MRAM 元件製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文MRAM 元件製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 技術規格是本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current, 潛力預估是MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。.

序號675
產出年度93
技術名稱-中文MRAM 元件製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。
潛力預估MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
同步更新日期2023-07-22

序號

675

產出年度

93

技術名稱-中文

MRAM 元件製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用磁性穿隧接面(Magnetic Tunneling Junction)元件作為MRAM記憶體之核心,所呈現獨特的磁阻特性,具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後脫穎而出之終極記憶體(Ultimate Memory)。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等。

潛力預估

MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

hchang@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1343

所須軟硬體設備

具記憶體元件開發能力之半導體廠

需具備之專業人才

CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

同步更新日期

2023-07-22

根據名稱 MRAM 元件製程技術 找到的相關資料

# MRAM 元件製程技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號5139
產出年度100
技術名稱-中文自旋記憶體
執行單位工研院電光所
產出單位(空)
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文自旋傳輸翻轉已被認為是高密度磁性記憶體最佳的寫入模式。隨著技術結點不斷縮小,降低寫入電流密度並維持高的熱穩定性,對於自旋傳輸技術上仍是一大挑戰。近年來已有實驗與理論預測以垂直磁化材料取代傳統的水平磁化材料之垂直式自旋傳輸元件將有機會突破此瓶頸,但如何以垂直磁化材料製高品質的自旋傳輸元件將是另一個難題。工研院已開發出以鈷/白金多層膜為垂直磁性層之垂直式磁性元件結構,並得到符合自旋傳輸記憶體所需之低阻值、高磁阻變化率與自旋傳輸翻轉之元件特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109 cycles@20ns or equivalent
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍? Smart Cellular Phone ? Digital Camera, PDA ? Embedded Memory ? Portable USB Drive ? Ultimate Memory"
潛力預估已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術,提升自旋磁性記憶體量產可行性:開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得到 CD=50nm之MTJ,且元件profile亦可有顯著的改善,於contact製程最佳化後,MTJ cross wafer yield可達81%。
聯絡人員鍾佩翰
電話03-5912777
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/02.asp?RootNodeId=040&NodeId=041
所須軟硬體設備1.MRAM PVD 2.MRAM Etcher 3.Magnetic Furnace 4.MRAM Tester 5.其它 CMOS 製程相關設備"
需具備之專業人才1.半導體製程能力 2.IC電路設計 3.記憶體應用設計"
序號: 5139
產出年度: 100
技術名稱-中文: 自旋記憶體
執行單位: 工研院電光所
產出單位: (空)
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 自旋傳輸翻轉已被認為是高密度磁性記憶體最佳的寫入模式。隨著技術結點不斷縮小,降低寫入電流密度並維持高的熱穩定性,對於自旋傳輸技術上仍是一大挑戰。近年來已有實驗與理論預測以垂直磁化材料取代傳統的水平磁化材料之垂直式自旋傳輸元件將有機會突破此瓶頸,但如何以垂直磁化材料製高品質的自旋傳輸元件將是另一個難題。工研院已開發出以鈷/白金多層膜為垂直磁性層之垂直式磁性元件結構,並得到符合自旋傳輸記憶體所需之低阻值、高磁阻變化率與自旋傳輸翻轉之元件特性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 垂直式自旋傳輸元件:MR> 60%, RA < 15Ωµm2, Ic < 200μA, Eb > 60kBT@RT, Write time < 20 ns, Endurance > 109 cycles@20ns or equivalent
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: ? Smart Cellular Phone ? Digital Camera, PDA ? Embedded Memory ? Portable USB Drive ? Ultimate Memory"
潛力預估: 已開發出垂直磁化自旋記憶體元件製程技術,提升自旋磁性記憶體量產可行性:開發dual hard mask以及spacer結構for p-MTJ製程技術。搭配e-beam litho以及蝕刻最佳化參數可得到 CD=50nm之MTJ,且元件profile亦可有顯著的改善,於contact製程最佳化後,MTJ cross wafer yield可達81%。
聯絡人員: 鍾佩翰
電話: 03-5912777
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/tech-transfer/02.asp?RootNodeId=040&NodeId=041
所須軟硬體設備: 1.MRAM PVD 2.MRAM Etcher 3.Magnetic Furnace 4.MRAM Tester 5.其它 CMOS 製程相關設備"
需具備之專業人才: 1.半導體製程能力 2.IC電路設計 3.記憶體應用設計"
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# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 1

序號8331
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家中華民國
獲證日期100/03/07
證書號碼I338392
專利期間起100/03/01
專利期間訖118/04/23
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱tephen.chung@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8331
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 中華民國
獲證日期: 100/03/07
證書號碼: I338392
專利期間起: 100/03/01
專利期間訖: 118/04/23
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: tephen.chung@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–專利資料集 - 2

序號8332
產出年度100
領域別電資通光
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位工研院電光所
產出單位工研院電光所
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人FREDERICKT.CHEN
核准國家美國
獲證日期100/03/10
證書號碼7,888,155
專利期間起100/02/15
專利期間訖118/07/31
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文(空)
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)
序號: 8332
產出年度: 100
領域別: 電資通光
專利名稱-中文: 相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位: 工研院電光所
產出單位: 工研院電光所
計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人: FREDERICKT.CHEN
核准國家: 美國
獲證日期: 100/03/10
證書號碼: 7,888,155
專利期間起: 100/02/15
專利期間訖: 118/07/31
專利性質: 發明
技術摘要-中文: 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括:一第一電極形成於一基板;一第一介電層形成於該第一電極之上,其中該第一介電層具有一開口,且該開口露出該第一電極之一上表面;一柱狀結構直接形成該第一電極上,並位於該開口內;一內相變化材料層環繞該柱狀結構,並直接接觸該第一電極;一第二介電層環繞該內相變化材料層;一外相變化材料層環繞該第二介電層;一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間,並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層;以及,一第二電極直接形成於該柱狀結構之上,並直接接觸該內相
技術摘要-英文: (空)
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: (空)
備註: (空)
特殊情形: (空)

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號676
產出年度93
技術名稱-中文用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱奈米電子關鍵技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文(空)
技術規格電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt.
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。
序號: 676
產出年度: 93
技術名稱-中文: 用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本計劃利用SiGe異質接面的材料特性,來製作超高速的雙載子電晶體(hetero junction bipolar transistor),進一步應用在光偵測器(optical detector)上,以迎接光通訊時代的來臨。利用SiGe材料成本低,可整合現有BiCMOS製程且可大量生產的優勢,致力於製作出速度達160GHz的SiGe HBT。此高速雙載子電晶體特為射頻前端模組設計,可製作為單晶積體化電路或分立式電晶體,其製作採取單複晶非自我對準(Single-Poly Non-Self-Aligned)結構
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Frequency, fT):> 120 GHz · 最大操作頻率(Maxima operation frequency) :> 40 GHz · 射集極穿透電壓(Emitter-Collector Breakdown Voltage, BVCEO):> 3.5 Volt.
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 矽鍺薄膜成長技術(SiGeC epitaxy growth technique) · 射頻積體電路(RFIC):應用於無線通訊系統與高速區域網路系統,提供如前端晶片組、PLL等高頻高速ICs產品製程技術 · 雙載子-金氧半積體電路(Bi-CMOS) · 光偵測器,光收發模組…等光電IC(opto-electric ICs)
潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1345
所須軟硬體設備: 具矽元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力。

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號677
產出年度93
技術名稱-中文相變化薄膜製程技術
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 677
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化薄膜製程技術
執行單位: 工研院電子所
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Phase Change Memory)是擁有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗輻射等多項優點之非揮發記憶體,本所採用相變化薄膜作為相變化記憶體之核心,本技術具有與傳統CMOS製程與週邊電路最高的相容性,是未來繼Flash、SRAM、DRAM之後極有潛力的下世代記憶體。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間
技術成熟度: 實驗室階段
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1441
所須軟硬體設備: 具備相變化薄膜成長設備與蝕刻設備
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號678
產出年度93
技術名稱-中文高介電值閘極介電物技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文(空)
技術規格高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度雛型
可應用範圍矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 678
產出年度: 93
技術名稱-中文: 高介電值閘極介電物技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 開發high-k (k>20)閘極介電層之薄膜材料與製程整合技術以符65nm CMOS technology node 及以下元件之需要
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 矽半導體之互補式金氧半製程所製作之logic or memory chi
潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1833
所須軟硬體設備: 具記憶體或foundry能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號679
產出年度93
技術名稱-中文相變化記憶體元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度雛型
可應用範圍傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力
序號: 679
產出年度: 93
技術名稱-中文: 相變化記憶體元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 相變化記憶體(Ovonic Unified Memory, OUM)具有非揮發性、高讀取訊號、高密度、高寫擦速度與次數以及低工作電流/功率的特質,是相當有潛力的非揮發性記憶體。本所的相變化記憶體元件製程技術,除了開發記憶胞的關鍵製程模組外,更具有與傳統CMOS製程之良好相容性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 傳統Flash、SRAM、DRAM所應用的範圍,如Desktop PC、Laptop PC、PDA、手機、隨身碟、數位相機、讀卡機等等
潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體,最令人注目的新記憶體,成長空間極大
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1836
所須軟硬體設備: 具記憶體元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術記憶體相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號680
產出年度93
技術名稱-中文應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度雛型
可應用範圍高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力
序號: 680
產出年度: 93
技術名稱-中文: 應變矽CMOS元件與製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 在同一世代技術上應變矽CMOS (Strained-Si CMOS)可克服載子移動率劣化的課題,具有提昇性能的特性,主要克服目前技術瓶頸 - 高品質矽鍺虛擬基材的形成技術、全面與局部形變的元件結構設計及製程整合技術,以建立起CMOS製程與元件技術平台,提昇載子移動率和元件效能,使其可應用於高階CMOS SoC產品上。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 高效能CMOS製程技術 - 高階產品, e.g.: CPU, 繪圖晶片
潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1839
所須軟硬體設備: 具CMOS元件開發能力之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關元件之設計、製造能力

# 03-5913917 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號681
產出年度93
技術名稱-中文應變矽製程技術
執行單位工研院院本部
產出單位(空)
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文由於在MOS電晶體通道區施予一定大小的應力可增加載子的移動率 (mobility)進而改善元件的輸出特性。本技術利用具離子佈植之氮化矽再搭配晶背高應力層的作用可有效在電晶體通道區產生一定大小的應力進而改善電晶體的特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容
技術成熟度雛型
可應用範圍MOS或CMOS製程
潛力預估本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術
聯絡人員張順賢
電話03-5913917
傳真03-5917690
電子信箱hchang@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1841
所須軟硬體設備具MOS或CMOS製程之半導體廠
需具備之專業人才CMOS製程技術相關製造能力
序號: 681
產出年度: 93
技術名稱-中文: 應變矽製程技術
執行單位: 工研院院本部
產出單位: (空)
計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 由於在MOS電晶體通道區施予一定大小的應力可增加載子的移動率 (mobility)進而改善元件的輸出特性。本技術利用具離子佈植之氮化矽再搭配晶背高應力層的作用可有效在電晶體通道區產生一定大小的應力進而改善電晶體的特性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: MOS或CMOS製程
潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術
聯絡人員: 張順賢
電話: 03-5913917
傳真: 03-5917690
電子信箱: hchang@itri.org.tw
參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/show.jsp?idx=1841
所須軟硬體設備: 具MOS或CMOS製程之半導體廠
需具備之專業人才: CMOS製程技術相關製造能力
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與MRAM 元件製程技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

支援多重輸入輸出之智慧型無線模式交換器

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 符合不同無線通訊系統之介面規格。 | 潛力預估: 預期藉由多模產品的多樣性,可擴大系統廠商的客層,並藉由可重置系統降低硬體成本,預期可大幅提升廠商的獲利空間。

光通道性能監視新技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB,誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。

AiP (Antenna in Package) 技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 天線模組尺寸小於20 × 20 × 3 mm3,天線頻寬於2.4 GHz達到70 MHz。 | 潛力預估: 小型化無線區域網路Dongle卡、高整合度之完整前端模組設計

多頻帶車用系統天線技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.車用天線單元與場型控制技術:開發高增益低姿勢車用天線、垂向輻射天線場型控制之天線、寬頻圓極化全向性天線、全向性水平輻射天線場型控制之天線、超寬頻(UWB)或滿足802.16通訊系統之天線、全向性水... | 潛力預估: 預期於未來幾年內,相關的車用天線系統之需求將會大幅增加,而多頻帶車用天線系統技術開發正是希望能領導未來車用天線的市場。本計畫在兩年的執行上在天線設計、車體對天線效應模擬與射頻前端模組上都已有相當豐盛的...

螺旋字串比對法/字元間距分群法

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 字串比對技術 | 潛力預估: 可套用至廠商原有產品之內,提昇系統效能以提高產品競爭力

錄音語料庫壓縮合成技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 壓縮位元率1200 bps。 | 潛力預估: 在產值達新台幣40億電子字典產業上,可提升電子字典IC產業單晶片系統( SOC)的發展。

行動訊息服務互通平台規格

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 系統規格設計、程式架構設計 | 潛力預估: 訊息服務目前已成為網際網路和行動通訊網路中成長最快的服務之一,而訊息互通是一必然之需求。

Flexible Power Management for DTV system intended for a power-limited receiver device

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 架構與演算法設計 | 潛力預估: 所發展的 FGS 視音訊編碼與 time-slicing 串流跨層整合技術,可直接應用於數位電視廣播傳輸中提供接收終端彈性管理功耗的機制,不僅與下層(實體層)的歐規新興標準 DVB-H 相容,更與國際...

Java Phone

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. JTWI compliant, include CLDC 1.1, MIDP 2.0, WMA 1.1, MMAPI 2. 100% TCK compliant 3. Jbenchmark v1... | 潛力預估: 預計至公元 2010 年將引導廠商投資金額約新台幣 4,700 萬元,促進產值約新台幣 31億元

MIA9 FPGA共通平台系統-嵌入式系統軟體技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. ARM9 based Embedded Linux 2. 支援 timer、DMA、interrupt、UART、Flash、LCD 等 drivers 3. 支援 Multimedia功能,如... | 潛力預估: ARM 處理器已普遍為嵌入式系統所使用,含 Intel、TI 等,搭配上 Linux 自由開放且穩定的作業系統,將使產品更具競爭力。

伺服器集中控管機制技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 IPMI 國際標準 | 潛力預估: 未來伺服器集中式控管是一大趨勢,除了網路安全管理之外,可以應用在一般機器管理。

智慧型網路安全分析與偵測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 建立紀錄分析格式 2. 訂定無線監控偵測樣式 | 潛力預估: 隨著網路安全事件急遽增加,對於事件的判斷與分析更需要精確,故需要蒐集各方面的詳盡資訊

Web Service安全技術-XKMS及SAML

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合W3C國際標準 2.符合OASIS國際標準SAML | 潛力預估: 隨著網路應用的發達及XML與研的廣被接受,對於相關應用的安全問題必須提供容易整合、足夠完整及簡單易用的方式,此兩項技術恰符合此一趨勢

英語單詞語音辨識技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.建立美國腔與台灣腔聲學模型。 2.完成英文語音指令辨識技術。 | 潛力預估: 提供國內業界一個自行掌握的英語辨識核心技術的管道。

影音訊號自動檢測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 影像錯誤檢測:如無訊號、停格、斷續、雪花、扭曲、影像內容錯置等 2. 聲音錯誤檢測:如無訊號、停格、斷續、預設雜訊、音量異常等 3. 影音同步異常檢測:與參考樣本之不同步誤差 | 潛力預估: 1. 加速影音軟硬體開發時程,縮短 time-to-market,提昇產品競爭力 2. 促進影音軟硬體產品生產檢測自動化,降低生產成本

支援多重輸入輸出之智慧型無線模式交換器

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 符合不同無線通訊系統之介面規格。 | 潛力預估: 預期藉由多模產品的多樣性,可擴大系統廠商的客層,並藉由可重置系統降低硬體成本,預期可大幅提升廠商的獲利空間。

光通道性能監視新技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 多波道WDM訊號量測, OSNR監視模組可量動態範圍約5~35dB,誤差值在0.5dB以內。 | 潛力預估: 本技術可用來協助國內 光通訊系統廠商, 測試儀器廠及建立”光通道性能監控量測模組”或運用於光通量測儀器設計, 並可協助元件廠商提昇光元件檢測的品質指標。

AiP (Antenna in Package) 技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 天線模組尺寸小於20 × 20 × 3 mm3,天線頻寬於2.4 GHz達到70 MHz。 | 潛力預估: 小型化無線區域網路Dongle卡、高整合度之完整前端模組設計

多頻帶車用系統天線技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 1.車用天線單元與場型控制技術:開發高增益低姿勢車用天線、垂向輻射天線場型控制之天線、寬頻圓極化全向性天線、全向性水平輻射天線場型控制之天線、超寬頻(UWB)或滿足802.16通訊系統之天線、全向性水... | 潛力預估: 預期於未來幾年內,相關的車用天線系統之需求將會大幅增加,而多頻帶車用天線系統技術開發正是希望能領導未來車用天線的市場。本計畫在兩年的執行上在天線設計、車體對天線效應模擬與射頻前端模組上都已有相當豐盛的...

螺旋字串比對法/字元間距分群法

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 字串比對技術 | 潛力預估: 可套用至廠商原有產品之內,提昇系統效能以提高產品競爭力

錄音語料庫壓縮合成技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 壓縮位元率1200 bps。 | 潛力預估: 在產值達新台幣40億電子字典產業上,可提升電子字典IC產業單晶片系統( SOC)的發展。

行動訊息服務互通平台規格

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 系統規格設計、程式架構設計 | 潛力預估: 訊息服務目前已成為網際網路和行動通訊網路中成長最快的服務之一,而訊息互通是一必然之需求。

Flexible Power Management for DTV system intended for a power-limited receiver device

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 架構與演算法設計 | 潛力預估: 所發展的 FGS 視音訊編碼與 time-slicing 串流跨層整合技術,可直接應用於數位電視廣播傳輸中提供接收終端彈性管理功耗的機制,不僅與下層(實體層)的歐規新興標準 DVB-H 相容,更與國際...

Java Phone

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. JTWI compliant, include CLDC 1.1, MIDP 2.0, WMA 1.1, MMAPI 2. 100% TCK compliant 3. Jbenchmark v1... | 潛力預估: 預計至公元 2010 年將引導廠商投資金額約新台幣 4,700 萬元,促進產值約新台幣 31億元

MIA9 FPGA共通平台系統-嵌入式系統軟體技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. ARM9 based Embedded Linux 2. 支援 timer、DMA、interrupt、UART、Flash、LCD 等 drivers 3. 支援 Multimedia功能,如... | 潛力預估: ARM 處理器已普遍為嵌入式系統所使用,含 Intel、TI 等,搭配上 Linux 自由開放且穩定的作業系統,將使產品更具競爭力。

伺服器集中控管機制技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 符合 IPMI 國際標準 | 潛力預估: 未來伺服器集中式控管是一大趨勢,除了網路安全管理之外,可以應用在一般機器管理。

智慧型網路安全分析與偵測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 建立紀錄分析格式 2. 訂定無線監控偵測樣式 | 潛力預估: 隨著網路安全事件急遽增加,對於事件的判斷與分析更需要精確,故需要蒐集各方面的詳盡資訊

Web Service安全技術-XKMS及SAML

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合W3C國際標準 2.符合OASIS國際標準SAML | 潛力預估: 隨著網路應用的發達及XML與研的廣被接受,對於相關應用的安全問題必須提供容易整合、足夠完整及簡單易用的方式,此兩項技術恰符合此一趨勢

英語單詞語音辨識技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.建立美國腔與台灣腔聲學模型。 2.完成英文語音指令辨識技術。 | 潛力預估: 提供國內業界一個自行掌握的英語辨識核心技術的管道。

影音訊號自動檢測技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 影像錯誤檢測:如無訊號、停格、斷續、雪花、扭曲、影像內容錯置等 2. 聲音錯誤檢測:如無訊號、停格、斷續、預設雜訊、音量異常等 3. 影音同步異常檢測:與參考樣本之不同步誤差 | 潛力預估: 1. 加速影音軟硬體開發時程,縮短 time-to-market,提昇產品競爭力 2. 促進影音軟硬體產品生產檢測自動化,降低生產成本

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