一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是中科院材料暨光電研究所, 產出年度是103, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階稀有綠能材料應用研究發展計畫, 專利發明人是陳彥仲、張智凱、施修正、黃宏芳、簡邱堂、葛明德, 證書號碼是發明第I427088號.

序號14576
產出年度103
領域別綠能科技
專利名稱-中文一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法
執行單位中科院材料暨光電研究所
產出單位中科院材料暨光電研究所
計畫名稱高階稀有綠能材料應用研究發展計畫
專利發明人陳彥仲、張智凱、施修正、黃宏芳、簡邱堂、葛明德
核准國家中華民國
獲證日期103/02/21
證書號碼發明第I427088號
專利期間起119/12/14
專利期間訖本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。
專利性質發明
技術摘要-中文本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201#357248
傳真03-4714368
電子信箱kungcarothers@gmail.com
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2023-07-05

序號

14576

產出年度

103

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法

執行單位

中科院材料暨光電研究所

產出單位

中科院材料暨光電研究所

計畫名稱

高階稀有綠能材料應用研究發展計畫

專利發明人

陳彥仲、張智凱、施修正、黃宏芳、簡邱堂、葛明德

核准國家

中華民國

獲證日期

103/02/21

證書號碼

發明第I427088號

專利期間起

119/12/14

專利期間訖

本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係揭露一種合成奈米級聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子的製備方法，包含下列步驟：(a)將甲基丙烯酸甲酯(MMA)單體與溶劑混合以製備甲基丙烯酸甲酯溶液；(b)將起始劑加入至甲基丙烯酸甲酯單體溶液中；(c)對包含起始劑之甲基丙烯酸甲酯溶液利用微波反應器進行微波反應；(d)導致甲基丙烯酸甲酯單體溶液生成聚甲基丙烯酸甲酯粒子(PMMA)溶液；(e)聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子溶液進行固液分離步驟程序以得到複數個粒子。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳彥仲

電話

03-4712201#357248

傳真

03-4714368

電子信箱

kungcarothers@gmail.com

參考網址

(空)

備註

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特殊情形

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同步更新日期

2023-07-05

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# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號3197
產出年度98
技術名稱-中文導電粒子
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文Ni-Au導電粒子可應用於異方性導電膠膜(ACF)
技術現況敘述-英文(空)
技術規格粒徑3微米，Ni-Au鍍層厚度≦300nm，核為高分子微球，體積電阻≦0.005Ωcm
技術成熟度試量產
可應用範圍實驗室規模(但可配合規劃量產)
潛力預估極大
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201-357248
傳真03-4712201-357248
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備極大
需具備之專業人才無電鍍合成相關專長
序號: 3197
產出年度: 98
技術名稱-中文: 導電粒子
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: Ni-Au導電粒子可應用於異方性導電膠膜(ACF)
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 粒徑3微米，Ni-Au鍍層厚度≦300nm，核為高分子微球，體積電阻≦0.005Ωcm
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 實驗室規模(但可配合規劃量產)
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳彥仲
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4712201-357248
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 極大
需具備之專業人才: 無電鍍合成相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號2821
產出年度97
技術名稱-中文懸臂樑探針卡結構製作技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文傳統測試技術對於晶片尺寸縮小及高頻測試要求會產生製作上的瓶頸，而以微機電技術製作的探針，因具有輕、薄、短、小、便宜且可批量製造的優點。本案採用微機電製程技術製作懸臂樑探針，懸臂樑探針具有微彈簧的特性，在測試過程能夠安全碰觸晶圓電極，不會產生傳統探針損害電極而造成測試失效，且懸臂樑探針結構之前端具有凸塊，該凸塊外形尖銳且硬度高，可刺穿晶片電極表面之氧化物進行檢測，有效提升檢測的精確度。 (環國科技等廠商參與技術專屬授權)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格懸臂樑探針寬度：60μm； 懸臂樑探針間距：40μm； 懸臂樑探針長度＞115μm； 凸塊高度：45μm
技術成熟度試量產
可應用範圍晶圓針測、全速(高頻率)與預燒測試
潛力預估高積極度、高密度、高腳數及系統晶片的測試
聯絡人員蔡登宏
電話03-4712201#357248
傳真03-4711024
電子信箱csist@csistdup.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備黃光、電鑄、蝕刻、氣相沉積與濺鍍等設備
需具備之專業人才微機電相關領域
序號: 2821
產出年度: 97
技術名稱-中文: 懸臂樑探針卡結構製作技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 傳統測試技術對於晶片尺寸縮小及高頻測試要求會產生製作上的瓶頸，而以微機電技術製作的探針，因具有輕、薄、短、小、便宜且可批量製造的優點。本案採用微機電製程技術製作懸臂樑探針，懸臂樑探針具有微彈簧的特性，在測試過程能夠安全碰觸晶圓電極，不會產生傳統探針損害電極而造成測試失效，且懸臂樑探針結構之前端具有凸塊，該凸塊外形尖銳且硬度高，可刺穿晶片電極表面之氧化物進行檢測，有效提升檢測的精確度。 (環國科技等廠商參與技術專屬授權)。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 懸臂樑探針寬度：60μm； 懸臂樑探針間距：40μm； 懸臂樑探針長度＞115μm； 凸塊高度：45μm
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 晶圓針測、全速(高頻率)與預燒測試
潛力預估: 高積極度、高密度、高腳數及系統晶片的測試
聯絡人員: 蔡登宏
電話: 03-4712201#357248
傳真: 03-4711024
電子信箱: csist@csistdup.org.tw
參考網址: (空)
所須軟硬體設備: 黃光、電鑄、蝕刻、氣相沉積與濺鍍等設備
需具備之專業人才: 微機電相關領域

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號3120
產出年度98
技術名稱-中文擴散粒子
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文自行合成PMMA微球可作擴散粒子
技術現況敘述-英文(空)
技術規格粒徑100~200奈米、1~2微米、2~5微米及3~17微米，耐溶劑
技術成熟度試量產
可應用範圍擴散膜或其他
潛力預估極大
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201-357248
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才聚合物合成相關專長
序號: 3120
產出年度: 98
技術名稱-中文: 擴散粒子
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 自行合成PMMA微球可作擴散粒子
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 粒徑100~200奈米、1~2微米、2~5微米及3~17微米，耐溶劑
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 擴散膜或其他
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳彥仲
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4714368
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才: 聚合物合成相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號3121
產出年度98
技術名稱-中文銦回收純化技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用多元化技術，將電子產業廢水中的銦回收純化
技術現況敘述-英文(空)
技術規格銦純度：99.999%
技術成熟度試量產
可應用範圍高純度銦可為靶材原物料或其他領域再利用
潛力預估極大
聯絡人員陳麗娟
電話03-4712201-357248
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才電化學/化學/材料相關專長
序號: 3121
產出年度: 98
技術名稱-中文: 銦回收純化技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用多元化技術，將電子產業廢水中的銦回收純化
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 銦純度：99.999%
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 高純度銦可為靶材原物料或其他領域再利用
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳麗娟
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4714368
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才: 電化學/化學/材料相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號3122
產出年度98
技術名稱-中文電子零件的鉭金屬回收之研究
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文將電子零件的鉭金屬有效分離供再利用
技術現況敘述-英文(空)
技術規格38077;用料純度95~99％"
技術成熟度試量產
可應用範圍38077;可作為合金材料、靶材或醫療等材料
潛力預估極大
聯絡人員陳麗娟
電話03-4712201-357248
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才電化學/化學/材料相關專長
序號: 3122
產出年度: 98
技術名稱-中文: 電子零件的鉭金屬回收之研究
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 將電子零件的鉭金屬有效分離供再利用
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 38077;用料純度95~99％"
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 38077;可作為合金材料、靶材或醫療等材料
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳麗娟
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4714368
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才: 電化學/化學/材料相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號3200
產出年度98
技術名稱-中文觸媒轉化器貴金屬回收之研究
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用觸媒轉化器貴金屬回收純化再利用
技術現況敘述-英文(空)
技術規格鈀純度：99.5%，鉑純度：99.5%
技術成熟度試量產
可應用範圍高純度鈀及鉑可為觸媒領域再利用
潛力預估極大
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201-357248
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才電化學/化學/材料相關專長
序號: 3200
產出年度: 98
技術名稱-中文: 觸媒轉化器貴金屬回收之研究
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用觸媒轉化器貴金屬回收純化再利用
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 鈀純度：99.5%，鉑純度：99.5%
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 高純度鈀及鉑可為觸媒領域再利用
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳彥仲
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4714368
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才: 電化學/化學/材料相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號4242
產出年度99
技術名稱-中文高純度銦回收及再資源化技術
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用多元化技術，將電子產業廢水中的銦回收純化
技術現況敘述-英文(空)
技術規格銦(In)純度≧99.9999%、銦回收率≧92 %、貴金屬吸附劑粒子
技術成熟度量產
可應用範圍平面顯示器、半導體等產業
潛力預估極大
聯絡人員陳麗娟
電話03-4712201-357248
傳真03-4714368
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
參考網址無
所須軟硬體設備配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才電化學/化學/材料相關專長
序號: 4242
產出年度: 99
技術名稱-中文: 高純度銦回收及再資源化技術
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用多元化技術，將電子產業廢水中的銦回收純化
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 銦(In)純度≧99.9999%、銦回收率≧92 %、貴金屬吸附劑粒子
技術成熟度: 量產
可應用範圍: 平面顯示器、半導體等產業
潛力預估: 極大
聯絡人員: 陳麗娟
電話: 03-4712201-357248
傳真: 03-4714368
電子信箱: hohh@csnet.gov.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 配合規劃量產需另建置設備
需具備之專業人才: 電化學/化學/材料相關專長

# 03-4712201 357248 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 8

序號6076
產出年度98
領域別(空)
專利名稱-中文具非均勻磁場強度之金屬件之製造方法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱特用金屬材料應用研究發展三年計畫
專利發明人黃建和、許文榮、黎俊驛、施修正、黃宏芳
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼發明第I 304843號
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文利用鋁或鋁合金的陽極處理獲取之多孔性氧化膜作為電鑄磁性金屬件的模版，使電鑄的金屬之一面或部分面上具有奈米金屬線的結構，此奈米金屬線的深寬比除了由陽極處理之電解條件與電解質決定外，也由陽極處理後的擴孔條件加以控制，較高深寬比的磁性金屬奈米線有較高的磁場強度，所以使電鑄的金屬件能在選擇性的面積上有較高的磁場強度，形成具有非均勻磁場強度的金屬件
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳彥仲
電話03-4712201#357248
傳真03-4711024
電子信箱xiuyuguo@yahoo.com.tw
參考網址(空)
備註20101342-Joanne
特殊情形(空)
序號: 6076
產出年度: 98
領域別: (空)
專利名稱-中文: 具非均勻磁場強度之金屬件之製造方法
執行單位: 中科院材料所
產出單位: (空)
計畫名稱: 特用金屬材料應用研究發展三年計畫
專利發明人: 黃建和、許文榮、黎俊驛、施修正、黃宏芳
核准國家: 中華民國
獲證日期: (空)
證書號碼: 發明第I 304843號
專利期間起: (空)
專利期間訖: (空)
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 利用鋁或鋁合金的陽極處理獲取之多孔性氧化膜作為電鑄磁性金屬件的模版，使電鑄的金屬之一面或部分面上具有奈米金屬線的結構，此奈米金屬線的深寬比除了由陽極處理之電解條件與電解質決定外，也由陽極處理後的擴孔條件加以控制，較高深寬比的磁性金屬奈米線有較高的磁場強度，所以使電鑄的金屬件能在選擇性的面積上有較高的磁場強度，形成具有非均勻磁場強度的金屬件
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 陳彥仲
電話: 03-4712201#357248
傳真: 03-4711024
電子信箱: xiuyuguo@yahoo.com.tw
參考網址: (空)
備註: 20101342-Joanne
特殊情形: (空)
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與一種奈米級聚甲基丙烯酸甲酯粒子的製作方法同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 6,658,597

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 185602

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 6,735,228

具有整波電路之高速雷射驅動器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 周明忠 | 證書號碼: 6,798,802

壓制電流分配的充放電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張毓仁 | 證書號碼: 6,794,911

電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 | 證書號碼: 214743

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 | 證書號碼: 184318

低頻率漂移數位頻率調制裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 高炳文, 謝賜山, 紀秋棉 | 證書號碼: 195328

光學編碼器定位裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳 | 證書號碼: 193120

影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林俊育, 宋新岳, 羅偕益 | 證書號碼: 200068

熱釋電型感測器信號轉換電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 涂鐘範, 林耀明 | 證書號碼: 197821

顯示裝置之檢測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 田立芬, 葉峻毅, 楊福祥 | 證書號碼: 220689

寬頻掃頻電路架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮, 謝賜山 | 證書號碼: 198444

光源產生裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林勝雄, 江敏華, 郭葉琮 | 證書號碼: 200164

相位差調整裝置及方法以及應用該相位差調整裝置之感測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 楊景榮, 高清芬, 陳譽元 | 證書號碼: 206753

微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 柯明道, 宋尤昱 | 證書號碼: 6,658,597

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 185602

發光元件的驅動控制電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡嘉明 | 證書號碼: 6,735,228

具有整波電路之高速雷射驅動器

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 周明忠 | 證書號碼: 6,798,802

壓制電流分配的充放電路

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 張毓仁 | 證書號碼: 6,794,911

電力控制電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 陳盛仁, 楊景榮, 林俊宏, 陳燦林 | 證書號碼: 214743

提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮,黃俊雄 | 證書號碼: 184318

低頻率漂移數位頻率調制裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 高炳文, 謝賜山, 紀秋棉 | 證書號碼: 195328

光學編碼器定位裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林慶芳 | 證書號碼: 193120

影像偵測元件與其與待測物件相對移動方向之垂直偏移度量測方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林俊育, 宋新岳, 羅偕益 | 證書號碼: 200068

熱釋電型感測器信號轉換電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 涂鐘範, 林耀明 | 證書號碼: 197821

顯示裝置之檢測系統及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 田立芬, 葉峻毅, 楊福祥 | 證書號碼: 220689

寬頻掃頻電路架構

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 郭晉榮, 謝賜山 | 證書號碼: 198444

光源產生裝置及方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 林勝雄, 江敏華, 郭葉琮 | 證書號碼: 200164

相位差調整裝置及方法以及應用該相位差調整裝置之感測裝置

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 專利發明人: 楊景榮, 高清芬, 陳譽元 | 證書號碼: 206753

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