影像物件追蹤技術演算法
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技術名稱-中文影像物件追蹤技術演算法的執行單位是中科院材料所, 產出年度是94, 計畫名稱是個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫, 技術規格是可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個, 潛力預估是影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。.

序號801
產出年度94
技術名稱-中文影像物件追蹤技術演算法
執行單位中科院材料所
產出單位(空)
計畫名稱個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以MATLAB及C完成QVGA影像大小之物件偵測及追蹤演算法。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個
技術成熟度雛型
可應用範圍影像系統及監控系統之移動物偵測追蹤等。
潛力預估影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。
聯絡人員翁炳國
電話03-4712201 ext 357093
傳真03-4711024
電子信箱吳永榮wuyoungzoung@yahoo.com.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備軟體設備：MATLAB or C Language；硬體設備：PC
需具備之專業人才電子相關背景

序號

801

產出年度

94

技術名稱-中文

影像物件追蹤技術演算法

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

以MATLAB及C完成QVGA影像大小之物件偵測及追蹤演算法。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

可偵測物件: 255個，可追蹤物件:2個

技術成熟度

雛型

可應用範圍

影像系統及監控系統之移動物偵測追蹤等。

潛力預估

影像監控系統在社區、大樓及路口等等已非常普及，具影像移動物偵測及追蹤功能之監控系統將逐步取代目前之系統。

聯絡人員

翁炳國

電話

03-4712201 ext 357093

傳真

03-4711024

電子信箱

吳永榮wuyoungzoung@yahoo.com.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

軟體設備：MATLAB or C Language；硬體設備：PC

需具備之專業人才

電子相關背景

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CMOS影像IC設計及影像處理像技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 個人端光訊傳感與顯示技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Resolution:10萬-2百萬像素，Pixel Pitch：10-4.5μm，Process: 0.5-0.25um CMOS | 潛力預估: 隨著3G手機之推廣，CIS照相機將成為標準配備，預估在2007年手機全球產量達2.37億支，市場十分龐大，加上PC Camera，光學滑鼠等等商品應用，在2007年全球CMOS Image Sens...

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

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多晶矽平坦化技術

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4"奈米碳管場發射顯射器

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合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

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執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

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磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

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