觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I402740, 專利期間起是102/07/21, 專利期間訖是119/04/18, 專利性質是發明, 執行單位是工研院南分院, 產出年度是102, 計畫名稱是南部新興產業發展關鍵技術計畫, 專利發明人是葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠.

序號12758
產出年度102
領域別機械運輸
專利名稱-中文觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法
執行單位工研院南分院
產出單位工研院南分院
計畫名稱南部新興產業發展關鍵技術計畫
專利發明人葉紹興 | 郭乃豪 | 沈煜棠
核准國家中華民國
獲證日期102/07/29
證書號碼I402740
專利期間起102/07/21
專利期間訖119/04/18
專利性質發明
技術摘要-中文一種觸壓裝置、透明掃描電極及其幾何電極結構製造方法。透明掃描電極結構包括第一透明掃描電極、第二透明掃描電極及絕緣層。第一透明掃描電極包括低電阻區及高電阻區。高電阻區之電阻值係大於低電阻區。絕緣層係位於第一透明掃描電極及第二透明掃描電極之間。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址http://www.patentportfolio.itri.org.tw
備註(空)
特殊情形(空)

序號

12758

產出年度

102

領域別

機械運輸

專利名稱-中文

觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

執行單位

工研院南分院

產出單位

工研院南分院

計畫名稱

南部新興產業發展關鍵技術計畫

專利發明人

葉紹興 | 郭乃豪 | 沈煜棠

核准國家

中華民國

獲證日期

102/07/29

證書號碼

I402740

專利期間起

102/07/21

專利期間訖

119/04/18

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種觸壓裝置、透明掃描電極及其幾何電極結構製造方法。透明掃描電極結構包括第一透明掃描電極、第二透明掃描電極及絕緣層。第一透明掃描電極包括低電阻區及高電阻區。高電阻區之電阻值係大於低電阻區。絕緣層係位於第一透明掃描電極及第二透明掃描電極之間。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

http://www.patentportfolio.itri.org.tw

備註

(空)

特殊情形

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010223129.0 | 專利期間起: 101/10/10 | 專利期間訖: 119/07/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興,郭乃豪,沈煜棠

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,558,722 | 專利期間起: 102/10/15 | 專利期間訖: 120/09/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8558722 | 專利期間起: 102/10/15 | 專利期間訖: 120/09/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010223129.0 | 專利期間起: 101/10/10 | 專利期間訖: 119/07/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興,郭乃豪,沈煜棠

@ 技術司專利資料集

觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,558,722 | 專利期間起: 102/10/15 | 專利期間訖: 120/09/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠

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觸壓裝置、透明掃描電極及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8558722 | 專利期間起: 102/10/15 | 專利期間訖: 120/09/12 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 南部新興產業發展關鍵技術計畫 | 專利發明人: 葉紹興 ,郭乃豪 ,沈煜棠

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 ,

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 ,

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民

@ 技術司專利資料集

感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興

@ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道

@ 技術司專利資料集

照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開

@ 技術司專利資料集

Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐

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塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

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液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206803 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安

半導體光電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為

半導體光電晶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6759694 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為

形成多晶矽薄膜電晶體之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224868 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠

具內藏電容之基板結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 205395 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美

塑膠基板彩色濾光片製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206792 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓

熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223113 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 203568 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生

薄膜電晶體陣列製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220534 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源

導電薄膜形成的方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220770 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源

可撓式面板之製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206791 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟

薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 221341 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬

複合凸塊的接合結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223363 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞

高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200444 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文

液晶顯示器之製作方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206803 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安

半導體光電晶體

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 222219 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為

半導體光電晶體

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6759694 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為

形成多晶矽薄膜電晶體之方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224868 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠

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