一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法
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專利名稱-中文一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是發明第I427088號, 專利期間起是119/12/14, 專利期間訖是本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液..., 專利性質是發明, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 計畫名稱是高階稀有綠能材料應用研究發展計畫, 專利發明人是陳彥仲、張智凱、施修正、黃宏芳、簡邱堂、葛明德.

序號	14576
產出年度	103
領域別	綠能科技
專利名稱-中文	一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法
執行單位	中科院材料暨光電研究所
產出單位	中科院材料暨光電研究所
計畫名稱	高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人	陳彥仲 \| 張智凱 \| 施修正 \| 黃宏芳 \| 簡邱堂 \| 葛明德
核准國家	中華民國
獲證日期	103/02/21
證書號碼	發明第I427088號
專利期間起	119/12/14
專利期間訖	本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	陳彥仲
電話	03-4712201#357248
傳真	03-4714368
電子信箱	kungcarothers@gmail.com
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

14576

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

高階稀有綠能材料應用研究發展計畫

專利發明人

陳彥仲 | 張智凱 | 施修正 | 黃宏芳 | 簡邱堂 | 葛明德

核准國家

中華民國

獲證日期

103/02/21

證書號碼

發明第I427088號

專利期間起

119/12/14

專利期間訖

本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。

專利性質

發明

技術摘要-中文

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳彥仲

電話

03-4712201#357248

傳真

03-4714368

電子信箱

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導電粒子	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 粒徑3微米，Ni-Au鍍層厚度≦300nm，核為高分子微球，體積電阻≦0.005Ωcm \| 潛力預估: 極大 @ 技術司可移轉技術資料集
懸臂樑探針卡結構製作技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 97 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸臂樑探針寬度：60μm；懸臂樑探針間距：40μm；懸臂樑探針長度＞115μm；凸塊高度：45μm \| 潛力預估: 高積極度、高密度、高腳數及系統晶片的測試 @ 技術司可移轉技術資料集
擴散粒子	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 粒徑100~200奈米、1~2微米、2~5微米及3~17微米，耐溶劑 \| 潛力預估: 極大 @ 技術司可移轉技術資料集
銦回收純化技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銦純度：99.999% \| 潛力預估: 極大 @ 技術司可移轉技術資料集
電子零件的鉭金屬回收之研究	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 38077;用料純度95~99％" \| 潛力預估: 可作為合金材料、靶材或醫療等材料 @ 技術司可移轉技術資料集
觸媒轉化器貴金屬回收之研究	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 鈀純度：99.5%，鉑純度：99.5% \| 潛力預估: 極大 @ 技術司可移轉技術資料集
高純度銦回收及再資源化技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 銦(In)純度≧99.9999%、銦回收率≧92 %、貴金屬吸附劑粒子 \| 潛力預估: 極大 @ 技術司可移轉技術資料集
具非均勻磁場強度之金屬件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 304843號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 黃建和 \| 許文榮 \| 黎俊驛 \| 施修正 \| 黃宏芳 @ 技術司專利資料集

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光加取多工器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,661,944 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林士強 \| 周維仁 \| 江行健 \| 吳俊雄
具有三端口的光學循環器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL01109959.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 胡杰 \| 黃承彬 \| 廖浚男
表面層以複合材料CaF2和TiO2所構成且具撥水功能之光學鍍膜元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I223009 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 蔡榮源 \| 林浪津 \| 崋沐怡
分佈回饋式(DFB)半導體雷射及其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194417 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 余昱辰 \| 郭宗南 \| 潘彥廷
光盤承載裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00129763.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 黃偉煜
動態減震系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206772 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 楊志軒 \| 謝政揚 \| 黃振源 \| 張啟伸
聲光布拉格衍射式多光束光學讀寫頭	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00108097.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 朱良謙 \| 張志吉
可調整的鏡群裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195758 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 涂銀發 \| 姜皇成 \| 陳志文 \| 張耿智
雙軸向調變影像放大倍率的形狀測定裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林明慧 \| 劉通發
環場影像接圖器及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,923 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 謝君偉 \| 江政欽 \| 魏德樂
取紙傳動模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 215325 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 林智堅 \| 陳英棋 \| 鄭兆凱 \| 張惠珍
噴墨印頭的封裝方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98106298.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 藍元亮 \| 吳義勇 \| 邱紹玲 \| 劉克明 \| 鄭淑娟
噴墨印頭結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98116196.0 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇 \| 胡紀平 \| 賴怡絢 \| 莊育洪 \| 王介文
墨水通道設計	核准國家: 德國 \| 證書號碼: 19914700 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 吳義勇 \| 胡紀平 \| 賴怡絢 \| 莊育洪 \| 王介文
墨水通道製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL98115179.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 專利發明人: 王介文 \| 吳義勇 \| 胡鴻烈 \| 李明玲

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