厚膜光阻製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30, 潛力預估是成本低、製程簡單之高深寬比結構。.
| 序號 | 988 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估 | 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 熱墊板,曝光機 |
| 需具備之專業人才 | 熟悉黃光單站製程 |
| 同步更新日期 | 2023-07-22 |
序號988 |
產出年度94 |
技術名稱-中文厚膜光阻製程技術 |
執行單位工研院電子所 |
產出單位(空) |
計畫名稱工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
技術成熟度雛型 |
可應用範圍Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
潛力預估成本低、製程簡單之高深寬比結構。 |
聯絡人員羅政 |
電話06-3847128 |
傳真06-3847294 |
電子信箱chenglo@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備熱墊板,曝光機 |
需具備之專業人才熟悉黃光單站製程 |
同步更新日期2023-07-22 |
根據名稱 厚膜光阻製程技術 找到的相關資料
(以下顯示 3 筆) (或要:直接搜尋所有 厚膜光阻製程技術 ...)| 序號 | 3483 |
| 產出年度 | 98 |
| 技術名稱-中文 | 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院材化所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估 | 應用潛力中 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5917193 |
| 電子信箱 | kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | (空) |
| 需具備之專業人才 | 電子、了解製程相關人員。 |
| 序號: 3483 |
| 產出年度: 98 |
| 技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位: 工研院材化所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 電子關鍵零組件及材料應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估: 應用潛力中 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5917193 |
| 電子信箱: kcwen@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: (空) |
| 需具備之專業人才: 電子、了解製程相關人員。 |
| 序號 | 653 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度 | 試量產 |
| 可應用範圍 | Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估 | 應用潛力中 |
| 聯絡人員 | 溫國城 |
| 電話 | 03-5915654 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機 |
| 需具備之專業人才 | 熟悉黃光單站製程。 |
| 序號: 653 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 |
| 技術成熟度: 試量產 |
| 可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit. |
| 潛力預估: 應用潛力中 |
| 聯絡人員: 溫國城 |
| 電話: 03-5915654 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: KCWEN@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 參考資料：（如國際會議發表情形或智慧財產權已獲取情形…等）熱墊板,曝光機 |
| 需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程。 |
| 序號 | 660 |
| 產出年度 | 93 |
| 技術名稱-中文 | 類LIGA電鑄模技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | Ink Jet Head, Nozzle Plate |
| 潛力預估 | 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 |
| 聯絡人員 | 楊倉錄 |
| 電話 | 03-5914393 |
| 傳真 | 03-5820412 |
| 電子信箱 | yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址 | http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電化學,化工或,機械背景人才。 |
| 序號: 660 |
| 產出年度: 93 |
| 技術名稱-中文: 類LIGA電鑄模技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術突破傳統電鑄技術以工具鋼為基材，利用類LIGA厚膜光阻製程技術及微電鑄技術定義微結構，並配合後續的厚光阻去除、電鑄金屬與工具鋼基材焊接燒結等整合製程，發展以微噴孔片結構為承載模具的電鑄金屬模仁技術，進而配合微熱壓或射出成型技術製作高分子微噴孔片。本技術產品具有高解析度的功能優勢以及適合大量製造低成本的製程優勢。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚度2 ± 0.5 μm 側向角：18°± 1° 正向角：18°± 1° 背向角：23°± 1° 針尖高度：6 ± 0.5 μm 針尖半徑：< 15 nm 探針距前緣距離：3 ± 0.5 μm 共振頻率：23 ± 4 彈 性 常 數0.2 |
| 技術成熟度: 實驗室階段 |
| 可應用範圍: Ink Jet Head, Nozzle Plate |
| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高 |
| 聯絡人員: 楊倉錄 |
| 電話: 03-5914393 |
| 傳真: 03-5820412 |
| 電子信箱: yangtl@itri.org.tw |
| 參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電化學,化工或,機械背景人才。 |
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根據電話 06-3847128 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 06-3847128 ...)| 序號 | 986 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 微機電共用晶片 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 3 poly-silicon 1 Metal |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor. |
| 潛力預估 | 微機電面型微加工標準製程 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 半導體及微機電製程能力 |
| 序號: 986 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 微機電共用晶片 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor. |
| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 半導體及微機電製程能力 |
| 序號 | 987 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 無線生理訊號感測模組設計技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_ |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | (1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_ |
| 潛力預估 | 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備 |
| 需具備之專業人才 | 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_ |
| 序號: 987 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_ |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: (1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_ |
| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備 |
| 需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_ |
| 序號 | 989 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估 | 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | PVD,CVD,RIE |
| 需具備之專業人才 | 半導體製程背景人才 |
| 序號: 989 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。 |
| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE |
| 需具備之專業人才: 半導體製程背景人才 |
| 序號 | 990 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 低應力薄膜製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | SIN Film Stress |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
| 潛力預估 | 穩定可量產 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務 |
| 需具備之專業人才 | 具備爐管設備維修及製程人才 |
| 序號: 990 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: SIN Film Stress |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。 |
| 潛力預估: 穩定可量產 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務 |
| 需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才 |
| 序號 | 991 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估 | 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號: 991 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。 |
| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching |
| 序號 | 992 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 微氣體感測器 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。 |
| 潛力預估 | 應用微機電製程製作氣體感測器 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 化工,機械背景及半導體製程人才 |
| 序號: 992 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 微氣體感測器 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。 |
| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 化工,機械背景及半導體製程人才 |
| 序號 | 993 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估 | 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才 | 電機,半導體製程背景人才。 |
| 序號: 993 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_； 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。 |
| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備 |
| 需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。 |
| 序號 | 994 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | 矽晶深蝕刻製程技術 |
| 執行單位 | 工研院電子所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi |
| 技術成熟度 | 雛型 |
| 可應用範圍 | 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。 |
| 潛力預估 | 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 |
| 聯絡人員 | 羅政 |
| 電話 | 06-3847128 |
| 傳真 | 06-3847294 |
| 電子信箱 | chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | ICP or DRIE |
| 需具備之專業人才 | 半導體之乾蝕刻製程為基礎 |
| 序號: 994 |
| 產出年度: 94 |
| 技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術 |
| 執行單位: 工研院電子所 |
| 產出單位: (空) |
| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 |
| 領域: (空) |
| 已申請專利之國家: (空) |
| 已獲得專利之國家: (空) |
| 技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。 |
| 技術現況敘述-英文: (空) |
| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi |
| 技術成熟度: 雛型 |
| 可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。 |
| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 |
| 聯絡人員: 羅政 |
| 電話: 06-3847128 |
| 傳真: 06-3847294 |
| 電子信箱: chenglo@itri.org.tw |
| 參考網址: (空) |
| 所須軟硬體設備: ICP or DRIE |
| 需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎 |
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| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達50%左右） |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard）；散熱增益 35~40%，電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_，獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備，均是國內自行開發完成，價格較國外節省30%。 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加，特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估，衍生到系統廠組裝後的可靠度評估，及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si... |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象：140公分~180公分；80公斤以下；可動範圍(最大活動速度)：股關節：10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面，具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能，使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健，解決目前復健師人力嚴重不足的問題。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 使車輪傾斜角度可達水平面上53度至水平面下47度，並可簡易且準確調整車輪傾斜角度，可跨越250mm高的門檻或樓板段差。 | 潛力預估: 本設備可作為居家照護機器人之移動平台，在未來老年化社會發展下，勢必成為居家設備中重要之關鍵模組。預估未來將可成為熱銷商品。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 配向尺寸可達G3(550*650mm)，配向均勻性佳。技術規格：錨定能～10-5J/m2，預傾角：0～10度，VHR>95%，Rdc | 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向，與離子束配向結果相當但設備價格低。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片；檢測速率: 75 M pixel/sec；最小瑕疵: 10μm | 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術；快速瑕疵檢測法則 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: Roll to Roll輸送基材寬度：300mm，單板基材尺寸：300mm × 210mm，對位精度：±2.5μm，Cell gap精度：±2μm。 | 潛力預估: 搭配視覺、水平載台及伺服系統來進行高精度對位，較傳統的捲繞機構更適用於電子級產品之設備上。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鑽孔速度：400孔/分鐘_x000D_/檔案管理_x000D_/座標顯示_x000D_/加工路徑顯示_x000D_/翻、排版指令_x000D_/多次鑽孔功能_x000D_/擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令_x0... | 潛力預估: 具備刀具偏擺/摩耗自動補償、加工件精修以及自動尋找插銷孔功能，節省刀具成本以及增加機器運作效能。 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。 | 潛力預估: 可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: Heat up rate>3C/sec；Cool down rate>2C/sec_x000D_；Test time | 潛力預估: 縮短檢測時間,減少檢體與試劑用量 |
| 執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 溫度控制精度≦ ±0.2℃；環境pH值控制精度≦±0.02 pH；溶氣控制精度≦ ±2 % | 潛力預估: 製程需求設計產品 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達30%左右） | 潛力預估: 接合有機基板覆晶構裝：接合積層基板覆晶構裝（間距：250μm、I/O接點腳數達4300），增益散熱型覆晶球腳格狀陣列塑膠構裝（熱傳增益達50%左右） |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: TE-PBGA (JEDEC PBGA Standard）；散熱增益 35~40%，電性電感增益 10~20%_x000D_ | 潛力預估: 符合PBGA的標準製程_x000D_，獲得中華民國、美國、日本多國專利保護。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 與實驗量測數據偏差小於 ±10﹪（94﹪ 信賴度） | 潛力預估: 新創公司、人才養成訓練、技術外包 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 依循JEDEC Standard、SEMI Standard | 潛力預估: 主要設備，均是國內自行開發完成，價格較國外節省30%。 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Bump Pitch (μm) | 潛力預估: Gold Bumping技術─ Fine Pitch技術符合現有市場需求。Solder Bumping技術─120?m間距且80?m凸塊高度之技術已達美國半導體協會(SIA)約2004年所需之技術里... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: MIL-883D | 潛力預估: 面對全球電子產業對產品可靠度評估需求的增加，特別是此種評估技術的需求已經從單純的電子封裝產品電路板級的焊點可靠度評估，衍生到系統廠組裝後的可靠度評估，及封裝廠的多晶圓模組封裝MCM及IC設計公司的Si... |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 3關節自由度(髖、膝、踝)下肢醫療復健設備具備連續被動式運動(CPM)及生理機能即時遠端監督功能。使用對象：140公分~180公分；80公斤以下；可動範圍(最大活動速度)：股關節：10?~100?(2... | 潛力預估: 引導式操作的友善人機介面，具備病患資料保密性、復健資料可回溯、評估、、等功能，使用者容易操作與訓練。可協助物理治療師為病患進行復健，解決目前復健師人力嚴重不足的問題。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 使車輪傾斜角度可達水平面上53度至水平面下47度，並可簡易且準確調整車輪傾斜角度，可跨越250mm高的門檻或樓板段差。 | 潛力預估: 本設備可作為居家照護機器人之移動平台，在未來老年化社會發展下，勢必成為居家設備中重要之關鍵模組。預估未來將可成為熱銷商品。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 配向尺寸可達G3(550*650mm)，配向均勻性佳。技術規格：錨定能～10-5J/m2，預傾角：0～10度，VHR>95%，Rdc | 潛力預估: 目前配向效果遠高於光配向，與離子束配向結果相當但設備價格低。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 檢測物: TFT-LCD陣列圖案、彩色濾光片；檢測速率: 75 M pixel/sec；最小瑕疵: 10μm | 潛力預估: 高速多個CCD攝影機同步取像控制技術；快速瑕疵檢測法則 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: Roll to Roll輸送基材寬度：300mm，單板基材尺寸：300mm × 210mm，對位精度：±2.5μm，Cell gap精度：±2μm。 | 潛力預估: 搭配視覺、水平載台及伺服系統來進行高精度對位，較傳統的捲繞機構更適用於電子級產品之設備上。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 鑽孔速度：400孔/分鐘_x000D_/檔案管理_x000D_/座標顯示_x000D_/加工路徑顯示_x000D_/翻、排版指令_x000D_/多次鑽孔功能_x000D_/擴鑽圓孔/長槽擴鑽指令_x0... | 潛力預估: 具備刀具偏擺/摩耗自動補償、加工件精修以及自動尋找插銷孔功能，節省刀具成本以及增加機器運作效能。 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 直驅馬達之設計規格,最高轉速150rpm,最大轉矩250Nm,擎留轉矩100Nm,解晰度(8192p/r’4)0.01°,3種無反電動勢感知起動電氣角偵測方法。建立自行研發旋轉式直接驅動伺服系統基礎。 | 潛力預估: 可設計與製作主流產品相容性規格,產生關鍵性零件與系統之可替代性 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: Heat up rate>3C/sec；Cool down rate>2C/sec_x000D_；Test time | 潛力預估: 縮短檢測時間,減少檢體與試劑用量 |
執行單位: 工研院機械所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高值產業及機器人技術研發計畫 | 領域: | 技術規格: 溫度控制精度≦ ±0.2℃；環境pH值控制精度≦±0.02 pH；溶氣控制精度≦ ±2 % | 潛力預估: 製程需求設計產品 |
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