半導體結構及其製作方法
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專利名稱-中文半導體結構及其製作方法的核准國家是中華民國, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是104, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真, 證書號碼是I492345.

序號16433
產出年度104
領域別智慧科技
專利名稱-中文半導體結構及其製作方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真
核准國家中華民國
獲證日期104/07/22
證書號碼I492345
專利期間起104/07/11
專利期間訖122/04/16
專利性質發明
技術摘要-中文一種半導體結構及其製作方法,其中半導體結構包括一基材、一元件層以及至少一導電柱。基材具有一第一表面、一相對於第一表面的第二表面以及至少一貫穿基材的貫孔。基材在貫孔處包含一第一側壁部份以及一第二側壁部份。第一側壁部份連接至基材的第一表面,並具有多個第一凸起。第二側壁部份連接至基材的第二表面,並具有一平面。元件層位於第二表面上,且基材的第二側壁部份沿平面進一步延伸至元件層內。導電柱位於貫孔中,其中導電柱與元件層電性連接。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

16433

產出年度

104

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

半導體結構及其製作方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真

核准國家

中華民國

獲證日期

104/07/22

證書號碼

I492345

專利期間起

104/07/11

專利期間訖

122/04/16

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種半導體結構及其製作方法,其中半導體結構包括一基材、一元件層以及至少一導電柱。基材具有一第一表面、一相對於第一表面的第二表面以及至少一貫穿基材的貫孔。基材在貫孔處包含一第一側壁部份以及一第二側壁部份。第一側壁部份連接至基材的第一表面,並具有多個第一凸起。第二側壁部份連接至基材的第二表面,並具有一平面。元件層位於第二表面上,且基材的第二側壁部份沿平面進一步延伸至元件層內。導電柱位於貫孔中,其中導電柱與元件層電性連接。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

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備註

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特殊情形

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同步更新日期

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳瑞琴 ,林哲歆 ,劉漢誠 ,顧子琨 | 證書號碼: I453864

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 裴靜偉 陳邦旭 | 證書號碼: I271778

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真 | 證書號碼: 14/033,524

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真 | 證書號碼: 9,257,337

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳瑞琴 ,林哲歆 ,劉漢誠 ,顧子琨 | 證書號碼: I453864

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 專利發明人: 裴靜偉 陳邦旭 | 證書號碼: I271778

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半導體結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真 | 證書號碼: 14/033,524

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體結構及其製作方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳尚駿 ,林哲歆 ,辛毓真 | 證書號碼: 9,257,337

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堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳裕華 | 證書號碼: I475623

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先 | 證書號碼: 13/912,207

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇 | 證書號碼: 9,385,314

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇 | 證書號碼: I518864

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄 | 證書號碼: 9,378,785

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄 | 證書號碼: I515866

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

半導體曝光製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: *奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮,應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳裕華 | 證書號碼: I475623

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先 | 證書號碼: 13/912,207

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇 | 證書號碼: 9,385,314

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇 | 證書號碼: I518864

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄 | 證書號碼: 9,378,785

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄 | 證書號碼: I515866

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

半導體曝光製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: *奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮,應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 3566681

製造固態電解電容器之配方及其製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: 200904

具有自粘性高分子電解質的鋰電池及其制造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: ZL01115531.0

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I223294

電池負極材料及其製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉茂煌, 陳金銘, 王富田, 黃國忠, 鄭季汝 | 證書號碼: I224404

以氣噴粉末製作鋁合金濺鍍靶材之方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 邱思議, 鄭楚丕, 溫志中 | 證書號碼: ZL01134646.9

銅箔微瘤化處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 185721

一種具抗菌性的不銹鋼

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中, 于作浩 | 證書號碼: TW 189417

光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋 | 證書號碼: US 6,635,219

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 3566681

製造固態電解電容器之配方及其製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: 200904

具有自粘性高分子電解質的鋰電池及其制造方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: ZL01115531.0

固態電解電容器以及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 杜佾璋 | 證書號碼: I223294

電池負極材料及其製法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉茂煌, 陳金銘, 王富田, 黃國忠, 鄭季汝 | 證書號碼: I224404

以氣噴粉末製作鋁合金濺鍍靶材之方法

核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 賴明雄, 邱思議, 鄭楚丕, 溫志中 | 證書號碼: ZL01134646.9

銅箔微瘤化處理方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 185721

一種具抗菌性的不銹鋼

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 孫道中, 于作浩 | 證書號碼: TW 189417

光碟薄膜用相變化靶材之回收及再利用技術

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 溫志中, 賴明雄, 李秉璋 | 證書號碼: US 6,635,219

高高溫伸長率電解銅箔之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 192043

含細微化組織之合金靶材製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 劉武漢, 陳俊沐, 蘇健忠, 范元昌, 黃振東, 呂明生, 吳清勳 | 證書號碼: TW 197245

電子連接器之後端電磁遮蔽元件

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳立生, 章本華, 陳炤祖 | 證書號碼: US 6,705,897

具耐折性之電解銅箔的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 陳友忠, 李鴻坤, 翁榮洲 | 證書號碼: TW 200903

具散熱結構之連接器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 章本華, 林欣衛, 廖子昌 | 證書號碼: TW 206075

軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 專利發明人: 邱秋燕, 翁榮洲, 劉金耀 | 證書號碼: TW 206917

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