機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法的核准國家是美國, 證書號碼是8,397,584, 專利期間起是102/03/19, 專利期間訖是120/03/06, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏.

序號	12043
產出年度	102
領域別	電資通光
專利名稱-中文	機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人	謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏
核准國家	美國
獲證日期	102/04/22
證書號碼	8,397,584
專利期間起	102/03/19
專利期間訖	120/03/06
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	tephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

12043

產出年度

102

領域別

電資通光

專利名稱-中文

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

謝明哲 | 劉漢誠 | 譚瑞敏

核准國家

美國

獲證日期

102/04/22

證書號碼

8,397,584

專利期間起

102/03/19

專利期間訖

120/03/06

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

參考網址

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特殊情形

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電腦設備用品(商用電腦)	標案案號: LP5-113046 \| 標的分類: 2_財物類 \| 得標廠商名稱1: 群曜數位科技股份有限公司 \| 招標機關: 臺灣銀行股份有限公司 \| 決標日期: 20250307 @ 決標金額前5大之決標公告
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教育部青年發展署會計報告

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公告本公司董事會通過113年第四季合併財務報告

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電腦設備用品(商用電腦)

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I405303 \| 專利期間起: 102/08/11 \| 專利期間訖: 119/11/25 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法

直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I436466 \| 專利期間起: 120/04/26 \| 專利期間訖: 一種直通矽晶穿孔結構及其製程。透過添加填充高導熱與低熱膨脹係數顆粒於銅基材裡面，並使用填補的方法將複合材料填充於通孔內，不但可以降低直通矽晶穿孔結構的熱膨脹係數與其應力，亦可提升直通矽晶穿孔結構製程裡... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,456,017 \| 專利期間起: 102/06/04 \| 專利期間訖: 120/07/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
直通矽晶穿孔結構及其製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8456017 \| 專利期間起: 102/06/04 \| 專利期間訖: 120/07/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 戴明吉 \| 簡恆傑 \| 謝明哲 \| 洪瑞鋒 \| 譚瑞敏 \| 劉漢誠 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,502,224 \| 專利期間起: 102/08/06 \| 專利期間訖: 120/03/27 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL201110160053.6 \| 專利期間起: 120/06/14 \| 專利期間訖: 一種測量裝置，包括一第一晶片、一第一線路層、一第一加熱元件、一第一應力感測器以及一第二線路層。第一晶片具有一第一導通孔及相對的一第一表面與一第二表面。第一線路層配置於第一表面。第一加熱元件配置於第一表... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集
測量裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8502224 \| 專利期間起: 102/08/06 \| 專利期間訖: 120/03/27 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 \| 劉漢誠 \| 謝明哲 \| 李暐 \| 戴明吉 @ 技術司專利資料集

用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610058803.8 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
讀?放大器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200610071485.9 \| 專利期間起: 1999/5/12 \| 專利期間訖: 115/03/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 張嘉伯 \| 林志昇 \| 蘇耿立 @ 技術司專利資料集
高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,577,017 \| 專利期間起: 98/08/18 \| 專利期間訖: 115/10/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
磁性記憶體之資料讀取電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,646,635 \| 專利期間起: 99/01/12 \| 專利期間訖: 117/08/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 \| 王丁勇 @ 技術司專利資料集
磁電阻性隨機存取記憶體裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I330844 \| 專利期間起: 1999/9/21 \| 專利期間訖: 116/05/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 李元仁 \| 高明哲 @ 技術司專利資料集
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I343574 \| 專利期間起: 100/06/11 \| 專利期間訖: 115/03/02 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 李元仁 \| 王連昌 @ 技術司專利資料集
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I337355 \| 專利期間起: 100/02/11 \| 專利期間訖: 116/06/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 陳永祥 @ 技術司專利資料集

含磷化合物及其難燃應用	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195040 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 江孟丹 \| 劉英麟
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196459 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
複材管件結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M 248593 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 莫文偉 \| 卓錫樑 \| 王正煥 \| 孫士璋 \| 葛光祥 \| 黃鼎貴
具傾角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201585 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 盧志勤 \| 章俊文 \| 林進龍 \| 黃茂益
耐高溫微波複合材料之強化方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206626 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 翁炳志 \| 吳宗明 \| 趙樹漢 \| 黃金堂
ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6815519 B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
含多孔導波管之複材厚板結構與製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 221114號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 李昌崙 \| 李錦坤 \| 柯正忠 \| 陳振航
多重複雜斷面之複材導波管及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 224554號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 陳育德 \| 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 施宗仁 \| 陳振航
纖維強化塑膠管件之改良結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 新型第M 251105號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 葛光祥 \| 王正煥 \| 萬瑞華 \| 葉勝雄 \| 陳浩明 \| 林治舜
具斜角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 201585號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 章俊文 \| 黃茂益 \| 林進龍 \| 盧志勤
金屬濺鍍靶材的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第182793號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 李滄曉 \| 陳俊雄 \| 葉建宏 \| 陳李賀 \| 趙勤孝 \| 陳虹樺
含有微量鈧之塊狀鋯基非晶質合金鑄造	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197724號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭榮瑞 \| 林於隆 \| 陳俊雄 \| 許華夫 \| 葉建宏 \| 張忠柄
鎳錸合金電鑄液組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第223010號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳憲明 \| 黃建和 \| 許文榮 \| 詹忠榮
一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第207290號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳鍚侃 \| 朱閔聖 \| 王建義 \| 徐章銓
一種非晶質合金基地結構材料鑄造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第224985號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 林於隆 \| 鄭榮瑞 \| 陳俊雄 \| 葉建宏 \| 張忠柄 \| 游進祥 \| 王漢能

機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

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