MRAM 元件製程技術 @ 政府開放資料
MRAM 元件製程技術 - 搜尋結果總共有 14 筆政府開放資料，以下是 1 - 14 [第 1 頁]。
MRAM 元件製程技術 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
MRAM / Spin-RAM | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Spin-RAM， MR Ratio>=40%；RA | 潛力預估: 工研院電光所與台積電在磁性記憶體的研發一直有著密切的合作關係，憑藉多年來的研發經驗與優質的研發成果，已協助台積電完成製程設備之評估，並在設備引進前協助元件製程開發以縮短台積電建立製程baseline的... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: "‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch)... | 潛力預估: "‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新興三維記憶體(MRAM)元件技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns， Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 本提案中的磁性記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代動態存取記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新興三維記憶體(MRAM)元件技術 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns， Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 本提案中的磁性記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代動態存取記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Spin-RAM, 磁性穿隧元件短邊=80%, RA(等效阻值)=106, I (電流) < 300μA , Writing time (讀取時間) | 潛力預估: MRAM團隊多年來的研發經驗與優質的研發成果，成功促使台積電成立12”晶圓之MRAM研發與量廠團隊，正式於國內落實MRAM產業。團隊並持續扮演業界研發先鋒的角色，開始將研發主軸往更先進的垂直式自旋元件... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體技術 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: •以電子束微影技術開發短邊≦0.15 μm的橢圓MTJ結構。_x000D_•等效阻值RA≦30 Ωμm2。_x000D_•寫入電流密度Jc0≦2.2×106 A/cm2。_x000D__x000D_ | 潛力預估: 磁性記憶體(MRAM)優異的讀寫速度被認為將有機會取代嵌入式DRAM與SRAM市場，目前全球只有Freescale推出4Mbit容量的產品於市場上，而台灣工研院目前與台積電合作的MRAM，已成功試製1... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧MR Ratio >50%；RA(等效阻值) 1~2 kΩμm2 ‧MTJ Size(Short side)=0.36μm ‧Switching Current < 7 mA ‧以Synch... | 潛力預估: 潛力預估 : 目前Freescale所推之MRAM是以取代Battery-Backup SRAM為主，其市場約2億美金，若能切入車用記憶體，市場規模可達10億美金，而因可攜式電子產品的快速成長與多功能... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧MR Ratio >50%；RA(等效阻值) 1~2 kΩμm2 ‧MTJ Size(Short side)=0.36μm ‧Switching Current < 7 mA ‧以Synch... | 潛力預估: 潛力預估 : 目前Freescale所推之MRAM是以取代Battery-Backup SRAM為主，其市場約2億美金，若能切入車用記憶體，市場規模可達10億美金，而因可攜式電子產品的快速成長與多功能... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: -MTJ AEI CD可縮小至58 nm -達成MR = 118.8 % @ RA =17.8 Ω-μm2之特性驗證 -達成寫入電流58uA(AP-P)與71uA(P-AP)之翻轉特性驗證 -完成35... | 潛力預估: 由於具有比其他現有記憶體更為優異的特性，自旋磁性記憶體一直都是國際大廠與研究單位熱門的研究主題。主要的研發團隊都集中在美國與日本，而國內台積電也於2008年正式投入研發。目前雖然已有64Mb雛型晶片展... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
垂直式自旋傳輸記憶體技術 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 開發Low power MTJ技術：MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
MRAM 元件製程技術執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 產出單位: | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 領域: | 技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109... | 潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術，提升自旋磁性記憶體量產可行性：開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
MRAM / Spin-RAM執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Spin-RAM， MR Ratio>=40%；RA | 潛力預估: 工研院電光所與台積電在磁性記憶體的研發一直有著密切的合作關係，憑藉多年來的研發經驗與優質的研發成果，已協助台積電完成製程設備之評估，並在設備引進前協助元件製程開發以縮短台積電建立製程baseline的... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: "‧Write time ? 20ns,Endurance ? 10^12 cycles@20ns or equivalent ‧?6F²/bit(F:Bitline Half-pitch)... | 潛力預估: "‧垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 ‧電阻式記憶體是一種新興的非揮發性記憶體技術，其儲存核心是一個... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新興三維記憶體(MRAM)元件技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns， Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 本提案中的磁性記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代動態存取記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
新興三維記憶體(MRAM)元件技術執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns， Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 本提案中的磁性記憶體不但具有上述優異特性，也展示出取代動態存取記憶體的可能性，此外，在製程上與現今CMOS製程完全相容，所以，具有相當的市場接受性。 國內除了少數公司投入研發之外，可替代之技術來源皆... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Spin-RAM, 磁性穿隧元件短邊=80%, RA(等效阻值)=106, I (電流) < 300μA , Writing time (讀取時間) | 潛力預估: MRAM團隊多年來的研發經驗與優質的研發成果，成功促使台積電成立12”晶圓之MRAM研發與量廠團隊，正式於國內落實MRAM產業。團隊並持續扮演業界研發先鋒的角色，開始將研發主軸往更先進的垂直式自旋元件... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體技術執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: •以電子束微影技術開發短邊≦0.15 μm的橢圓MTJ結構。_x000D_•等效阻值RA≦30 Ωμm2。_x000D_•寫入電流密度Jc0≦2.2×106 A/cm2。_x000D__x000D_ | 潛力預估: 磁性記憶體(MRAM)優異的讀寫速度被認為將有機會取代嵌入式DRAM與SRAM市場，目前全球只有Freescale推出4Mbit容量的產品於市場上，而台灣工研院目前與台積電合作的MRAM，已成功試製1... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
可應用於三維堆疊式架構之固態記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA 2. I(V)/I(V/2) ≧100，I≦100uA，Cell size≦4F^2，Half pitch... | 潛力預估: 1. 垂直式自旋磁性記憶體技術」(MRAM)成功解決元件變小時容易導致記憶體失效的技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧MR Ratio >50%；RA(等效阻值) 1~2 kΩμm2 ‧MTJ Size(Short side)=0.36μm ‧Switching Current < 7 mA ‧以Synch... | 潛力預估: 潛力預估 : 目前Freescale所推之MRAM是以取代Battery-Backup SRAM為主，其市場約2億美金，若能切入車用記憶體，市場規模可達10億美金，而因可攜式電子產品的快速成長與多功能... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
磁性記憶體技術執行單位: 工研院電光系統所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: ‧MR Ratio >50%；RA(等效阻值) 1~2 kΩμm2 ‧MTJ Size(Short side)=0.36μm ‧Switching Current < 7 mA ‧以Synch... | 潛力預估: 潛力預估 : 目前Freescale所推之MRAM是以取代Battery-Backup SRAM為主，其市場約2億美金，若能切入車用記憶體，市場規模可達10億美金，而因可攜式電子產品的快速成長與多功能... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
自旋記憶體執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵及應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: -MTJ AEI CD可縮小至58 nm -達成MR = 118.8 % @ RA =17.8 Ω-μm2之特性驗證 -達成寫入電流58uA(AP-P)與71uA(P-AP)之翻轉特性驗證 -完成35... | 潛力預估: 由於具有比其他現有記憶體更為優異的特性，自旋磁性記憶體一直都是國際大廠與研究單位熱門的研究主題。主要的研發團隊都集中在美國與日本，而國內台積電也於2008年正式投入研發。目前雖然已有64Mb雛型晶片展... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |
垂直式自旋傳輸記憶體技術執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 開發Low power MTJ技術：MTJ CD≦50nm，Switching≦50ns，Vc≦0.6V，Ic≦80uA | 潛力預估: 垂直式自旋傳輸記憶體技術，其研究結果已顯示極低的寫入電流密度以及國際首見對稱的寫入電壓，具有45nm以下的embedded應用潛力。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 |