接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件的核准國家是美國, 證書號碼是9,209,293, 專利期間起是104/12/08, 專利期間訖是122/05/05, 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是105, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英.

序號	17594
產出年度	105
領域別	服務創新
專利名稱-中文	接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件
執行單位	工研院院本部
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	洪建中 \| 陳永祥 \| 顏誠廷 \| 李傳英
核准國家	美國
獲證日期	105/01/12
證書號碼	9,209,293
專利期間起	104/12/08
專利期間訖	122/05/05
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種JBS二極體嵌於MOS場效電晶體單元陣列之整合元件，包括多個區域，每一區域包括多個MOS電晶體單元以及至少一JBS二極體。相鄰的MOS電晶體以多個分隔道分隔，其中第一MOS電晶體單元與在第一方向上相鄰的第二MOS電晶體單元之間以第一分隔道分隔，且第一MOS電晶體單元與在第二方向上相鄰的第三MOS電晶體單元之間以第二分隔道分隔。JBS二極體位於第一分隔道與第二分隔道的交界處。JBS二極體與第一、第二以及第三MOS電晶體單元反向並聯。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	李露蘋
電話	03-5917812
傳真	03-5917431
電子信箱	oralp@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

17594

產出年度

105

領域別

服務創新

專利名稱-中文

接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件

執行單位

工研院院本部

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

洪建中 | 陳永祥 | 顏誠廷 | 李傳英

核准國家

美國

獲證日期

105/01/12

證書號碼

9,209,293

專利期間起

104/12/08

專利期間訖

122/05/05

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種JBS二極體嵌於MOS場效電晶體單元陣列之整合元件，包括多個區域，每一區域包括多個MOS電晶體單元以及至少一JBS二極體。相鄰的MOS電晶體以多個分隔道分隔，其中第一MOS電晶體單元與在第一方向上相鄰的第二MOS電晶體單元之間以第一分隔道分隔，且第一MOS電晶體單元與在第二方向上相鄰的第三MOS電晶體單元之間以第二分隔道分隔。JBS二極體位於第一分隔道與第二分隔道的交界處。JBS二極體與第一、第二以及第三MOS電晶體單元反向並聯。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

oralp@itri.org.tw

參考網址

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備註

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接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521718 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9209293 \| 專利期間起: 104/12/08 \| 專利期間訖: 122/05/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集

接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件

溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8835935 \| 專利期間起: 121/07/21 \| 專利期間訖: 一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
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碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8766279 \| 專利期間起: 122/01/08 \| 專利期間訖: 本發明揭示一種碳化矽溝槽式蕭基能障元件，其包括：一碳化矽半導體基板，具有上表面及下表面；一第一接觸金屬，形成於該碳化矽半導體基板的下表面，並形成歐姆接觸；一碳化矽半導體飄移層，形成於該碳化矽半導體基板... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 @ 技術司專利資料集
溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I470802 \| 專利期間起: 104/01/21 \| 專利期間訖: 120/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
碳化矽溝槽式蕭基能障元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I469341 \| 專利期間起: 104/01/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,陳永祥 ,洪建中 ,李傳英 ,莊喬舜 ,陳開宇 ,黃正鑫 @ 技術司專利資料集
階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,841,721 \| 專利期間起: 122/05/06 \| 專利期間訖: 一種階梯溝渠式金氧半場效電晶體，包括漂移層、第一半導體區、階梯式閘極以及浮置區。漂移層具有第一導電型。第一半導體區具有第二導電型，位於漂移層的第一表面上，其中漂移層與第一半導體區之中具有階梯式閘極溝渠... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 智慧綠能電子/車電關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,洪建中 ,陳永祥 ,李傳英 @ 技術司專利資料集

揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200810211084.8 \| 專利期間起: 102/01/23 \| 專利期間訖: 117/08/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陳明道 ,劉昌和 , @ 技術司專利資料集
晶圓級模封接合結構及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,384,215 \| 專利期間起: 102/02/26 \| 專利期間訖: 120/06/30 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 ,林育民 @ 技術司專利資料集
感測裝置及其掃描驅動方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,416,213 \| 專利期間起: 102/04/09 \| 專利期間訖: 120/03/17 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 沈煜棠 ,葉紹興 @ 技術司專利資料集
揚聲器單體結構	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL200710184913.3 \| 專利期間起: 102/03/20 \| 專利期間訖: 116/10/28 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
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平面揚聲器單體與揚聲器裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,391,520 \| 專利期間起: 102/03/05 \| 專利期間訖: 120/12/15 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 劉昌和 ,陳明道 @ 技術司專利資料集
照明裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I402456 \| 專利期間起: 102/07/21 \| 專利期間訖: 119/03/16 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 \| 專利發明人: 黃承揚 ,許詔開 @ 技術司專利資料集
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薄膜電晶體陣列製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220534 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李啟聖, 陳政忠, 陳麒麟, 許財源
導電薄膜形成的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220770 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 孫裕昌, 湯景萱, 李啟聖, 許財源
可撓式面板之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206791 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張榮芳, 張志祥, 陳麒麟
薄膜電晶體元件主動層之半導體材料與其製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 221341 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 何家充, 李仁豪, 李正中, 王右武, 李鈞道, 林鵬
複合凸塊的接合結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223363 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世明, 黃元璋, 陳文志, 楊省樞
高分子膠體顯示器、其製法與顯示機制	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200444 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 沙益安, 林英哲, 翁逸君, 辛隆賓, 廖奇璋, 江欣峻, 范揚宜, 吳仲文
液晶顯示器之製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206803 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 范揚宜, 江欣峻, 林英哲, 翁逸君, 何璨佑, 辛隆賓, 劉康弘, 吳仲文, 沙益安
半導體光電晶體	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222219 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為
半導體光電晶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6759694 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 許裕民, 許晉瑋, 裴靜偉, 袁鋒, 劉致為
形成多晶矽薄膜電晶體之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224868 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳麒麟, 黃順發, 王亮棠
晶圓級構裝結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224377 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 張恕銘, 沈里正
紙質光觸媒濾網的製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195738 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 張志成, 賀遵火, 江旭政

接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

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