝技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% | 潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
高效率柱狀靶源設計技術執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜速率≒2μm/hr、 靶材使用率:75% 靶源輸出功率:20.2429W/cm2 靶材尺寸:管內??56mm 管外??65mm~?93mm 長度520mm | 潛力預估: 此為綠色環保製程，未來將大量使用，預估若以模組型態銷售產值約1億台幣。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
線型雷射光束模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% | 潛力預估: 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
線型離子源技術執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 可處理幅寬：300 mm Collimated Ion Source 放電電壓600～3000V 放電電流0.75A 線型離子束長度≧300 mm | 潛力預估: 模組產值每年約5千萬元以上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
薄膜封裝模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 鍍膜面積 : 370mm×470mm 鍍膜均勻度 : >95%@500nm 殘留應力 : | 潛力預估: 可結合面板廠AMOLED研發產線進行薄膜封裝應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
影像式有機薄膜厚度均勻性檢測模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 空間解析度:≦5μm 厚度量測重複性: ≦1% 檢測膜材:Organic Film | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料厚度均勻性與缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
真空連續式載台傳輸偏壓裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 許恭銘,楊景富,張凱傑 | 證書號碼: I393162 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
橢偏影像量測技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1、空間解析度: ≦5μm 2、可調頻寬範圍: ≦100nm 3、檢測基材: LTSP | 潛力預估: 關鍵技術可應用於材料缺陷檢測等應用 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射背面加工吸附方法及其裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李鈞函 ,劉松河 ,李閔凱 | 證書號碼: I400138 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於軟性基材之連續滾壓式夾持裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 李昌周 ,劉錦龍 ,柯志諭 ,劉如豐 | 證書號碼: I386356 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
透明導電膜電性檢測模組技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 1、ITO檢測最小線寬20μm 2、檢測幅寬最大300mm 3、ITO 刮傷、短、斷路等缺陷之即時影像檢測 | 潛力預估: 關鍵技術可應用於透明導電膜片 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
雷射加工裝置及方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 陳峻明,劉松河,李永春,李閔凱 | 證書號碼: I356744 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
薄膜光學檢測裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 吳駿逸 ,王浩偉 ,謝易辰 ,莊凱評 ,楊富翔 | 證書號碼: I386638 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
壓力回饋式刮刀模組核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉冠志,洪國凱 | 證書號碼: I408055 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
真空製程設備之連續送料裝置核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 黃建龍,張凱傑,楊景富,許恭銘 | 證書號碼: I380945 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
定張力捲繞裝置及其調控模組核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 劉冠志,林崇田 | 證書號碼: I409207 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
基板電性的量測設備核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 鄒永桐 ,劉定坤 ,王浩偉 ,詹智翔 | 證書號碼: 8,552,732 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
真空機械引入模組核准國家: 中華民國 | 執行單位: 金屬中心 | 產出年度: 101 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 專利發明人: 謝志男、許恭銘、張凱傑 | 證書號碼: I378151 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |