一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料所, 產出年度是93, 專利性質是發明, 計畫名稱是功能性材料應用研究發展四年計畫, 專利發明人是吳鍚侃、朱閔聖、王建義、徐章銓, 證書號碼是發明第207290號.

序號	323
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性材料應用研究發展四年計畫
專利發明人	吳鍚侃、朱閔聖、王建義、徐章銓
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	發明第207290號
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種使鈦鋁介金屬表面產生連續TiAl3保護膜的方法，特別適用於改善鈦鋁介金屬高溫氧化抵抗。根據此發明，鈦鋁介金屬可藉著物理氣相沈積法，如濺鍍法、蒸鍍法等，在表面鍍上一層，適當厚度的鋁薄膜，再利用高真空熱處理，使此鋁薄膜變成TiAl3連續介金屬膜，以改善其高溫耐氧化性。此製程可應用於以鈦鋁介金屬為材料，且需在高溫環境使用的元件，如渦輪引擎的葉片、汽車引擎排氣閥等。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	許博淳
電話	03-4712201 ext.35143
傳真	(空)
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)
同步更新日期	2023-07-05

序號

323

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

功能性材料應用研究發展四年計畫

專利發明人

吳鍚侃、朱閔聖、王建義、徐章銓

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

發明第207290號

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種使鈦鋁介金屬表面產生連續TiAl3保護膜的方法，特別適用於改善鈦鋁介金屬高溫氧化抵抗。根據此發明，鈦鋁介金屬可藉著物理氣相沈積法，如濺鍍法、蒸鍍法等，在表面鍍上一層，適當厚度的鋁薄膜，再利用高真空熱處理，使此鋁薄膜變成TiAl3連續介金屬膜，以改善其高溫耐氧化性。此製程可應用於以鈦鋁介金屬為材料，且需在高溫環境使用的元件，如渦輪引擎的葉片、汽車引擎排氣閥等。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

許博淳

電話

03-4712201 ext.35143

傳真

(空)

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

備註

原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 一種利用物理氣相沈積鋁改善γ-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性於經濟部產業技術司–專利資料集

序號	2118
產出年度	95
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種利用物理氣相沈積鋁改善α2-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	功能性材料應用研究發展三年計畫
專利發明人	吳錫侃、朱閔聖、王建義、徐章銓
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	發明第I207408
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種使α2-鈦鋁介金屬表面產生連續TiAl3保護膜的方法，特別適用於改善α2-鈦鋁介金屬高溫氧化抵抗。根據此發明，α2-鈦鋁介金屬可藉著物理氣相沉積法如濺鍍法、蒸鍍法等，在表面鍍上一層適當厚度之鋁薄膜，再利用高真空熱處理，使此鋁薄膜變成TiAl3連續介金屬膜，以改善其高溫氧化性。此製程可以應用於以α2-鈦鋁介金屬為材料且需要在高溫環境使用的元件，如渦輪引擎的葉片、汽車引擎排氣閥及能源、航太工業用零件等。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	徐章銓
電話	03-4712202ext357063
傳真	(03)471-4368
電子信箱	(空)
參考網址	(空)
備註	原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形	(空)

序號: 2118

產出年度: 95

領域別: (空)

專利名稱-中文: 一種利用物理氣相沈積鋁改善α2-鈦鋁介金屬之高溫耐氧化性

執行單位: 中科院材料所

產出單位: (空)

計畫名稱: 功能性材料應用研究發展三年計畫

專利發明人: 吳錫侃、朱閔聖、王建義、徐章銓

核准國家: 中華民國

獲證日期: (空)

證書號碼: 發明第I207408

專利期間起: (空)

專利期間訖: (空)

專利性質: 發明

技術摘要-中文: 一種使α2-鈦鋁介金屬表面產生連續TiAl3保護膜的方法，特別適用於改善α2-鈦鋁介金屬高溫氧化抵抗。根據此發明，α2-鈦鋁介金屬可藉著物理氣相沉積法如濺鍍法、蒸鍍法等，在表面鍍上一層適當厚度之鋁薄膜，再利用高真空熱處理，使此鋁薄膜變成TiAl3連續介金屬膜，以改善其高溫氧化性。此製程可以應用於以α2-鈦鋁介金屬為材料且需要在高溫環境使用的元件，如渦輪引擎的葉片、汽車引擎排氣閥及能源、航太工業用零件等。

技術摘要-英文: (空)

聯絡人員: 徐章銓

電話: 03-4712202ext357063

傳真: (03)471-4368

電子信箱: (空)

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備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化

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以矽為基材之微機電射頻開關製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤 \| 證書號碼: 220142
覆晶構裝接合結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋 \| 證書號碼: 222725
於基板上形成空間支撐物的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君 \| 證書號碼: 223307
具內藏電容之基板結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美 \| 證書號碼: 205395
塑膠基板彩色濾光片製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓 \| 證書號碼: 206792
熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 \| 證書號碼: 220305
液晶顯示器製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 \| 證書號碼: 223113
電泳顯示器之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 \| 證書號碼: 203568
薄膜電晶體陣列製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源 \| 證書號碼: 220534
導電薄膜形成的方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源 \| 證書號碼: 220770
可撓式面板之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟 \| 證書號碼: 206791
薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬 \| 證書號碼: 221341
複合凸塊的接合結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞 \| 證書號碼: 223363
高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文 \| 證書號碼: 200444
液晶顯示器之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安 \| 證書號碼: 206803

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產出年度

領域別

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執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

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證書號碼

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專利期間訖

專利性質

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