晶技 @ 政府開放資料
晶技 - 搜尋結果總共有 8036 筆政府開放資料，以下是 1 - 20 [第 1 頁]。
晶片/晶圓鍵合技術 | 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
晶片/晶圓鍵合技術 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_；大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃；瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5... | 潛力預估: 光電業及半導體業 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Die size:10*10mm 2.Pitch: 0.8mm, 1.0mm 3.Solder ball:eutectic @lead free solder 4.Wafer size: 6" o... | 潛力預估: 電光所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，ROC patent: 419764，US patent: 6277669)。... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝： 接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300） 增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） | 潛力預估: 由於相關產業在PC晶片組及顯示卡晶片上的應用日益逢勃發展, 面對更高腳數高性能的要求, 熬傳增益的覆晶技術必然隨著PC的發展而更形重要。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鎵基板 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 國際科技交流及技術合作四年推動計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
GaN on Si 磊晶及元件技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)... | 潛力預估: 大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
DRAM空心柱型電容及其製造方法 | 核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 梁虔碩 李隆盛 | 證書號碼: I284318 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容及其製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 梁虔碩 李隆盛 | 證書號碼: 7,456,065 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容器及其制造方法 | 核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,梁虔碩 ,李隆盛 , | 證書號碼: ZL200610000286.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容器及其製造方法 | 核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元,梁虔碩,李隆盛 | 證書號碼: 7,851,843 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性，可發展整合式光電系統晶片 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TNSC MOVPE 先期研究暨紫外光發光二極體共同開發 | 執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高鋁含量(>0.3)的AlGaN磊晶參數,釐清現有MOCVD機台極限 | 潛力預估: 預計三年內可以應用在量產品上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
超薄化/軟性LED照明光源技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Optical Interconnect －Channel number：1×12 Channels。 －Data Rate =10 Gbps / Channel。 －Throughput=120 ... | 潛力預估: ‧ 目前LED光板照明業者均無法製成可彎曲化，也無AC LED的應用，且板狀LED厚度約在3~4cm，因此利用chip in film封裝技術可大幅降低光板厚度達到可撓曲，且快速植晶技術免除SMD封裝... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TNSC高溫常壓機台GaN磊晶技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 尚在開發中 | 潛力預估: (1)具有Mg高參雜的磊晶效果 (2)具有高品質含鋁(Al)材料的磊晶技術(ex:AlGaN, AlN),可應用在成長高效率的UV LED (3)成長時間快,其磊晶成長速率為低壓機台的2-3倍,可增加... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
QDIP 元件磊晶製程與量測分析 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
膠囊化液晶技術 | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 粒徑2-10 um ± 2um‧ 阻值≧ 1013‧ 膜厚15um,‧ 對比＞6‧ 驅動電壓:≦25 V‧ 反射率>35％ | 潛力預估: 本計劃建立光調控分子結構設計與應用之技術基礎開發，此項技術可用於顯示器產業。預估技術衍生之應用產品，未來3年可增加新台幣20億以上之產值。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化物(藍光)雷射二極體 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 370nm~440nm ,Po≧5mW (CW, RT),single _x000D_transverse mode適用於HD-DVD ROM _x000D_；370nm~440nm ,Po≧30mW... | 潛力預估: 光電所已建立完整DVD LD上游磊晶、中游製程、下游封裝之技術能力，預期未來技術趕上世界水準，開創下世化HD-DVD所需光源。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術 | 執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bi-Te系熱電材料長晶技術 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電優值ZT~1, 直徑>20mm, 長度>250mm, power factor變異量 | 潛力預估: 目前熱電發電及熱電致冷全球市場為4億美元, 未來在節能減碳的需求帶動下將成長至10億美元以上。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
晶片/晶圓鍵合技術執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )/大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃/瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5℃/視覺對位技... | 潛力預估: 熱超音波覆晶技術具高效率及綠色製程特性，將成為覆晶技術主流製程之一/高速取放技術有效提昇設備競爭力/精密定位系統大幅提昇設備製程良率/製程設備整合開發，提供使用者統和解決方案/掌握關鍵模組開發能力，縮... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
晶片/晶圓鍵合技術執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫計畫 | 領域: | 技術規格: 晶片/晶圓鍵合精度：±10μm ( XY placement ) , ±0.1°(θ rotation )_x000D_；大面積加熱板溫度控制技術：250± 1℃；瞬間加熱板溫度控制技術：500± 5... | 潛力預估: 光電業及半導體業 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Die size:10*10mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or... | 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Die size:10*10mm 2.Pitch: 0.8mm, 1.0mm 3.Solder ball:eutectic @lead free solder 4.Wafer size: 6" o... | 潛力預估: 電光所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，ROC patent: 419764，US patent: 6277669)。... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Flip Chip PBGA 設計與散熱及電性增益型Flip Chip PBGA構裝技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝： 接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300） 增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） | 潛力預估: 由於相關產業在PC晶片組及顯示卡晶片上的應用日益逢勃發展, 面對更高腳數高性能的要求, 熬傳增益的覆晶技術必然隨著PC的發展而更形重要。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鎵基板執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 國際科技交流及技術合作四年推動計畫 | 領域: | 技術規格: 缺陷密度(EPD)≦1×107cm-2、厚度≧350um、適合磊晶使用的Free-standing氮化鎵基板。 | 潛力預估: 目前世界上可提供氮化鎵基板的廠商僅日本住友一家。光電所已建立以HVPE磊晶成長氮化鎵厚膜的技術，並已獲得低缺陷密度且厚度大於75um的氮化鎵厚膜。預期未來技術趕上世界水準，並提供氮化鎵元件磊晶所需之基... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
GaN on Si 磊晶及元件技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 | 領域: 綠能科技 | 技術規格: 8吋GaN on Si： (1)藍光LED：λ=430nm~480nm，厚度>4um，氮化鎵XRC半寬(002)~400arcsec，(102)~470arcsec，thin-GaN製程技術。 (2)... | 潛力預估: 大尺寸GaN on Si磊晶技術，可協助業界降低生產成本，切入發光二極體與功率元件應用領域。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
DRAM空心柱型電容及其製造方法核准國家: 中華民國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 梁虔碩 李隆盛 | 證書號碼: I284318 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容及其製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 97 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 梁虔碩 李隆盛 | 證書號碼: 7,456,065 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容器及其制造方法核准國家: 中國大陸 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 98 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元 ,梁虔碩 ,李隆盛 , | 證書號碼: ZL200610000286.9 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
DRAM空心柱型電容器及其製造方法核准國家: 美國 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 100 | 專利性質: 發明 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 李亨元,梁虔碩,李隆盛 | 證書號碼: 7,851,843 @ 經濟部產業技術司–專利資料集 |
以分子束磊晶成長三五族含銦磷化物與砷化物於基板之研究執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 光電輸出入模組與應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 以分子束磊晶法成長高品質InP與InGaAs薄膜於Si基板上 | 潛力預估: 利用矽基型材料的積體電路整合特性，可發展整合式光電系統晶片 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TNSC MOVPE 先期研究暨紫外光發光二極體共同開發執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工業基礎技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 建立高鋁含量(>0.3)的AlGaN磊晶參數,釐清現有MOCVD機台極限 | 潛力預估: 預計三年內可以應用在量產品上 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
超薄化/軟性LED照明光源技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 高效能半導體光源及應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Optical Interconnect －Channel number：1×12 Channels。 －Data Rate =10 Gbps / Channel。 －Throughput=120 ... | 潛力預估: ‧ 目前LED光板照明業者均無法製成可彎曲化，也無AC LED的應用，且板狀LED厚度約在3~4cm，因此利用chip in film封裝技術可大幅降低光板厚度達到可撓曲，且快速植晶技術免除SMD封裝... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
TNSC高溫常壓機台GaN磊晶技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 尚在開發中 | 潛力預估: (1)具有Mg高參雜的磊晶效果 (2)具有高品質含鋁(Al)材料的磊晶技術(ex:AlGaN, AlN),可應用在成長高效率的UV LED (3)成長時間快,其磊晶成長速率為低壓機台的2-3倍,可增加... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
QDIP 元件磊晶製程與量測分析執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 建立完整奈米光電偵檢元件製程驗證平台。 | 潛力預估: 可提供實驗室等級分析服務 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
膠囊化液晶技術執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 粒徑2-10 um ± 2um‧ 阻值≧ 1013‧ 膜厚15um,‧ 對比＞6‧ 驅動電壓:≦25 V‧ 反射率>35％ | 潛力預估: 本計劃建立光調控分子結構設計與應用之技術基礎開發，此項技術可用於顯示器產業。預估技術衍生之應用產品，未來3年可增加新台幣20億以上之產值。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化物(藍光)雷射二極體執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 370nm~440nm ,Po≧5mW (CW, RT),single _x000D_transverse mode適用於HD-DVD ROM _x000D_；370nm~440nm ,Po≧30mW... | 潛力預估: 光電所已建立完整DVD LD上游磊晶、中游製程、下游封裝之技術能力，預期未來技術趕上世界水準，開創下世化HD-DVD所需光源。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
氮化鋁鎵紫外線偵檢器磊晶技術執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: AlGaN UV detector (Al>17%) cutoff wavelength < 320nm responsivity>0.05A/W | 潛力預估: 極具軍民通用技術特性，並具創新產品與國內產業應用性 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
Bi-Te系熱電材料長晶技術執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 | 領域: | 技術規格: 熱電優值ZT~1, 直徑>20mm, 長度>250mm, power factor變異量 | 潛力預估: 目前熱電發電及熱電致冷全球市場為4億美元, 未來在節能減碳的需求帶動下將成長至10億美元以上。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |