磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL200810174614.6, 專利期間起是102/02/27, 專利期間訖是117/10/27, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是102, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是洪建中.

序號	11343
產出年度	102
領域別	創新前瞻
專利名稱-中文	磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院院本部
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	洪建中
核准國家	中國大陸
獲證日期	102/04/16
證書號碼	ZL200810174614.6
專利期間起	102/02/27
專利期間訖	117/10/27
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種磁性移位暫存記憶體，包括至少一磁性記憶軌，具有多個磁壁分隔出多個磁域當作多個磁性記憶胞。該磁性記憶軌包含多個資料區域。每一資料區域具有多個磁性位元記憶胞，以在一靜止狀時分別儲存多個位元資料，以及在一移位態時暫存由相鄰的該資料區域所移入的該些位元資料的至少一個。其中在該些磁性位元記憶胞的資料，在一操作電流下，在相鄰二個資料區域之間移位。又、藉由多條磁性記憶軌構成一記憶體架構，利用操作電流以及讀取電路與寫入電路，達到存取資料的動作。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

11343

產出年度

102

領域別

創新前瞻

專利名稱-中文

磁性移位暫存存儲器及其操作方法和架構

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院院本部

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

洪建中

核准國家

中國大陸

獲證日期

102/04/16

證書號碼

ZL200810174614.6

專利期間起

102/02/27

專利期間訖

117/10/27

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種磁性移位暫存記憶體，包括至少一磁性記憶軌，具有多個磁壁分隔出多個磁域當作多個磁性記憶胞。該磁性記憶軌包含多個資料區域。每一資料區域具有多個磁性位元記憶胞，以在一靜止狀時分別儲存多個位元資料，以及在一移位態時暫存由相鄰的該資料區域所移入的該些位元資料的至少一個。其中在該些磁性位元記憶胞的資料，在一操作電流下，在相鄰二個資料區域之間移位。又、藉由多條磁性記憶軌構成一記憶體架構，利用操作電流以及讀取電路與寫入電路，達到存取資料的動作。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

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中小企業之轉型分析－以資訊業系統整合商為例	作者: 洪建中 \| 指導教授: 林博文洪世章 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 102 \| 論文名稱(外文): Transformation Analysis of SME- A Case Study of system Integrators in information industry \| 系所名稱: 高階經營管理碩士在職專班 \| 學校名稱: 國立清華大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
Sp1藉由IRES調控其表現量以及在癌症形成與轉移中所扮演的角色	作者: 洪家揚 \| 指導教授: 張文昌洪建中 \| 學位類別: 博士 \| 畢業學年度: 104 \| 論文名稱(外文): The role of Specificity protein (Sp1) expression regulated by internal ribosomal entry site (IRES) i... \| 系所名稱: 基礎醫學研究所 \| 學校名稱: 國立成功大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
泛素特異性胜肽酶二十四在DNA受損時所扮演角色之探討	作者: 洪偉哲 \| 指導教授: 洪建中 \| 學位類別: 碩士 \| 畢業學年度: 102 \| 論文名稱(外文): To address the role of ubiquitin-specific peptidase 24 in DNA damage \| 系所名稱: 藥理學研究所 \| 學校名稱: 國立成功大學 @ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統
陳銘凱 \| 袁佩宜 \| 林崇熙 \| Liudmila Kulik \| 古莉 \| 洪建中 \| 鄒文雄 \| 洪美羅	博士後姓名(英): \| 所屬單位(中): 分子生物研究所 \| 申請類別: 一般博士後研究學者 \| 組別: 生命科學組 \| 年度: 88 下半年 @ 中央研究院延聘博士後研究學者核定通過名單
高密度磁性隨機存取記憶體	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4293828 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘 @ 技術司專利資料集
階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,841,721 \| 專利期間起: 122/05/06 \| 專利期間訖: 一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 洪建中 \| 陳永祥 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8841721 \| 專利期間起: 122/05/06 \| 專利期間訖: 一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 洪建中 \| 陳永祥 \| 李傳英 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,766,279 \| 專利期間起: 122/01/08 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種碳化矽溝槽式蕭基能障元件，其包括：一碳化矽半導體基板，具有上表面及下表面；一第一接觸金屬，形成於該碳化矽半導體基板的下表面，並形成歐姆接觸；一碳化矽半導體飄移層，形成於該碳化矽半導體基板... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 \| 陳永祥 \| 洪建中 \| 李傳英 \| 莊喬舜 \| 陳開宇 \| 黃正鑫 @ 技術司專利資料集

陳銘凱 | 袁佩宜 | 林崇熙 | Liudmila Kulik | 古莉 | 洪建中 | 鄒文雄 | 洪美羅

博士後姓名(英): | 所屬單位(中): 分子生物研究所 | 申請類別: 一般博士後研究學者 | 組別: 生命科學組 | 年度: 88 下半年

@ 中央研究院延聘博士後研究學者核定通過名單

高密度磁性隨機存取記憶體

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階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法

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階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法

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碳化矽溝槽式蕭基能障元件

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揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 \| 劉昌和 @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 \| 莊敬業 \| 林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 \| 葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 \| 專利期間起: 102/04/03 \| 專利期間訖: 118/05/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 \| 陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 \| 許詔開 @ 技術司專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,940,333 \| 專利期間起: 104/01/27 \| 專利期間訖: 116/05/11 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發 \| 張學曾 \| 陳進富 \| 張原嘉 \| 甘霈 \| 林才祐 @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

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感測裝置及其掃描驅動方法

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揚聲器單體結構

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

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照明裝置

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

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公司地址	負責人	統一編號	狀態
建國砂行臺北市中正區中華路2段461之1號6樓	洪建中	05195074	歇業 - 獨資
尚益企業社新北市中和區中山路３段６７之４號（現場僅供辦公室使用）	洪建中	09972265	歇業 - 獨資 (核准文號: 1025137497)
陳記涼麵坊新北市三峽區中山路8號(1樓)	洪建中	85134894	核准設立 - 獨資 (核准文號: 1088117201)
福紀紡織股份有限公司臺北市大安區敦化南路2段28號11樓之1	洪建中	23286479	核准設立
睿靖科技股份有限公司桃園市平鎮區金星里興安路59號一樓	洪建中	24878583	核准設立

建國砂行

登記地址: 臺北市中正區中華路2段461之1號6樓 | 負責人: 洪建中 | 統編: 05195074 | 歇業 - 獨資

尚益企業社

登記地址: 新北市中和區中山路３段６７之４號（現場僅供辦公室使用） | 負責人: 洪建中 | 統編: 09972265 | 歇業 - 獨資 (核准文號: 1025137497)

陳記涼麵坊

登記地址: 新北市三峽區中山路8號(1樓) | 負責人: 洪建中 | 統編: 85134894 | 核准設立 - 獨資 (核准文號: 1088117201)

福紀紡織股份有限公司

登記地址: 臺北市大安區敦化南路2段28號11樓之1 | 負責人: 洪建中 | 統編: 23286479 | 核准設立

睿靖科技股份有限公司

登記地址: 桃園市平鎮區金星里興安路59號一樓 | 負責人: 洪建中 | 統編: 24878583 | 核准設立

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一種磊晶基極的雙極性電晶體製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6589849 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英
一種清洗晶背的方法	核准國家: 奧地利 \| 證書號碼: 412043 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 周維揚 \| 馬慶輝
步階式充放電之低功率液晶顯示器的驅動電路及其驅動方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195737 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳尚立 \| 易建宇
具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193993 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 陳慶逸 \| 陳績檍
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3553864 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原
液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190439 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 巫吉原
單增益緩衝器	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3500353 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文 \| 施俊任 \| 陳尚立
廣視角橫向電極多域排列液晶顯示面板及製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206398 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達
連續域反扭轉型液晶顯示裝置及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185475 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 莊立聖 \| 陳慶逸
顯示器自動伽馬(GAMMA)校正系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200771 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊 \| 楊和興 \| 沈毓仁
一種全彩化發光二極體裝置及製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6730937 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東 \| 彭遠清 \| 陳建志
調整資料驅動器參考電壓之顯示器自動伽馬校正系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190460 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖明俊 \| 陳明道 \| 楊和興
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190469 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁 \| 陳建志 \| 陳明道 \| 廖明俊
可調變中心對稱之伽瑪電壓校正電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6680755 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁 \| 陳建志 \| 陳明道 \| 廖明俊
中心對稱之GAMMA電壓校正電路	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3522705 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳明道 \| 沈毓仁

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序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

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