固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 @ 政府開放資料
固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 - 搜尋結果總共有 18 筆政府開放資料，以下是 1 - 18 [第 1 頁]。
自旋記憶體 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥, | 證書號碼: I337355 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥, | 證書號碼: 7,877,244 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
存儲器的負載平衡架構 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,張嘉伯,林展瑞, | 證書號碼: ZL200510003537.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電阻式記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10 yrs 85℃, Max current < 100 µA, Voltage < 3.3V , Forming time | 潛力預估: 提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性：成功的導入緩衝層Ta可降低元件的操作電流至20uA以下，與第一次重置電流至50uA以下，提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性，有利於完全取代Embedde... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體劣化行為研究報告 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 /測試技術開發 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 新世代非揮發性記憶體的劣化機制探討 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在先進記憶體等領域之商機潛力大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
栓扣式磁性存儲器的數據寫入控制電路及數據寫入方法 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥,王寵智,張嘉伯,洪建中, | 證書號碼: ZL200710123286.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取存儲器 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 王丁勇,李元仁,洪建中, | 證書號碼: ZL200710149763.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
提升寫入電流的記憶體 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 | 證書號碼: I340981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
提升寫入電流的記憶體 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 | 證書號碼: 7,894,274 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
多階記憶胞及其製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 許雁雅,陳志偉 | 證書號碼: 8,067,766 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性記憶體及其資料讀取電路 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥,王丁勇, | 證書號碼: I336079 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 王丁勇,李元仁,洪建中, | 證書號碼: 7,872,904 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法 | 核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, | 證書號碼: 4668864 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, | 證書號碼: I343574 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電壓補償電路、具有該電壓補償電路的多階記憶體裝置、與讀取多階記憶體裝置之電壓補償方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 許世玄,江培嘉,林文斌,林志和 | 證書號碼: 8,040,723 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
自旋記憶體執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥, | 證書號碼: I337355 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
栓扣式磁性穿隧接面元件之模擬電路核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥, | 證書號碼: 7,877,244 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
存儲器的負載平衡架構核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,張嘉伯,林展瑞, | 證書號碼: ZL200510003537.4 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電阻式記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10 yrs 85℃, Max current < 100 µA, Voltage < 3.3V , Forming time | 潛力預估: 提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性：成功的導入緩衝層Ta可降低元件的操作電流至20uA以下，與第一次重置電流至50uA以下，提升元件應用於90nm 邏輯製程的可能性，有利於完全取代Embedde... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
電阻式記憶體劣化行為研究報告執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 /測試技術開發 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 新世代非揮發性記憶體的劣化機制探討 | 潛力預估: 隨著半導體製程技術微縮，應用在先進記憶體等領域之商機潛力大 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
栓扣式磁性存儲器的數據寫入控制電路及數據寫入方法核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥,王寵智,張嘉伯,洪建中, | 證書號碼: ZL200710123286.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取存儲器核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 王丁勇,李元仁,洪建中, | 證書號碼: ZL200710149763.2 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
提升寫入電流的記憶體核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 | 證書號碼: I340981 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
提升寫入電流的記憶體核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 林志昇,王敏全,蕭智文,蘇耿立 | 證書號碼: 7,894,274 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
多階記憶胞及其製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 許雁雅,陳志偉 | 證書號碼: 8,067,766 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性記憶體及其資料讀取電路核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 陳永祥,王丁勇, | 證書號碼: I336079 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
磁性隨機存取記憶體核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 王丁勇,李元仁,洪建中, | 證書號碼: 7,872,904 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法核准國家: 日本 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, | 證書號碼: 4668864 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
用於轉換具低電流的磁阻式隨機存取記憶體的磁矩的方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 洪建中,高明哲,李元仁,王連昌, | 證書號碼: I343574 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: I338392 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
相變化記憶體元件及其製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 證書號碼: 7,888,155 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
電壓補償電路、具有該電壓補償電路的多階記憶體裝置、與讀取多階記憶體裝置之電壓補償方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: 許世玄,江培嘉,林文斌,林志和 | 證書號碼: 8,040,723 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |