氮化物半導體結構
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文氮化物半導體結構的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融, 證書號碼是I482314.

序號	15663
產出年度	104
領域別	服務創新
專利名稱-中文	氮化物半導體結構
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融
核准國家	中華民國
獲證日期	104/05/11
證書號碼	I482314
專利期間起	104/04/21
專利期間訖	121/12/20
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

15663

產出年度

104

領域別

服務創新

專利名稱-中文

氮化物半導體結構

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融

核准國家

中華民國

獲證日期

104/05/11

證書號碼

I482314

專利期間起

104/04/21

專利期間訖

121/12/20

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種氮化物半導體結構，至少包括一矽基板、一AlN層、一AlGaN層以及形成於AlGaN層上的一GaN層。所述矽基板具有一表面，其與垂直(111)晶面的軸之間具有大於0度且小於等於0.5度的傾斜角度。所述AlN層形成於矽基板的所述表面上。所述AlGaN層形成於所述AlN層上。而所述AlGaN層的Al含量在從AlN層側往GaN層側的厚度方向上降低。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

(空)

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 張郁香 ,郭威宏 ,林素芳 ,宣融 \| 證書號碼: I433354 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: I386981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 103 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,呂健賓 ,廖宸梓 ,宣融 ,傅毅耕 ,胡智威 ,劉訓志 \| 證書號碼: 13/726,648 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其制造方法	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 郭義德 ,林素芳 ,郭威宏 ,劉柏均 ,紀東煒 ,趙主立 ,蔡政達 \| 證書號碼: ZL200910160715.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 \| 專利發明人: 方彥翔 ,趙主立 ,葉沛璇 ,郭義德 \| 證書號碼: I416723 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 廖宸梓 ,胡智威 ,方彥翔 ,宣融 \| 證書號碼: 8,946,775 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 胡智威, 廖宸梓, 方彥翔, 宣融 \| 證書號碼: I482276 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
氮化物半導體結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫 \| 專利發明人: 方彥翔, 呂健賓, 廖宸梓, 宣融, 傅毅耕, 胡智威, 劉訓志 \| 證書號碼: I491068 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

氮化物半導體結構

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , \| 證書號碼: ZL200810211084.8 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 \| 證書號碼: 8,384,215 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 \| 證書號碼: 8,416,213 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 中國大陸 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: ZL200910202828.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 \| 證書號碼: 8,391,520 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 \| 證書號碼: I402456 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院生醫所 \| 產出年度: 104 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 \| 專利發明人: 謝明發, 張學曾, 陳進富, 張原嘉, 甘霈, 林才祐 \| 證書號碼: 8,940,333 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

具有自我對準輕摻雜汲極結構之多晶矽薄膜電晶體	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 廖宗能, 陳志強 \| 證書號碼: 6677189
薄膜電晶體面板的製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 戴遠東, 李啟聖, 張鈞傑 \| 證書號碼: 6713328
增快液晶顯示器應答速度之驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁, 廖明俊, 徐正池 \| 證書號碼: 200112
可調式訊號干擾積體電路系統及其量測方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 李明林, 徐欽山 \| 證書號碼: 6683469
子母貫通孔結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張慧如, 李明林, 何宗哲 \| 證書號碼: 6717071
一種GAMMA校正驅動系統	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 王博文, 陳明道, 陳尚立 \| 證書號碼: 193940
三極結構電子發射源之製造方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李正中, 何家充, 許志榮, 鄭華琦, 張悠揚 \| 證書號碼: 6705910
低溫多晶矽的製作方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林憲信, 李介文, 鄭紹良, 陳力俊, 彭遠清, 王文通 \| 證書號碼: 206403
控制液晶顯示器之電壓---穿透率特徵曲線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 沈毓仁 \| 證書號碼: 6750834
奈米碳管場發射顯示器之陰極板與製程	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭華琦, 李正中, 廖貞慧, 張悠揚, 許志榮, 何家充 \| 證書號碼: 6811457
具低切換雜訊之構裝結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 何宗哲, 李明林, 張慧如, 賴信助 \| 證書號碼: 6683781
低串聯阻抗薄膜電晶體I之製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 常鼎國, 陳丕夫, 康育銘, 戴遠東 \| 證書號碼: 6670224
傾斜散射反射板的製造方法與結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 翁逸君, 魏明達, 張上文 \| 證書號碼: 6692902
低成本且可大面積化製作奈米碳管場發射顯示器之方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張悠揚, 許志榮, 李鈞道, 李正中 \| 證書號碼: 6692791
無凸塊之內引腳與接合墊的接合方法及其結構	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋 \| 證書號碼: 6656772

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執行單位

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