溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是8835935, 專利期間起是121/07/21, 專利期間訖是一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一型漂移區中具有至少一深溝槽，且第二型深溝槽摻雜區位於深溝槽內。溝槽式閘極貫穿第二型磊晶區，且溝槽式閘..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英.

序號	13413
產出年度	103
領域別	服務創新
專利名稱-中文	溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英
核准國家	美國
獲證日期	103/09/16
證書號碼	8835935
專利期間起	121/07/21
專利期間訖	一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一型漂移區中具有至少一深溝槽，且第二型深溝槽摻雜區位於深溝槽內。溝槽式閘極貫穿第二型磊晶區，且溝槽式閘極之底部與第二型深溝槽摻雜區之底部之間的距離為0.5～3微米。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一型漂移區中具有至少一深溝槽，且第二型深溝槽摻雜區位於深溝槽內。溝槽式閘極貫穿第二型磊晶區，且溝槽式閘極之底部與第二型深溝槽摻雜區之底部之間的距離為0.5～3微米。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5918064
傳真	03-5917683
電子信箱	noralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

13413

產出年度

103

領域別

服務創新

專利名稱-中文

溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

洪建中 | 陳永祥 | 顏誠廷 | 李傳英

核准國家

美國

獲證日期

103/09/16

證書號碼

8835935

專利期間起

121/07/21

專利期間訖

一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一型漂移區中具有至少一深溝槽，且第二型深溝槽摻雜區位於深溝槽內。溝槽式閘極貫穿第二型磊晶區，且溝槽式閘極之底部與第二型深溝槽摻雜區之底部之間的距離為0.5～3微米。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5918064

傳真

03-5917683

電子信箱

noralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

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碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8766279 \| 專利期間起: 122/01/08 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種碳化矽溝槽式蕭基能障元件，其包括：一碳化矽半導體基板，具有上表面及下表面；一第一接觸金屬，形成於該碳化矽半導體基板的下表面，並形成歐姆接觸；一碳化矽半導體飄移層，形成於該碳化矽半導體基板... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I469341 \| 專利期間起: 104/01/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521718 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,209,293 \| 專利期間起: 104/12/08 \| 專利期間訖: 122/05/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
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毫微型基地台中具有應用層閘道支援網路位址轉換的區域網際網路通訊協定存取系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I431995 \| 專利期間起: 120/03/17 \| 專利期間訖: 一種在毫微型基地台中具有應用層閘道支援網路位址轉換的區域IP存取的方法，允許經由家用e節點或其它毫微型基地台種類而連結的，並且具有IP能力的使用者設備來使用區域IP存取，以與相同IP網路之其它具有IP... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 葛達 ,楊人順 ,王瑞堂 ,Shubhranshu Singh ,黃貴笠 @ 技術司專利資料集
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非接觸式擾動感測裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8665098 \| 專利期間起: 119/09/19 \| 專利期間訖: 一種非接觸式擾動感測裝置包括：至少一接收天線，用以接收一第一無線射頻信號；至少一發射天線，用以發射一第二無線射頻信號至一待測對象，該待測對象反射該第二無線射頻信號成為該第一無線射頻信號；一壓控振盪器，... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 趙哲寬 ,吳秉勳 @ 技術司專利資料集
組播廣播服務區域裡可靠同步裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I432062 \| 專利期間起: 118/11/12 \| 專利期間訖: 一種組播廣播服務區域裡可靠同步裝置，此組播廣播服務區域之m個同步執行器分屬n個重傳區，每一重傳區中，選出一領導同步執行器，其餘是組員同步執行器。此裝置包含一同步控制器及此n個選出的領導同步執行器，當同... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭維翰 ,劉家隆 ,王瑞堂 ,楊人順 @ 技術司專利資料集
認證方法、金鑰分配方法及認證與金鑰分配方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I432040 \| 專利期間起: 120/05/16 \| 專利期間訖: 本揭露提供一種認證方法、金鑰分配方法以及認證與金鑰分配方法。所述方法適用於機器對機器通信，且包括以下步驟。至少一行動台傳送包括至少一第一安全認證資料的應用程式要求至一網路應用實體，而此第一安全認證資料... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 王瑞堂 ,黃貴笠 ,Shubhranshu Singh ,葛達 ,楊人順 @ 技術司專利資料集
注入鎖定除頻器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I431943 \| 專利期間起: 119/07/19 \| 專利期間訖: 一種注入鎖定除頻器，包括注入電晶體、振盪器、電流源，以及變壓器。其中，注入電晶體用以接收一注入訊號。振盪器用以對所述注入訊號進行除頻而產生一除頻訊號。電流源耦接振盪器，用以提供一電流給振盪器。變壓器耦... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張鴻埜 ,葉彥良 ,張家宏 ,陳俊仁 @ 技術司專利資料集

控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6750834 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁
奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6811457 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6683781 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6670224 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692902 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6692791 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6656772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋
使用非導電性接著劑以接合IC晶片與基板之方法及其組裝結構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6605491 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 謝有德, 張世明, 林文迪
可調式電容及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185849 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和
具有偏射型對稱式加熱片之微型噴液產生器及其製造方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3533205 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 林俊仁, 陳仲竹
具有螺旋形導電層之漩渦狀微結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223402 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184677 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝
懸臂式測試卡及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6651325 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李政鴻, 李新立, 陳宜孝
矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184681 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟
3D堆疊封裝散熱模組	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6700783 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰

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