多晶片堆疊結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多晶片堆疊結構的核准國家是美國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是102, 專利性質是發明, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是蘇耿立 ,賴信吉 ,林志昇 ,林哲輝, 證書號碼是8581419.

序號12072
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文多晶片堆疊結構
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人蘇耿立 ,賴信吉 ,林志昇 ,林哲輝
核准國家美國
獲證日期102/12/05
證書號碼8581419
專利期間起102/11/12
專利期間訖120/09/19
專利性質發明
技術摘要-中文一種多晶片堆疊結構，此結構包括第一晶片、第二晶片、遮蔽層以及多個導電凸塊。第二晶片堆疊於第一晶片上。第二晶片具有多個矽貫通電極結構以傳導一參考電壓。所述遮蔽層與所述多個導電凸塊配置於第一晶片與第二晶片之間，並電性連接所述多個矽貫通電極結構。所述遮蔽層可以於相鄰兩晶片之間隔離雜訊以及改善訊號耦合。再者，此遮蔽層可以作為二晶片間的散熱層。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

12072

產出年度

102

領域別

電資通光

專利名稱-中文

多晶片堆疊結構

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

蘇耿立 ,賴信吉 ,林志昇 ,林哲輝

核准國家

美國

獲證日期

102/12/05

證書號碼

8581419

專利期間起

102/11/12

專利期間訖

120/09/19

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種多晶片堆疊結構，此結構包括第一晶片、第二晶片、遮蔽層以及多個導電凸塊。第二晶片堆疊於第一晶片上。第二晶片具有多個矽貫通電極結構以傳導一參考電壓。所述遮蔽層與所述多個導電凸塊配置於第一晶片與第二晶片之間，並電性連接所述多個矽貫通電極結構。所述遮蔽層可以於相鄰兩晶片之間隔離雜訊以及改善訊號耦合。再者，此遮蔽層可以作為二晶片間的散熱層。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

tephen.chung@itri.org.tw

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(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2023-07-05

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# 多晶片堆疊結構 於 經濟部產業技術司–專利資料集

序號893
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼220305
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構，其係應用在多晶片堆疊整合技術中，其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片，而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構，另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱，本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置，且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板，因此晶片產生的熱，直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散，提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間，而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程，故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員溫國城
電話03-5915654
傳真03-5820412
電子信箱kcwen@itri.org.tw
參考網址www.itri.org.tw
備註原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形(空)
序號: 893
產出年度: 93
領域別: (空)
專利名稱-中文: 熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫
專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 220305
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種具有熱傳增益效果之三維晶片堆疊構裝架構，其係應用在多晶片堆疊整合技術中，其上層晶片係以穿孔構裝方式電性連接至下層晶片，而底層晶片可以同樣之穿孔構裝方式電性耦接至基板以形成一多晶片堆疊結構，另有一導熱增益結構於該多晶片堆疊結構旁用以導熱，本架構之特點在於至少一晶片有一導熱部件與該晶片形成一導熱性接觸以導熱至一導熱裝置，且多晶片堆疊結構係經由晶片穿孔一次構裝電性連接至基板，因此晶片產生的熱，直接經由該導熱部件至該導熱裝置而逸散，提供更高的散熱效能且不佔據多晶片堆疊空間，而穿孔一次構裝提供簡單之製作流程，故可有散熱性佳、構裝尺寸小及製造簡單等優點。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 溫國城
電話: 03-5915654
傳真: 03-5820412
電子信箱: kcwen@itri.org.tw
參考網址: www.itri.org.tw
備註: 原領域別為材料化工，95年改為生醫材化
特殊情形: (空)
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# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號7016
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/06/03
證書號碼ZL200610058803.8
專利期間起99/05/12
專利期間訖115/03/03
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7016
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取存儲器的磁矩的方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,高明哲 ,李元仁 ,王連昌 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/06/03
證書號碼: ZL200610058803.8
專利期間起: 99/05/12
專利期間訖: 115/03/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號7018
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家中華民國
獲證日期99/03/03
證書號碼I320929
專利期間起99/02/21
專利期間訖115/04/17
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7018
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性記憶胞的結構、存取方法以及磁性記憶體電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家: 中華民國
獲證日期: 99/03/03
證書號碼: I320929
專利期間起: 99/02/21
專利期間訖: 115/04/17
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
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備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 3

序號12043
產出年度102
領域別電資通光
專利名稱-中文機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏
核准國家美國
獲證日期102/04/22
證書號碼8,397,584
專利期間起102/03/19
專利期間訖120/03/06
專利性質發明
技術摘要-中文一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 12043
產出年度: 102
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人: 謝明哲 ,劉漢誠 ,譚瑞敏
核准國家: 美國
獲證日期: 102/04/22
證書號碼: 8,397,584
專利期間起: 102/03/19
專利期間訖: 120/03/06
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 一種機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法。製造方法包括下列步驟。提供一待測物。待測物包括一晶圓、一絕緣層與多個導電柱。晶圓包括多個晶片區。晶圓的表面具有多個第一與第二盲孔。第一盲孔位於晶片區外，第二盲孔位於晶片區內。絕緣層覆蓋晶圓的表面及第一與第二盲孔的孔壁。導電柱填充於第一與第二盲孔內，且絕緣層位於導電柱與第一盲孔的孔壁及第二盲孔的孔壁之間。進行一機械強度測試，以測試絕緣層、導電柱與第一盲孔的孔壁之間的結合強度。在合格通過機械強度測試後，將晶片區的導電柱電性連接一元件。
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 4

序號7015
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁阻式記憶陣列
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 ,
核准國家日本
獲證日期99/03/01
證書號碼4448485
專利期間起99/01/29
專利期間訖114/10/30
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7015
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁阻式記憶陣列
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 陳啟明 ,洪建中 ,陳永祥 ,王連昌 ,
核准國家: 日本
獲證日期: 99/03/01
證書號碼: 4448485
專利期間起: 99/01/29
專利期間訖: 114/10/30
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 5

序號7017
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/03/22
證書號碼ZL200610084560.5
專利期間起99/01/27
專利期間訖115/05/24
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7017
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性存儲單元的結構、存取方法以及磁性存儲器電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,高明哲 ,李元仁 ,王泳弘 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/03/22
證書號碼: ZL200610084560.5
專利期間起: 99/01/27
專利期間訖: 115/05/24
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 6

序號7019
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文讀?放大器
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 ,
核准國家中國大陸
獲證日期99/06/07
證書號碼ZL200610071485.9
專利期間起99/05/12
專利期間訖115/03/23
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7019
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 讀?放大器
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 張嘉伯 ,林志昇 ,蘇耿立 ,
核准國家: 中國大陸
獲證日期: 99/06/07
證書號碼: ZL200610071485.9
專利期間起: 99/05/12
專利期間訖: 115/03/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 7

序號7020
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人洪建中 ,李元仁 ,高明哲 ,
核准國家美國
獲證日期99/03/02
證書號碼7,577,017
專利期間起98/08/18
專利期間訖115/10/16
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7020
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 高帶寬磁阻隨機存取記憶體裝置及其操作方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 洪建中 ,李元仁 ,高明哲 ,
核准國家: 美國
獲證日期: 99/03/02
證書號碼: 7,577,017
專利期間起: 98/08/18
專利期間訖: 115/10/16
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5912777 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號7022
產出年度99
領域別電資通光
專利名稱-中文磁性記憶體之資料讀取電路
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人陳永祥 ,王丁勇 ,
核准國家美國
獲證日期99/07/02
證書號碼7,646,635
專利期間起99/01/12
專利期間訖117/08/03
專利性質發明
技術摘要-中文.
技術摘要-英文(空)
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 7022
產出年度: 99
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 磁性記憶體之資料讀取電路
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫
專利發明人: 陳永祥 ,王丁勇 ,
核准國家: 美國
獲證日期: 99/07/02
證書號碼: 7,646,635
專利期間起: 99/01/12
專利期間訖: 117/08/03
專利性質: 發明
技術摘要-中文: .
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)
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與多晶片堆疊結構同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 192752

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 6813138

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 | 證書號碼: 223446

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 | 證書號碼: 206598

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 | 證書號碼: 206589

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

埋藏式電容結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 192752

埋藏式電容結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 魏培森, 翁卿亮, 吳俊昆, 陳昌昇 | 證書號碼: 6813138

超薄基極矽/矽鍺異質結構雙載子電晶體的製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 賴理學, 陳邦旭, 陸新起, 劉致為 | 證書號碼: 223446

具有不同預傾角架構之半反射半穿透顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 翁逸君, 劉康弘, 范揚宜 | 證書號碼: 206598

橫向驅動電場之廣視角液晶顯示器及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 賴志明, 范揚宜, 許家榮, 陳慶逸 | 證書號碼: 206589

測試蝕刻速率的結構及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 王欽宏, 梁兆鈞, 陳玉華 | 證書號碼: 197248

微通道流體導引元件

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 188284

微通道流體導引元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 夏廷魁, 吳志文, 姚南光, 龐紹華, 郭遠峰 | 證書號碼: 6725882

薄膜電晶體的結構、其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 林炯暐, 葉永輝 | 證書號碼: 198288

移位暫存器單元及其所組成之移位暫存器電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 施俊任, 陳尚立, 王博文, 林展瑞 | 證書號碼: 220255

電容屏蔽結構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 卓威明, 陳昌昇, 吳俊昆, 魏培森, 翁卿亮, 賴穎俊 | 證書號碼: 192543

溝槽式金氧半電晶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 許志維, 李永忠, 潘宗銘, 卓言 | 證書號碼: 202861

有機元件、形成具有分子排列之有機半導體層的方法、以及形成有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 周維揚, 鄭弘隆, 賴志明, 廖奇璋 | 證書號碼: 200178

直下式背光模組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 詹景翔, 蕭名君, 劉康弘, 林偉義 | 證書號碼: 200905

高密度磁性隨機存取記憶體

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 洪建中, 高明哲, 潘宗銘 | 證書號碼: 198431

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