成弘光電 @ 政府開放資料

金成弘光電股份有限公司

統編: 90132072 | 公司地址: 114臺北市內湖區瑞光路362號8樓

金成弘光電股份有限公司

統編: 90132072 | 公司地址: 114臺北市內湖區瑞光路362號8樓

糊狀物及具此糊狀物之光電裝置與液晶顯示器的製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 侯維新 ,王興龍 ,廖奇璋 ,劉康弘 ,鄭協昌 , | 證書號碼: 7,733,458

弘聖藝雕刻實業有限公司

類別名稱: 木竹漆工藝類 | 雲林縣 | 地址: 雲林縣口湖鄉謝厝村水尾51號

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生 | 證書號碼: 203568

微光機電技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵性技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 1x2/2x2 MEMS Switch Insertion Loss:0.8dB max. Switching time | 潛力預估: 具高精密、批量生產及低成本之優勢，為未來製程發展之趨勢。

液晶顯示器製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂 | 證書號碼: 223113

氮化鎵基板

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 劉康弘, 林英哲, 翁逸君, 李正中, 賴志明, 許家榮, 范揚宜 | 證書號碼: 206722

LED光源應用:高亮度LED車頭燈

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: ‧光學集光效率＞75% ‧系統溫升＜5℃@25℃Room Temperature ‧遠燈中心點亮度＞45lx@25m ‧光源單體封裝＞800lm | 潛力預估: 據台灣工研院IEK估計，LED車燈市場規模將從2007年的6.9億美元，成長到2011年的12億美元。從市場普及率上看8%，年成長率高達13%，並且亞洲將是成長性最大的地區。因前景看好，眾多LED廠商...

深紫外光發光二極體元件

執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧光環境關鍵模組開發與應用計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 尺寸40 mil波長280nm的UVC LED元件，光輸出功率>10mW，其外部量子效率為0.88%，-5V逆偏下元件漏電流為48μA，並重複五次磊晶片之LED平均值皆可達到指標。 | 潛力預估: 隨著UVC LED效率大幅突破，將帶動LED產業朝向光治療、環境淨化、食品安全等，結合生醫科技、智能家電產品等產值近新台幣4,000億之高值利基市場發展。

液晶顯示器製造方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋、林英哲、翁逸君、許家榮、辛隆賓、劉康弘、詹景翔、沙益安、黃鑫茂 | 證書號碼: 6912038

氮化物(藍光)發光二極體

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 藍光LED (430nm~480nm)、綠光LED (510nm-550nm)、白光LED。 | 潛力預估: 白光LED應用於照明用產品還處於雛型階段，目前並無通用之照明燈具之商用規格，若能結合照明產業，加緊研發腳步，爭取新的智慧財產權，未來有機會參與制定國際規格，可為國內照明產業開創新的商機。

氮化鎵基板技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。本技術已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基...

氮化物(藍光)雷射二極體

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 370nm~440nm，Po≧5mW (CW, RT),single transverse mode適用於HD-DVD ROM；370nm~440nm，Po≧30mW (CW,RT),single_x... | 潛力預估: 光電所已建立完整DVD LD上游磊晶、中游製程、下游封裝之技術能力，預期未來技術趕上世界水準，開創下世化HD-DVD所需光源。

氮化物(藍光)發光二極體

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 藍光LED (430nm~480nm)、綠光LED (510nm-550nm)、白光LED | 潛力預估: 白光LED應用於照明用產品還處於雛型階段，目前並無通用之照明燈具之商用規格，若能結合照明產業，加緊研發腳步，爭取新的智慧財產權，未來有機會參與制定國際規格，可為國內照明產業開創新的商機

AC LED (交流發光二極體)晶粒及封裝技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 輸入交流110V 4.5W；輸出 89.9lm、發光效率：20 lm/W。 | 潛力預估: ITRI AC LED 瞬時發光面積約2/3(目前國際上發表ACLED瞬時發光面積1/2）具首創之能力

形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆, 周維揚, 許財源, 王右武, 何家充, 廖奇璋 | 證書號碼: 6737303

形成具有分子排列之有機半導體層的方法，以及形成包括此有機半導體層之有機元件的方法

核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 鄭弘隆 周維揚 許財源 王右武 何家充 廖奇璋 | 證書號碼: I297553

雙向光纖三功器次組件

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧1310nm transmitter/1490nm Digital Receiver/1555nm Analog Receiver ‧傳輸速度 1.25Gb/s(GPON) | 潛力預估: 為因應多媒體及寬頻影像(HDTV)、視訊發展需求，整合Voice、Data及Video光纖被動接取網路技術已成為光通訊產業發展主流。目前各國將競相投入光纖到家的建設，根據全球 PON 市場的預估成長，...