穿刺器材及穿刺設備
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專利名稱-中文穿刺器材及穿刺設備的核准國家是中華民國, 證書號碼是M514299, 專利期間起是104/12/21, 專利期間訖是114/08/06, 專利性質是新型, 執行單位是金屬中心, 產出年度是104, 計畫名稱是class II以上醫材快速試製服務計畫, 專利發明人是陳銘輝、丁育民、鄭茗徽、張寅.

序號16875
產出年度104
領域別民生福祉
專利名稱-中文穿刺器材及穿刺設備
執行單位金屬中心
產出單位金屬中心
計畫名稱class II以上醫材快速試製服務計畫
專利發明人陳銘輝 | 丁育民 | 鄭茗徽 | 張寅
核准國家中華民國
獲證日期104/12/21
證書號碼M514299
專利期間起104/12/21
專利期間訖114/08/06
專利性質新型
技術摘要-中文本創作主要揭示一種穿刺器材,用於解決習知穿刺器材需盲目進行穿刺的問題。該穿刺器材係包含:一第一管體,具有二第一端口,其中一第一端口形成一銳口部;一第二管體,容置於該第一管體內,該第二管體具有二第二端口及一出氣口,其中一第二端口設有一透鏡,該出氣口鄰近該透鏡及該第一管體之銳口部;及一導光件,容置於該第二管體內。另,揭示一種穿刺設備。藉此,可確實解決上述問題。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳銘輝
電話07-6955298#244
傳真07-6955249
電子信箱milton@mail.mirdc.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

16875

產出年度

104

領域別

民生福祉

專利名稱-中文

穿刺器材及穿刺設備

執行單位

金屬中心

產出單位

金屬中心

計畫名稱

class II以上醫材快速試製服務計畫

專利發明人

陳銘輝 | 丁育民 | 鄭茗徽 | 張寅

核准國家

中華民國

獲證日期

104/12/21

證書號碼

M514299

專利期間起

104/12/21

專利期間訖

114/08/06

專利性質

新型

技術摘要-中文

本創作主要揭示一種穿刺器材,用於解決習知穿刺器材需盲目進行穿刺的問題。該穿刺器材係包含:一第一管體,具有二第一端口,其中一第一端口形成一銳口部;一第二管體,容置於該第一管體內,該第二管體具有二第二端口及一出氣口,其中一第二端口設有一透鏡,該出氣口鄰近該透鏡及該第一管體之銳口部;及一導光件,容置於該第二管體內。另,揭示一種穿刺設備。藉此,可確實解決上述問題。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳銘輝

電話

07-6955298#244

傳真

07-6955249

電子信箱

milton@mail.mirdc.org.tw

參考網址

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特殊情形

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可調式電容及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 林瑞進, 吳家宏, 周坤和

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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 223402 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳維恕, 蘇慧琪, 陳宜孝, 梁兆鈞, 李政鴻, 莊政恩

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矽深蝕刻反應離子蝕刻延遲的解決方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184681 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 專利發明人: 鍾震桂, 盧慧娟

3D堆疊封裝散熱模組

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6700783 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉君愷, 姜信騰

應用奈米管增加半導體元件電容之方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6759305 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 崔秉鉞, 李正中

改進之場發射型顯示器驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6741039 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李鈞道, 李正中, 許志榮, 張悠揚

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