電阻式存儲器裝置
- 經濟部產業技術司–專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文電阻式存儲器裝置的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院電光系統所, 產出年度是105, 專利性質是發明, 計畫名稱是高階手持裝置三維整合應用技術計畫, 專利發明人是林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄, 證書號碼是ZL201310013602.6.

序號18300
產出年度105
領域別智慧科技
專利名稱-中文電阻式存儲器裝置
執行單位工研院電光系統所
產出單位工研院電光系統所
計畫名稱高階手持裝置三維整合應用技術計畫
專利發明人林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄
核准國家中國大陸
獲證日期105/06/22
證書號碼ZL201310013602.6
專利期間起105/05/24
專利期間訖122/10/20
專利性質發明
技術摘要-中文一種電阻式記憶體裝置,包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料,並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作,使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態,並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員陳玲君
電話03-5913792
傳真03-5917690
電子信箱KellyChen@itri.org.tw
參考網址(空)
備註P51010092CN
特殊情形(空)
同步更新日期2019-07-24

序號

18300

產出年度

105

領域別

智慧科技

專利名稱-中文

電阻式存儲器裝置

執行單位

工研院電光系統所

產出單位

工研院電光系統所

計畫名稱

高階手持裝置三維整合應用技術計畫

專利發明人

林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄

核准國家

中國大陸

獲證日期

105/06/22

證書號碼

ZL201310013602.6

專利期間起

105/05/24

專利期間訖

122/10/20

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種電阻式記憶體裝置,包括記憶體陣列、讀取電路、寫回邏輯電路以及寫回電路。讀取電路讀取一被選擇的記憶體單元內所儲存之資料,並產生第一控制信號。寫回邏輯電路根據第一控制信號與第二控制信號產生寫回控制信號。寫回電路根據寫回控制信號以及一寫回電壓對被選擇的記憶體單元執行寫回操作,使得被選擇的記憶體單元之一電阻狀態由一低電阻狀態轉換為一高電阻狀態,並且根據被選擇的記憶體單元之電阻狀態產生第二控制信號。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳玲君

電話

03-5913792

傳真

03-5917690

電子信箱

KellyChen@itri.org.tw

參考網址

(空)

備註

P51010092CN

特殊情形

(空)

同步更新日期

2019-07-24

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電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄 | 證書號碼: 9,378,785

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電阻式記憶體裝置

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 林志和 ,李思翰 ,林文斌 ,許世玄 | 證書號碼: 9,378,785

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堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳裕華 | 證書號碼: I475623

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晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先 | 證書號碼: 13/912,207

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇 | 證書號碼: 9,385,314

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇 | 證書號碼: I518864

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄 | 證書號碼: I515866

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

半導體曝光製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮,應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大

@ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

堆疊式半導體結構的接合結構及其形成方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 陳裕華 | 證書號碼: I475623

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

晶片堆疊結構

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 劉昌熾 ,余迅 ,陳鵬書 ,吳仕先 | 證書號碼: 13/912,207

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電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,辜佩儀 ,陳佑昇 | 證書號碼: 9,385,314

@ 經濟部產業技術司–專利資料集

變容器

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 李思翰 ,曾珮玲 ,林哲輝 ,林志昇 | 證書號碼: I518864

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半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 專利發明人: 曾珮玲 ,蘇耿立 ,林志昇 ,許世玄 | 證書號碼: I515866

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Backside TSV製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: TSV CD = 5um ; depth = 50um. TSV etching from wafer backside, stop on frontside Metal. | 潛力預估: 減少TSV製程對於CMOS正面製程之衝擊

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半導體曝光製程技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 奈米電子製程技術實驗室 * DUV Stepper疊對 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮,應用在IOT、通訊和生物晶片等領域之商機潛力大

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與電阻式存儲器裝置同分類的經濟部產業技術司–專利資料集

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 196551

光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 | 證書號碼: 6713148

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

電容器介電皮膜之形成及修補機台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 彭裕民, 劉士山, 黃振豊, 丁朝陽, 陳皇壯, 李獻章 | 證書號碼: 209152

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

平面型燃料電池單體及其電池組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助, 康顧嚴, 許平源, 薛康琳 | 證書號碼: 190383

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 6,680,148

以噴霧電漿熱解法製造奈米結構材料之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑, 陳金銘, 洪松慰, 劉茂煌, 謝建德 | 證書號碼: 196500

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 196551

光資訊記錄媒體

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 徐偉智, 程順德, 蔡松雨, 曾美榕 | 證書號碼: 6713148

低溫共燒陶瓷基板之高精度內埋元件的製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 鄧文浩, 陳聰文, 洪尚河, 傅坤福 | 證書號碼: 189386

正型光敏感性組成物、其製成物及其光阻圖形之形成方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 許聯崇, 金進興, 李柏毅, 鄭志龍 | 證書號碼: 6670090

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 207086

高精度低溫共燒陶瓷之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳聰文, 鄧文浩, 傅坤福, 張麗玲 | 證書號碼: 189799

電漿顯示器背板結構及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國創, 林江財, 曾英蘭 | 證書號碼: 195305

電路基板用樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 劉淑芬, 陳孟暉, 金進興, 潘金平 | 證書號碼: 6,780,943

面陣列覆晶整體封裝製程

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 陳凱琪, 李巡天, 黃淑禎, 李宗銘 | 證書號碼: 205929

無鹵無磷難燃環氧樹脂半固化物及難燃環氧樹脂組成物

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 邱國展, 李宗銘, 曾峰柏, 廖如仕, 黃佳祺, 林慈婷 | 證書號碼: 6809130

電容器介電皮膜之形成及修補機台

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 彭裕民, 劉士山, 黃振豊, 丁朝陽, 陳皇壯, 李獻章 | 證書號碼: 209152

固態電容器之含浸設備

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 新型 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 蔡麗端, 朱堯熹, 陳增堯, 杜佾璋, 莊思賢, 溫獻瑞 | 證書號碼: 210173

平面型燃料電池單體及其電池組

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 賴秋助, 康顧嚴, 許平源, 薛康琳 | 證書號碼: 190383

具自黏性高分子電解質之鋰電池

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 詹益松, 吳盛豐, 楊長榮, 陳鑑昌 | 證書號碼: 6,680,148

以噴霧電漿熱解法製造奈米結構材料之方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 專利發明人: 廖世傑, 陳金銘, 洪松慰, 劉茂煌, 謝建德 | 證書號碼: 196500

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