共用型軍用發射系統
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技術名稱-中文共用型軍用發射系統的執行單位是中科院軍民通用中心, 產出年度是93, 計畫名稱是機械與航太領域資源釋商科專計畫, 技術規格是1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。, 潛力預估是可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會.

序號393
產出年度93
技術名稱-中文共用型軍用發射系統
執行單位中科院軍民通用中心
產出單位(空)
計畫名稱機械與航太領域資源釋商科專計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作;可在不開箱蓋下發射; 建立軍用雙軸線平行裝填裝置開發技術,可由3人操作。單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。
技術成熟度雛型
可應用範圍電機;機械;工具機
潛力預估可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會
聯絡人員陳鳴皋
電話03-4712201 分機355143
傳真03-4711304
電子信箱(空)
參考網址(空)
所須軟硬體設備軟體設備:機械繪圖軟體、電子電路繪圖與Layout軟體、軟體設計軟體(如Microsoft VB、C++;Microchip Virtual Basic等)] 硬體設備:PC、示波器、power supply、電表、訊號產生器、動力計、CNC等
需具備之專業人才電機、機械相關背景

序號

393

產出年度

93

技術名稱-中文

共用型軍用發射系統

執行單位

中科院軍民通用中心

產出單位

(空)

計畫名稱

機械與航太領域資源釋商科專計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作;可在不開箱蓋下發射; 建立軍用雙軸線平行裝填裝置開發技術,可由3人操作。單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

電機;機械;工具機

潛力預估

可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

聯絡人員

陳鳴皋

電話

03-4712201 分機355143

傳真

03-4711304

電子信箱

(空)

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

軟體設備:機械繪圖軟體、電子電路繪圖與Layout軟體、軟體設計軟體(如Microsoft VB、C++;Microchip Virtual Basic等)] 硬體設備:PC、示波器、power supply、電表、訊號產生器、動力計、CNC等

需具備之專業人才

電機、機械相關背景

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共用型軍用發射箱架裝備研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

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共用型軍用發射箱架操作控制器研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

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共用型軍用發射箱架裝備研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.符合1553B Bus傳輸介面規格研製技術,傳輸率1Mbits/S。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.建立軍用發射架開發技術,可在6級海象下工作。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

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共用型軍用發射箱架操作控制器研製技術開發

執行單位: 中科院軍民通用中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 機械與航太領域軍品釋商計畫 | 領域: | 技術規格: 1.單一元件失效不可導致誤激發安全事故的射控介面控制電路研製技術。2.機電系統整合技術,自測度達90%,故障隔離度達85%。3.電子裝備模組承受4吋/小時雨淋水密等環境規格研製技術。 | 潛力預估: 可進入軍品市場,進而以整個供應鏈爭取國際相關系統件承製之機會

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HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

創新壓電管驅動器技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3D nano-imaging. | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡探針市場

HD-DVD SOC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Group delay variation | 潛力預估: 國內尚未有廠商開發成功,且藍光光碟機尚未普及,現在投入可及早佔有市場,提昇競爭力

DTV RF Tuner IC技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Frequency Range:50~860MHz Input Resistance:75Ohm Min. Input power:-80dBm Max. Input power:-20dBm Tot... | 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner,藉由掌握此關鍵技術,可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能,並由顧採用的是CMOS技術,因此可降低IC設...

DSP Architecture&RTL Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Process (Hard IP demo design) : 130 nm – Generic logic process Architecture : Scalar + 4-way VLIW Da... | 潛力預估: 提昇國內關鍵元組件的技術能力與自製率

PAC Architecture&Integration技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... | 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...

Low Power Design Methodology&Environment 技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Design Methodology:Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... | 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC,將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力

Low Power Circuit Design技術

執行單位: 工研院晶片中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... | 潛力預估: 可應用於各種時脈產生,及數位濾波器,及資料暫存設計

高密度通道光譜影像量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)物方視野: 線型 > 6 mm(2) 物方空間解析度: < 250 mm (3) 光譜解析度: < 3 nm (4) 單次量測光譜範圍(free spectral range): 400 nm | 潛力預估: 台灣的LED設備產能相當充足,但製程良率偏低,且檢測速度遠不及產出率,需求快速光譜檢測新一代技術,本技術可直接針對此需求提供服務。

高密度光譜分析技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)掃描範圍:300nm~900nm/1250nm~1650nm | 潛力預估: 可取代目前國外高價產品,可創造產值5億

垂直掃描白光干涉表徵顯微量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 縱向解析度及量程1nm / 100um、橫向解析度及量程 1um / (500um)2 | 潛力預估: 結合單頻相移暨垂直掃描白光干涉功能的顯微檢測儀器,在亞洲市場的產值每年可達數億元,其產值更將隨影像顯示器產業產值的成長而大幅提昇。

3 mil 線寬/線距PCB/FPC 銅箔線路斷路及短路之缺陷檢測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 3 mil 線寬/線距HDI-PCB銅箔線路缺陷檢測探頭,尺寸/形狀空間解析度:8~15μm。(2)機台y-方向移動速度:40 mm/sec.。(3)缺陷檢測演算法可自動檢測出open/sh... | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

HDI-PCB銅箔線路雷射盲孔缺陷檢測探頭技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)空間解析度:7.7 μm。(2)深度範圍:< 200μm。 | 潛力預估: 國內印刷電路板全製程電路板生產廠商有華通、嘉聯益、雅新、景碩等,產業頗具規模,因此,製程品質之檢測儀器之需求大。

次世代微影疊對量測技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Accuracy | 潛力預估: 可搶攻半導體檢測

光纖干涉式位置感測器

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:1nm | 潛力預估: 可搶攻非接觸位置感測器市場

控制奈米碳管長度之方法與裝置

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: Tip length | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡、奈米操控器市場

創新壓電管驅動器技術

執行單位: 工研院量測中心 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3D nano-imaging. | 潛力預估: 可搶攻原子立顯微鏡探針市場

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