多階記憶胞及其製造方法
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專利名稱-中文多階記憶胞及其製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是I441367, 專利期間起是117/10/23, 專利期間訖是一種多階記憶胞，其具有一下電極、一第一介電層、多層記憶材料層、多層第二介電層與一上電極，其中該下電極設置於該基底中。而該第一介電層設置於該基底上，且該第一介電層具有一開口暴露該下電極。多層記憶材料層層疊於該開口所暴露的第一介電層的側壁，並電性連接該下電極。多層第二介電層分別設置於多層記憶材料層中相鄰..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是103, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是許雁雅 ,陳志偉.

序號	14030
產出年度	103
領域別	智慧科技
專利名稱-中文	多階記憶胞及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人	許雁雅 \| 陳志偉
核准國家	中華民國
獲證日期	103/06/11
證書號碼	I441367
專利期間起	117/10/23
專利期間訖	一種多階記憶胞，其具有一下電極、一第一介電層、多層記憶材料層、多層第二介電層與一上電極，其中該下電極設置於該基底中。而該第一介電層設置於該基底上，且該第一介電層具有一開口暴露該下電極。多層記憶材料層層疊於該開口所暴露的第一介電層的側壁，並電性連接該下電極。多層第二介電層分別設置於多層記憶材料層中相鄰的各記憶材料層之間，且位於該開口所暴露的第一介電層的側壁上。該上電極設置於多層記憶材料層上。本發明包括有一多階記憶胞的製造方法。因此，本發明可在單一記憶胞中儲存多位元資料，且可簡化製程，降低成本。
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種多階記憶胞，其具有一下電極、一第一介電層、多層記憶材料層、多層第二介電層與一上電極，其中該下電極設置於該基底中。而該第一介電層設置於該基底上，且該第一介電層具有一開口暴露該下電極。多層記憶材料層層疊於該開口所暴露的第一介電層的側壁，並電性連接該下電極。多層第二介電層分別設置於多層記憶材料層中相鄰的各記憶材料層之間，且位於該開口所暴露的第一介電層的側壁上。該上電極設置於多層記憶材料層上。本發明包括有一多階記憶胞的製造方法。因此，本發明可在單一記憶胞中儲存多位元資料，且可簡化製程，降低成本。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	鍾佩翰
電話	03-5912777
傳真	03-5917690
電子信箱	stephen.chung@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14030

產出年度

103

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

多階記憶胞及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

許雁雅 | 陳志偉

核准國家

中華民國

獲證日期

103/06/11

證書號碼

I441367

專利期間起

117/10/23

專利期間訖

一種多階記憶胞，其具有一下電極、一第一介電層、多層記憶材料層、多層第二介電層與一上電極，其中該下電極設置於該基底中。而該第一介電層設置於該基底上，且該第一介電層具有一開口暴露該下電極。多層記憶材料層層疊於該開口所暴露的第一介電層的側壁，並電性連接該下電極。多層第二介電層分別設置於多層記憶材料層中相鄰的各記憶材料層之間，且位於該開口所暴露的第一介電層的側壁上。該上電極設置於多層記憶材料層上。本發明包括有一多階記憶胞的製造方法。因此，本發明可在單一記憶胞中儲存多位元資料，且可簡化製程，降低成本。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

鍾佩翰

電話

03-5912777

傳真

03-5917690

電子信箱

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多階記憶胞及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8067766 \| 專利期間起: 100/11/29 \| 專利期間訖: 118/04/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: 許雁雅 \| 陳志偉 @ 技術司專利資料集

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機械強度測試設備、半導體裝置的製造方法與測試方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8397584 \| 專利期間起: 102/03/19 \| 專利期間訖: 120/03/06 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 謝明哲 \| 劉漢誠 \| 譚瑞敏 @ 技術司專利資料集
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多階記憶胞及其製造方法 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

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專利名稱-中文

執行單位

產出單位

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