熱電薄膜元件技術 - 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部 技術名稱-中文熱電薄膜元件技術 的執行單位是工研院材化所 , 產出年度是101 , 計畫名稱是行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 , 技術規格是本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，利用先前熱電薄膜的檢測實驗數據搭配理論計算，評估熱電單位(T... , 潛力預估是隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效熱電薄膜材料技術的發展成熟，未來可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組，以及其他包括通... .
序號 5774 產出年度 101 技術名稱-中文 熱電薄膜元件技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本計畫熱電薄膜材料主要是選用N-type之BiSeTe以及P-type之BiSbTe等組成成份，應用真空濺鍍及電弧離子鍍膜方式製作熱電薄膜材料以及電極等，並且採取微機電製程(MEMS)來開發設計微型熱電薄膜元件，其中透過黃光顯影、薄膜與剝離(Lift-off)等製程完成微型熱電薄膜元件之設計與製程技術開發。製程中熱電薄膜材料必須經過適當參數的熱處理之後，才能呈現較佳熱電優值(Seebeck)以及較低電阻特性。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，利用先前熱電薄膜的檢測實驗數據搭配理論計算，評估熱電單位(Thermoelectric legs)的最佳幾何因子(G, Geometry factor)與厚度(Thickness)，以設計熱電薄膜元件之最佳尺寸與薄膜厚度。目前可以應用此方式達到熱電薄膜元件尺寸5mm×5mm且致冷效率Qmax> 30 W/cm2之技術規格。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 熱電薄膜材料可以設計應用提供具電熱功能、輕薄化及多重質感之家電產品並提高附加價值，而且可以導入表面鍍膜或陶瓷披覆技術兼具快速加熱/冷卻獨特功能之熱電薄膜元件，開發輕巧、可攜式及個人化之微機電產品以及微感測元件產品，進而達到節能減碳產業效益。此外；應用為致冷晶片，對於未來3DIC半導體電子工業工程之熱管理有顯著幫助。 潛力預估 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效熱電薄膜材料技術的發展成熟，未來可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組，以及其他包括通訊、生醫、汽車電子及能源產業，預估熱電材料與DLC薄膜應用元件在2015年達年產值約50億元。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 http://- 所須軟硬體設備 磁控濺鍍系統，快速升溫熱處理爐以及熱電seebeck係數量測設備 需具備之專業人才 材料、物理、化學或是機械科系背景 同步更新日期 2023-07-22
序號 5774 產出年度 101 技術名稱-中文 熱電薄膜元件技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本計畫熱電薄膜材料主要是選用N-type之BiSeTe以及P-type之BiSbTe等組成成份，應用真空濺鍍及電弧離子鍍膜方式製作熱電薄膜材料以及電極等，並且採取微機電製程(MEMS)來開發設計微型熱電薄膜元件，其中透過黃光顯影、薄膜與剝離(Lift-off)等製程完成微型熱電薄膜元件之設計與製程技術開發。製程中熱電薄膜材料必須經過適當參數的熱處理之後，才能呈現較佳熱電優值(Seebeck)以及較低電阻特性。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 本年度完成熱電元件薄膜特性Seebeck> 150 μV/K, Resistivity≦5 mΩcm、PF > 7.1 W/K2cm已具國際水準。此外；建立熱電薄膜元件理論模擬分析技術，首先透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，利用先前熱電薄膜的檢測實驗數據搭配理論計算，評估熱電單位(Thermoelectric legs)的最佳幾何因子(G, Geometry factor)與厚度(Thickness)，以設計熱電薄膜元件之最佳尺寸與薄膜厚度。目前可以應用此方式達到熱電薄膜元件尺寸5mm×5mm且致冷效率Qmax> 30 W/cm2之技術規格。 技術成熟度 雛型 可應用範圍 熱電薄膜材料可以設計應用提供具電熱功能、輕薄化及多重質感之家電產品並提高附加價值，而且可以導入表面鍍膜或陶瓷披覆技術兼具快速加熱/冷卻獨特功能之熱電薄膜元件，開發輕巧、可攜式及個人化之微機電產品以及微感測元件產品，進而達到節能減碳產業效益。此外；應用為致冷晶片，對於未來3DIC半導體電子工業工程之熱管理有顯著幫助。 潛力預估 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10 W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效熱電薄膜材料技術的發展成熟，未來可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組，以及其他包括通訊、生醫、汽車電子及能源產業，預估熱電材料與DLC薄膜應用元件在2015年達年產值約50億元。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 http://- 所須軟硬體設備 磁控濺鍍系統，快速升溫熱處理爐以及熱電seebeck係數量測設備 需具備之專業人才 材料、物理、化學或是機械科系背景 同步更新日期 2023-07-22
序號 5884 產出年度 101 技術名稱-中文 熱電薄膜元件製程技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本計畫開發熱電薄膜元件技術；實驗之進行主要以氧化鋁基板為底材，分別以直交流濺射製程鍍製Bi-Sb-Te之P-type以及Bi-Se-Te之N-type熱電薄膜，並設計製作熱電薄膜雛型元件。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧150μV/K、薄膜電阻率ρ≦5mΩ-cm。 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組；其他應用如致冷晶片、感測元件。 潛力預估 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效熱電薄膜材料技術的發展成熟，未來可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組，以及其他包括通訊、生醫、汽車電子及能源產業，預估熱電材料與DLC薄膜應用元件在2015年達年產值約50億元。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 - 所須軟硬體設備 磁控濺鍍系統，快速升溫熱處理爐以及熱電seebeck係數量測設備 需具備之專業人才 材料、物理、化學或是機械科系背景
序號: 5884 產出年度: 101 技術名稱-中文: 熱電薄膜元件製程技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 可攜式電能與熱電發電材料應用技術開發計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本計畫開發熱電薄膜元件技術；實驗之進行主要以氧化鋁基板為底材，分別以直交流濺射製程鍍製Bi-Sb-Te之P-type以及Bi-Se-Te之N-type熱電薄膜，並設計製作熱電薄膜雛型元件。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: (1)微型熱電薄膜元件之模擬設計技術；透過理論計算以及考量製程的解析度與薄膜沈積速率，預估熱電單位的最佳幾何因子與厚度。(2)薄膜材料製程技術開發；薄膜厚度＞5 μm、seekback係數(絕對值)≧150μV/K、薄膜電阻率ρ≦5mΩ-cm。 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組；其他應用如致冷晶片、感測元件。 潛力預估: 隨著電子產品持續往輕薄短小的趨勢發展，晶片散熱問題成為微電子產品性能與壽命的關鍵決定因素。傳統的熱電元件體積較大，且其冷卻功率密度僅約~10W/cm2，尚未能達到高功率IC晶片以及微小元件的需求。高效熱電薄膜材料技術的發展成熟，未來可與3DIC散熱模組整合成主動溫控特色之熱管理模組，以及其他包括通訊、生醫、汽車電子及能源產業，預估熱電材料與DLC薄膜應用元件在2015年達年產值約50億元。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: - 所須軟硬體設備: 磁控濺鍍系統，快速升溫熱處理爐以及熱電seebeck係數量測設備 需具備之專業人才: 材料、物理、化學或是機械科系背景
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根據電話 03-5915214 找到的相關資料 (以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5915214 序號 4957 產出年度 100 技術名稱-中文 熱電表面反擴散接合技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 熱電發電模組及節能應用技術計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 藉由熔射技術開發熱電元件的發電電源傳導層及擴散阻隔層 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 導電金屬層及擴散阻隔層總厚度已可達150μm以上，塗層孔隙率可小於15%，擴散阻隔距離已可達0.6mm以內 技術成熟度 雛型 可應用範圍 熱電元件介面材料 潛力預估 預期本技術將可以提供熱電晶片模組較低的製造成本，對於日後的產品應用幫助甚大。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5915214 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 - 所須軟硬體設備 熔射製程設備 需具備之專業人才 材料、物理、化工
序號: 4957 產出年度: 100 技術名稱-中文: 熱電表面反擴散接合技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 熱電發電模組及節能應用技術計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 藉由熔射技術開發熱電元件的發電電源傳導層及擴散阻隔層 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 導電金屬層及擴散阻隔層總厚度已可達150μm以上，塗層孔隙率可小於15%，擴散阻隔距離已可達0.6mm以內 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 熱電元件介面材料 潛力預估: 預期本技術將可以提供熱電晶片模組較低的製造成本，對於日後的產品應用幫助甚大。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5915214 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: - 所須軟硬體設備: 熔射製程設備 需具備之專業人才: 材料、物理、化工
序號 5189 產出年度 100 技術名稱-中文 熱電薄膜材料 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 應用磁控濺鍍電漿沉積技術，開發Bi-Te系列熱電系列薄膜材料及製程技術。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 熱電薄膜厚度?5 μm，電阻率≦5 mΩ-cm，Seebeck係數?150 μV/K 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 可作為高效率溫差發電及散熱模組之用途 潛力預估 目前在國內外市場屬於萌芽階段。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5915214 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 - 所須軟硬體設備 鍍膜機台 需具備之專業人才 材料、物理、化工
序號: 5189 產出年度: 100 技術名稱-中文: 熱電薄膜材料 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 行動智慧系統電子材料及應用技術開發計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 應用磁控濺鍍電漿沉積技術，開發Bi-Te系列熱電系列薄膜材料及製程技術。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 熱電薄膜厚度?5 μm，電阻率≦5 mΩ-cm，Seebeck係數?150 μV/K 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 可作為高效率溫差發電及散熱模組之用途 潛力預估: 目前在國內外市場屬於萌芽階段。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5915214 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: - 所須軟硬體設備: 鍍膜機台 需具備之專業人才: 材料、物理、化工
序號 245 產出年度 93 技術名稱-中文 高密度電漿鍍膜技術 執行單位 工研院材料所 產出單位 (空) 計畫名稱 高性能金屬材料技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 以脈衝雷射電弧鍍膜(Pulse Laser Arc Deposition)技術，在微細鑽頭表面成長氮化物多層複合薄膜，及其線上壽命測試分析。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 技術成熟度 試量產 可應用範圍 應用於現有之PCB高速精密加工之微細鑽頭、壓鑄件成形加工刀具產品、硬碟讀取頭元件、生物醫療器材及各種精密模具等的表面改質鍍膜。此外；低溫成長功能性氧化物薄膜亦是其特殊之應用領域。 潛力預估 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸鍍法製程除了解決環保污染問題外，並可提高產品效能，是合乎經濟效益及環保要求之改良材料表面技術。 聯絡人員 呂明生 電話 (03) 5915214 傳真 (03)5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 真空電弧離子鍍膜機、鍍膜製程技術 需具備之專業人才 真空電弧離子鍍膜應用/製造經驗
序號: 245 產出年度: 93 技術名稱-中文: 高密度電漿鍍膜技術 執行單位: 工研院材料所 產出單位: (空) 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 以脈衝雷射電弧鍍膜(Pulse Laser Arc Deposition)技術，在微細鑽頭表面成長氮化物多層複合薄膜，及其線上壽命測試分析。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 多層奈米複合薄膜之薄膜表面硬度值＞ 40 GPa，薄膜表面平均粗糙度Ra＜0.05μm。 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 應用於現有之PCB高速精密加工之微細鑽頭、壓鑄件成形加工刀具產品、硬碟讀取頭元件、生物醫療器材及各種精密模具等的表面改質鍍膜。此外；低溫成長功能性氧化物薄膜亦是其特殊之應用領域。 潛力預估: 改良磁濾式電弧離子被覆法蒸鍍多層氮化物薄膜製程技術可應用於PCB高速精密加工之微細鑽頭表面，此外並應用此技術製作高品質鑄幣印花模具表面之多層氮化物薄膜，磨耗壽命與傳統之電鍍硬鉻法處理相當。此物理氣相蒸鍍法製程除了解決環保污染問題外，並可提高產品效能，是合乎經濟效益及環保要求之改良材料表面技術。 聯絡人員: 呂明生 電話: (03) 5915214 傳真: (03)5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 真空電弧離子鍍膜機、鍍膜製程技術 需具備之專業人才: 真空電弧離子鍍膜應用/製造經驗
序號 1077 產出年度 94 技術名稱-中文 高密度電漿離子鍍膜製程技術 執行單位 工研院材料所 產出單位 (空) 計畫名稱 高性能金屬材料技術三年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 應用高密度電漿離子鍍膜製程技術蒸鍍透明導電氧化物薄膜材料於可撓性基材表面，完成鍍膜面積30×30 cm2塑膠基材表面製作具抗反射及硬塗層之透明導電膜材料；開發可供製程驗證用途之平面式高密度電漿離子鍍膜設備及相關技術。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 鍍膜面積>30×30 c m2；單位面積電阻率3H。膜厚誤差< 10 %；透明度>80 %；反射率 技術成熟度 雛型 可應用範圍 適用於高電磁擾動或是透明導電氧化物成膜之技術，具有鍍膜速率高、薄膜附著性高以及密度高之優點。未來本製程技術主要發展在塑膠基板上製成高電磁擾動或是低電阻之透明導電膜，可以應用在紅外線反射膜或是可撓性顯示器之相關產品上。 潛力預估 支援應用於3C產業，降低材料成本與提昇材料品質。可結合設備之研發與相關製程配合以達成完整 3C或是TFT-LCD 產業發展体系。 聯絡人員 呂明生 電話 (03) 5915214 傳真 (03)5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備 真空電弧離子鍍膜機、鍍膜製程技術 需具備之專業人才 真空電弧離子鍍膜應用/製造經驗
序號: 1077 產出年度: 94 技術名稱-中文: 高密度電漿離子鍍膜製程技術 執行單位: 工研院材料所 產出單位: (空) 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 應用高密度電漿離子鍍膜製程技術蒸鍍透明導電氧化物薄膜材料於可撓性基材表面，完成鍍膜面積30×30 cm2塑膠基材表面製作具抗反射及硬塗層之透明導電膜材料；開發可供製程驗證用途之平面式高密度電漿離子鍍膜設備及相關技術。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 鍍膜面積>30×30 c m2；單位面積電阻率3H。膜厚誤差< 10 %；透明度>80 %；反射率 技術成熟度: 雛型 可應用範圍: 適用於高電磁擾動或是透明導電氧化物成膜之技術，具有鍍膜速率高、薄膜附著性高以及密度高之優點。未來本製程技術主要發展在塑膠基板上製成高電磁擾動或是低電阻之透明導電膜，可以應用在紅外線反射膜或是可撓性顯示器之相關產品上。 潛力預估: 支援應用於3C產業，降低材料成本與提昇材料品質。可結合設備之研發與相關製程配合以達成完整 3C或是TFT-LCD 產業發展体系。 聯絡人員: 呂明生 電話: (03) 5915214 傳真: (03)5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: http://www.itri.org.tw/ 所須軟硬體設備: 真空電弧離子鍍膜機、鍍膜製程技術 需具備之專業人才: 真空電弧離子鍍膜應用/製造經驗
序號 1952 產出年度 96 技術名稱-中文 高導熱DLC薄膜技術-DLC耐蝕電極材料技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 在一金屬基材上成長低阻抗的導體材料，以達提升電容量，降低阻抗之目的。可做為固態高分子電解電容器之陰極。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 比電阻≦10-3Ω.cm ; 抗高溫氧化性(~300℃) 抗腐蝕性 (pH~1) ; 鋁箔基材良好接著性 技術成熟度 試量產 可應用範圍 固態高分子電解電容器陰極之應用 潛力預估 未來可擴充應用作為各類陰極電極材料 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 真空陰極電弧鍍膜系統 需具備之專業人才 鍍膜材料技術相關背景
序號: 1952 產出年度: 96 技術名稱-中文: 高導熱DLC薄膜技術-DLC耐蝕電極材料技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 在一金屬基材上成長低阻抗的導體材料，以達提升電容量，降低阻抗之目的。可做為固態高分子電解電容器之陰極。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 比電阻≦10-3Ω.cm ; 抗高溫氧化性(~300℃) 抗腐蝕性 (pH~1) ; 鋁箔基材良好接著性 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 固態高分子電解電容器陰極之應用 潛力預估: 未來可擴充應用作為各類陰極電極材料 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 真空陰極電弧鍍膜系統 需具備之專業人才: 鍍膜材料技術相關背景
序號 2816 產出年度 97 技術名稱-中文 大氣電漿熔射塗層技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本研發技術目標為開發大氣電漿製作高散熱；絕緣耐高壓之材料及製程技術，擴大國內廠商建立相關材料領域之應用與市場競爭能力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 膜層厚度50~300um；絕緣耐電壓> 1000 V；降低材料熱阻抗 >10% 技術成熟度 試量產 可應用範圍 應用產品: 光電半導體載台或高功率LED等之散熱基板 潛力預估 目前國內尚無相關技術；本計畫建立高品質而成本價格適中之導熱絕緣材料技術，提供國內廠商製作生產高性能產品之關鍵材料及技術。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 大氣電漿熔射系統，工件表面前處理設備 需具備之專業人才 材料,機械或物理相關系所背景
序號: 2816 產出年度: 97 技術名稱-中文: 大氣電漿熔射塗層技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本研發技術目標為開發大氣電漿製作高散熱；絕緣耐高壓之材料及製程技術，擴大國內廠商建立相關材料領域之應用與市場競爭能力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 膜層厚度50~300um；絕緣耐電壓> 1000 V；降低材料熱阻抗 >10% 技術成熟度: 試量產 可應用範圍: 應用產品: 光電半導體載台或高功率LED等之散熱基板 潛力預估: 目前國內尚無相關技術；本計畫建立高品質而成本價格適中之導熱絕緣材料技術，提供國內廠商製作生產高性能產品之關鍵材料及技術。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 大氣電漿熔射系統，工件表面前處理設備 需具備之專業人才: 材料,機械或物理相關系所背景
序號 2817 產出年度 97 技術名稱-中文 TCO電漿成膜技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 本研發技術目標為開發高密度電漿製作透明導電薄膜之材料及製程技術，擴大國內廠商建立相關材料領域之應用與市場競爭能力。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 ITO or AZO薄膜；製程溫度＜120℃；電阻係數＜0.001 Ohm-cm；光穿透率＞85% 技術成熟度 實驗室階段 可應用範圍 應用產品: 太陽能光電產品或觸控式面板等 潛力預估 本計畫於國內建立高品質而價格適中之TCO薄膜材料及設備製程技術，提供國內廠商穩定且可靠之關鍵材料及設備。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03-5820207 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 雷射電弧離子電漿鍍膜系統 需具備之專業人才 材料,機械或物理相關系所背景
序號: 2817 產出年度: 97 技術名稱-中文: TCO電漿成膜技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 本研發技術目標為開發高密度電漿製作透明導電薄膜之材料及製程技術，擴大國內廠商建立相關材料領域之應用與市場競爭能力。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: ITO or AZO薄膜；製程溫度＜120℃；電阻係數＜0.001 Ohm-cm；光穿透率＞85% 技術成熟度: 實驗室階段 可應用範圍: 應用產品: 太陽能光電產品或觸控式面板等 潛力預估: 本計畫於國內建立高品質而價格適中之TCO薄膜材料及設備製程技術，提供國內廠商穩定且可靠之關鍵材料及設備。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03-5820207 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 雷射電弧離子電漿鍍膜系統 需具備之專業人才: 材料,機械或物理相關系所背景
序號 2940 產出年度 97 技術名稱-中文 高導熱薄膜熱傳測試及應用技術 執行單位 工研院材化所 產出單位 (空) 計畫名稱 材料與化工領域環境建構計畫 領域 (空) 已申請專利之國家 (空) 已獲得專利之國家 (空) 技術現況敘述-中文 對於surface area to volume比很高的薄膜材料可有效量測其熱擴散係統。10微米以下薄膜可作有效量測。直接量相變化推算其熱流損失得到熱擴散特性，對於薄膜特別有效。建立資料庫可對不同匹配基材或多層薄膜作比較。無法直接測得薄膜之熱傳導係數值，必須同時量測分析薄膜之比熱及密度值。 技術現況敘述-英文 (空) 技術規格 建立薄膜材料熱性質量測技術與性能設計驗證能力 - 可測薄膜材料厚度50 nm~1mm - 可測熱傳導係數k範圍 ＞ 500W/m‧K 技術成熟度 其他 可應用範圍 薄膜材料(50 nm~1mm)熱傳導係數量測方法評估 薄膜實際應用於熱電模組性能測試評估 潛力預估 協助國內建立高導熱薄膜材料量測與應用技術。本材料熱傳評估技術建立完成後，可掌握高導熱薄膜基本材料特性以及加速對於材料設計效果之驗證時程。 聯絡人員 呂明生 電話 03-5915214 傳真 03- 電子信箱 menson@itri.org.tw 參考網址 (空) 所須軟硬體設備 熱導零組件生產與應用產業 需具備之專業人才 需化學分析專業能力
序號: 2940 產出年度: 97 技術名稱-中文: 高導熱薄膜熱傳測試及應用技術 執行單位: 工研院材化所 產出單位: (空) 計畫名稱: 材料與化工領域環境建構計畫 領域: (空) 已申請專利之國家: (空) 已獲得專利之國家: (空) 技術現況敘述-中文: 對於surface area to volume比很高的薄膜材料可有效量測其熱擴散係統。10微米以下薄膜可作有效量測。直接量相變化推算其熱流損失得到熱擴散特性，對於薄膜特別有效。建立資料庫可對不同匹配基材或多層薄膜作比較。無法直接測得薄膜之熱傳導係數值，必須同時量測分析薄膜之比熱及密度值。 技術現況敘述-英文: (空) 技術規格: 建立薄膜材料熱性質量測技術與性能設計驗證能力 - 可測薄膜材料厚度50 nm~1mm - 可測熱傳導係數k範圍 ＞ 500W/m‧K 技術成熟度: 其他 可應用範圍: 薄膜材料(50 nm~1mm)熱傳導係數量測方法評估 薄膜實際應用於熱電模組性能測試評估 潛力預估: 協助國內建立高導熱薄膜材料量測與應用技術。本材料熱傳評估技術建立完成後，可掌握高導熱薄膜基本材料特性以及加速對於材料設計效果之驗證時程。 聯絡人員: 呂明生 電話: 03-5915214 傳真: 03- 電子信箱: menson@itri.org.tw 參考網址: (空) 所須軟硬體設備: 熱導零組件生產與應用產業 需具備之專業人才: 需化學分析專業能力
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執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 | 領域: 3GPP TS34.124 | 潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發
執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 | 領域: 比重0.4以下、磨耗值DIN 250以下、NBS 80以上、抗靜電性105? | 潛力預估: 應用導電性纖維開發抗靜電鞋，賦予鞋底新功能，避免電器環境下肚人體健康的危害，協助產業商品研發設計能力的提升，且能符合美、日、歐體、加拿大等國規範，提昇國際競爭力。
執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 | 領域: 厚度為3~5mm、鞋面耐水壓11,000mmH2O、透濕度6,000g/ m2/24hr；遠紅外線織物不產生對人體有害之放射線。 | 潛力預估: 增加鞋品保健功能，其纖維內部之特殊毛細管壁集中空孔道可以迅速吸走大量汗液，提供更舒適的鞋品。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 固含量10wt%以上奈米結晶光觸媒的懸浮溶液，結晶粒徑5nm，晶相為銳鈦礦，可塗布形成透明之光催化薄膜，具備有除臭、抗菌抑霉、自潔與除污的效果。 | 潛力預估: 本技術用於相關機能性民生材料，包括抗菌自潔之家具、衛浴設備、室內外磁磚、建材或汽車玻璃、 去除VOC、醛類與殺菌之空氣清淨設備以及潔淨水處理設備等。未來預估相關產品產值將達新台幣50億元。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1. 試量產規模
2. 粒徑約 170 nm
3.熱分解溫度高於250℃ | 潛力預估: 國內的印刷電路板、元件（如連接器）、絕緣披覆線與塑膠外殼等產業，其年產值高達數千億，預估無機難燃劑在台灣整體之需求約1.5-2萬噸，約值8-12億元的市場。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 奈米無鹵難燃劑均勻分散於ABS樹脂，摻混調配環境相容奈米無鹵難燃ABS材料。 | 潛力預估: 因應歐盟依法規RoHS限令，非鹵素系難燃塑膠材料切入適宜時機，防火ABS材料主要應用於各3C資訊及家電產品外殼，國內廠商年用量達12萬噸，材料產值約計60億元/年，而市面上並無鹵難燃ABS產品，因而值...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1.接觸角>150°
2.百格測試 100/100
3.耐刷洗>5000次 | 潛力預估: 臺灣的塗料工業是市場規模大的特用化學品，以產值而言，在特用化學品中佔第二位，僅次於醫藥工業。92年高達266.5億元的產值，其中建築塗料佔40％左右約100億的產值。目前國內使用自潔塗料甚少，因此極具...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1.金觸媒粒徑 | 潛力預估: 1.奈米金觸媒於室溫氧化一氧化碳的去除相關應用
2.室溫高濃度氫氣流中氧化一氧化碳相關應用
3.工業氫化觸媒的保護裝置
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 實驗室純化技術及微量不純物分析，各別金屬不純物小於10 ppm。 | 潛力預估: 本技術預期將可應用於有機電激發光平面顯示器元件材料、市場產品潛力預估可達2億元。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 反射率≦1.5%、穿透度≧93%、表面硬度≧2H | 潛力預估: 平面顯示器用抗反射光學薄膜為平面顯示器之重要關鍵零組件，且相關需求急遽增加，其產業關連性大，市場潛力大，附加價值高，然國內廠商仍無生產能力需仰賴國外進口，該產品2003年全球市場達新台幣95億元，平均...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場，微光學元件與平面顯示器光學模組
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格（混練後Delta H需達165 J/g）
2.押出平板（12*12 cm）* 5 m與金屬片貼合技術之建立，所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 比表面積：151~661m2/g，孔徑：4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板（Polyimides）的填充材料，使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8（測試頻率為1MHz），且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制，此結果優於美國...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: 樹脂之延伸率：500%、耐水壓：8000 mmH2O、透濕度：6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用，預估可促進投...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2，。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發，預估可具有7億元以上之市...
執行單位: 中科院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 寬頻行動通訊系統整合技術發展三年計畫 | 領域: 3GPP TS34.124 | 潛力預估: 3G CDMA用戶端產品開發
執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 | 領域: 比重0.4以下、磨耗值DIN 250以下、NBS 80以上、抗靜電性105? | 潛力預估: 應用導電性纖維開發抗靜電鞋，賦予鞋底新功能，避免電器環境下肚人體健康的危害，協助產業商品研發設計能力的提升，且能符合美、日、歐體、加拿大等國規範，提昇國際競爭力。
執行單位: 鞋技中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: 舒適保健鞋技術開發三年計畫 | 領域: 厚度為3~5mm、鞋面耐水壓11,000mmH2O、透濕度6,000g/ m2/24hr；遠紅外線織物不產生對人體有害之放射線。 | 潛力預估: 增加鞋品保健功能，其纖維內部之特殊毛細管壁集中空孔道可以迅速吸走大量汗液，提供更舒適的鞋品。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 固含量10wt%以上奈米結晶光觸媒的懸浮溶液，結晶粒徑5nm，晶相為銳鈦礦，可塗布形成透明之光催化薄膜，具備有除臭、抗菌抑霉、自潔與除污的效果。 | 潛力預估: 本技術用於相關機能性民生材料，包括抗菌自潔之家具、衛浴設備、室內外磁磚、建材或汽車玻璃、 去除VOC、醛類與殺菌之空氣清淨設備以及潔淨水處理設備等。未來預估相關產品產值將達新台幣50億元。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1. 試量產規模
2. 粒徑約 170 nm
3.熱分解溫度高於250℃ | 潛力預估: 國內的印刷電路板、元件（如連接器）、絕緣披覆線與塑膠外殼等產業，其年產值高達數千億，預估無機難燃劑在台灣整體之需求約1.5-2萬噸，約值8-12億元的市場。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 奈米無鹵難燃劑均勻分散於ABS樹脂，摻混調配環境相容奈米無鹵難燃ABS材料。 | 潛力預估: 因應歐盟依法規RoHS限令，非鹵素系難燃塑膠材料切入適宜時機，防火ABS材料主要應用於各3C資訊及家電產品外殼，國內廠商年用量達12萬噸，材料產值約計60億元/年，而市面上並無鹵難燃ABS產品，因而值...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1.接觸角>150°
2.百格測試 100/100
3.耐刷洗>5000次 | 潛力預估: 臺灣的塗料工業是市場規模大的特用化學品，以產值而言，在特用化學品中佔第二位，僅次於醫藥工業。92年高達266.5億元的產值，其中建築塗料佔40％左右約100億的產值。目前國內使用自潔塗料甚少，因此極具...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 1.金觸媒粒徑 | 潛力預估: 1.奈米金觸媒於室溫氧化一氧化碳的去除相關應用
2.室溫高濃度氫氣流中氧化一氧化碳相關應用
3.工業氫化觸媒的保護裝置
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: 實驗室純化技術及微量不純物分析，各別金屬不純物小於10 ppm。 | 潛力預估: 本技術預期將可應用於有機電激發光平面顯示器元件材料、市場產品潛力預估可達2億元。
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 反射率≦1.5%、穿透度≧93%、表面硬度≧2H | 潛力預估: 平面顯示器用抗反射光學薄膜為平面顯示器之重要關鍵零組件，且相關需求急遽增加，其產業關連性大，市場潛力大，附加價值高，然國內廠商仍無生產能力需仰賴國外進口，該產品2003年全球市場達新台幣95億元，平均...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: feature size between 200-300nm,deviation | 潛力預估: 在高容量光儲存媒體上到2008年具有十億美金的市場，微光學元件與平面顯示器光學模組
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 1.合成HDPE材料10Kg或同等級商品規格（混練後Delta H需達165 J/g）
2.押出平板（12*12 cm）* 5 m與金屬片貼合技術之建立，所試作之元件其PTC值大於3.5 | 潛力預估: 美金五億產值
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: 比表面積：151~661m2/g，孔徑：4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板（Polyimides）的填充材料，使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8（測試頻率為1MHz），且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制，此結果優於美國...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: 樹脂之延伸率：500%、耐水壓：8000 mmH2O、透濕度：6000 g/m2/D。 | 潛力預估: 本技術所開發的透濕防水TPU材料，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/中(薄膜加工廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用，預估可促進投...
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: 纖維研製及應用技術發展四年計畫 | 領域: 織物之表面電阻可達到2.0x108W/cm2，。水洗染色堅牢度可達4至5級。 | 潛力預估: 本技術所開發的新型抗靜電效果之織物，兼具環保、技術升級與自主性之特色，連結上(樹脂廠)/下游(織物處理廠)應用可提升國家產業競爭力，加速傳統產業拓展機能性織物及薄膜之應用開發，預估可具有7億元以上之市...