奈秒脈衝光纖雷射技術 @ 政府開放資料

奈秒脈衝光纖雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射尖端功率(Maximum Peak Power): 1500 W 雷射脈衝能量：0.19 mJ 雷射波長（Wavelength）: 1064 nm 雷射頻寬（Bandwidth， FWHM）: ≦... | 潛力預估: 預計可應用於雷射精密加工、及半導體等產業。

紫外奈秒脈衝光纖雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: (a)波長：360±15nm (b)倍頻脈衝寬度≦100ns (c)倍頻脈衝能量≧50μJ (d)倍頻最大瞬時輸出功率≧300W | 潛力預估: 預估亞洲區每年至少需要100套以上加工雷射源需求，產值超過5000萬元以上，此雷射源技術結合整合設備，將可應用於太陽能製程及軟性電子設備之切割用途上

奈秒倍頻光纖雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: (1)雷射波長：1064nm (2)雷射輸出平均功率：20 W (3)M^2 (M Square) ：≦1.2 (4)雷射重複率： 20 ~ 120kHz (可調) (5)雷射脈衝寬度 ：50 ~ 1... | 潛力預估: 預估亞洲區每年至少需要100套以上加工雷射源需求，產值超過5000萬元以上，此雷射源技術結合整合設備，將可應用於太陽能製程及軟性電子設備之切割用途上

全光纖式高能皮秒雷射源技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: 雷射波長:1064 nm +/- 3nm *雷射平均功率: >10 W *雷射脈衝寬度:100 μJ@重複率:100~1000 kHz *雷射光束品質:M Square | 潛力預估: 可取代目前加工應用之奈秒雷射，並達到目前奈秒雷射無法加工之高加工品質

皮奈秒混合雷射技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 雷射光谷關鍵技術開發暨整合應用計畫 | 領域: | 技術規格: (1)中心輸出波長:1064nm (2)偏振態:任意 (3)峰值功率 :>530KW@1MHz (4)輸出平均功率:>30W＠10MHz (5)脈衝寬度 (半高寬):20±10ps (6)脈衝頻率... | 潛力預估: 隨著光纖雷射的市場高速成長,預期未來將加速取代固態與UV雷射,複合年成長率可達30%以上

鐳射製作太陽能模組之技術開發

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS吸收層顯微組織經光學顯微鏡觀察無明顯熱效應產生、電池量測上下電極之電阻值至少達1KΩ。 | 潛力預估: 可應用於太陽電池後段模組化技術

太陽電池模組技術

執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: CIGS吸收層顯微組織經光學顯微鏡觀察無明顯熱效應產生、電池量測上下電極之電阻值至少達1KΩ。 | 潛力預估: 可應用於太陽電池模組技術