技術名稱-中文O-PET光學膜研製技術的執行單位是工研院化工所, 產出年度是94, 計畫名稱是特化與奈米化工技術開發四年計畫, 技術規格是‧ 透光率>85%‧ 吸水率0.4‧ CTE>90℃‧ 雙軸延伸倍率至少3倍, 潛力預估是全球觸控面板2005年可望達到123.2 億元新台幣，年複合成長率高達14 ％。而台灣觸控面板2005年市場規模可望達到25.7 億新台幣，年複合成長率高達56.9 ％。.
| 序號 | 955 |
| 產出年度 | 94 |
| 技術名稱-中文 | O-PET光學膜研製技術 |
| 執行單位 | 工研院化工所 |
| 產出單位 | (空) |
| 計畫名稱 | 特化與奈米化工技術開發四年計畫 |
| 領域 | (空) |
| 已申請專利之國家 | (空) |
| 已獲得專利之國家 | (空) |
| 技術現況敘述-中文 | 目前ITO/PET film皆仰賴日本及韓國進口。本技術所開發之PET光學薄膜除了具專利性且成本低之外，利用自行研發之End-Capping技術，已可有效降低PET film中的寡聚物殘留量，克服鍍導電ITO film時所產生之霧化現象。未來此項技術可移轉至國內聚酯光學膜之製造廠商。 |
| 技術現況敘述-英文 | (空) |
| 技術規格 | ‧ 透光率>85%‧ 吸水率<0.4wt%‧ IV>0.4‧ CTE>90℃‧ 雙軸延伸倍率至少3倍 |
| 技術成熟度 | 實驗室階段 |
| 可應用範圍 | 顯示器、觸控面板等光電用透明基板 |
| 潛力預估 | 全球觸控面板2005年可望達到123.2 億元新台幣，年複合成長率高達14 ％。而台灣觸控面板2005年市場規模可望達到25.7 億新台幣，年複合成長率高達56.9 ％。 |
| 聯絡人員 | 林志祥 |
| 電話 | 03-5732984 |
| 傳真 | 03-5732347 |
| 電子信箱 | LinChihHsiang@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 所須軟硬體設備 | 高分子聚合設備及分析儀器 |
| 需具備之專業人才 | 高分子合成及聚合技術 |
序號955 |
產出年度94 |
技術名稱-中文O-PET光學膜研製技術 |
執行單位工研院化工所 |
產出單位(空) |
計畫名稱特化與奈米化工技術開發四年計畫 |
領域(空) |
已申請專利之國家(空) |
已獲得專利之國家(空) |
技術現況敘述-中文目前ITO/PET film皆仰賴日本及韓國進口。本技術所開發之PET光學薄膜除了具專利性且成本低之外，利用自行研發之End-Capping技術，已可有效降低PET film中的寡聚物殘留量，克服鍍導電ITO film時所產生之霧化現象。未來此項技術可移轉至國內聚酯光學膜之製造廠商。 |
技術現況敘述-英文(空) |
技術規格‧ 透光率>85%‧ 吸水率<0.4wt%‧ IV>0.4‧ CTE>90℃‧ 雙軸延伸倍率至少3倍 |
技術成熟度實驗室階段 |
可應用範圍顯示器、觸控面板等光電用透明基板 |
潛力預估全球觸控面板2005年可望達到123.2 億元新台幣，年複合成長率高達14 ％。而台灣觸控面板2005年市場規模可望達到25.7 億新台幣，年複合成長率高達56.9 ％。 |
聯絡人員林志祥 |
電話03-5732984 |
傳真03-5732347 |
電子信箱LinChihHsiang@itri.org.tw |
參考網址(空) |
所須軟硬體設備高分子聚合設備及分析儀器 |
需具備之專業人才高分子合成及聚合技術 |
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(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5732984 ...) | 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜透光率≧85﹪、吸水率0.4、耐熱溫度≧150℃，且延伸倍率可達3倍以上。 | 潛力預估: 目前既有產品多為國外日本進口，價格昂貴，且都已鍍好ITO膜，售價達2500元 NT/m2。本技術為自行開發O-PET光學級酯粒材料及其雙軸製膜技術，自製膜材料＜100元 NT/m2，而二次加工處理導電... @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.改質奈米SiO2於PET matrix中分散性評估：耐熱溫度≧280℃、粉體粒徑≦100nm、晶核尺寸≦100nm。2.自製PET奈米複材結晶行為/加工特性評估：射出樣品厚度6 mm、結晶速率提... | 潛力預估: 本產品由國內自行研發，以價廉奈米SiO2微粒晶核取代價昂粘土晶核，材料成本低，且透過In-situ聚合技術，可適用聚酯合成既有設備與製程技術，以提升自製料之競爭力並極具成本效益 。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成高耐熱透明聚酯材料開發，Tg＞120℃，透光率＞82%，耐UV黃變性＞1,000小時，Yellow Index < 3，熱膨脹係數(CTE)£ 60 ppm/℃ | 潛力預估: LCD顯示器產業,如背光模組等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種快速且俱環保概念之封裝發光二極體(LED)的方法，且材料可回收再利用。將熱塑性聚酯材料以螺桿將物料加壓射出至模具中，使該物料得以快速封裝發光二極體，且材料可回收再利用。 | 潛力預估: LCD顯示器產業，如背光模組等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種PC與PET組合物與混煉加工方法。透過Blending技術開發俱韌性且低成本新素材。 | 潛力預估: ICT產業用塑件等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "封裝材料、共聚物及其形成方法 授權專利號：中華民國專利申請號：P54960026TW" | 潛力預估: ICT產業用塑件等應用。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 有機/無機混成材料及其形成方法專利授權，授權專利號：中華民國專利證號：I317744 | 潛力預估: 高折射率光學級epoxy及silicone系LED封裝材料 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 廠商LCP自製料供MCL測試評估，包括: 流變(melt-viscosity, melt- strength…)/IV/模壓試片之機械物性等評估。MCL進行廠商LCP自製料之吹膜加工試製，評估其成膜適... | 潛力預估: 預估2018年4G LTE用戶普及率將超過50%，預期開發成功可開創千噸以上之市場年需求及帶動百億以上之年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密與機能性化學技術開發與應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜透光率≧85﹪、吸水率0.4、耐熱溫度≧150℃，且延伸倍率可達3倍以上。 | 潛力預估: 目前既有產品多為國外日本進口，價格昂貴，且都已鍍好ITO膜，售價達2500元 NT/m2。本技術為自行開發O-PET光學級酯粒材料及其雙軸製膜技術，自製膜材料＜100元 NT/m2，而二次加工處理導電... @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 特化與奈米化工技術開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.改質奈米SiO2於PET matrix中分散性評估：耐熱溫度≧280℃、粉體粒徑≦100nm、晶核尺寸≦100nm。2.自製PET奈米複材結晶行為/加工特性評估：射出樣品厚度6 mm、結晶速率提... | 潛力預估: 本產品由國內自行研發，以價廉奈米SiO2微粒晶核取代價昂粘土晶核，材料成本低，且透過In-situ聚合技術，可適用聚酯合成既有設備與製程技術，以提升自製料之競爭力並極具成本效益 。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 完成高耐熱透明聚酯材料開發，Tg＞120℃，透光率＞82%，耐UV黃變性＞1,000小時，Yellow Index < 3，熱膨脹係數(CTE)£ 60 ppm/℃ | 潛力預估: LCD顯示器產業,如背光模組等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種快速且俱環保概念之封裝發光二極體(LED)的方法，且材料可回收再利用。將熱塑性聚酯材料以螺桿將物料加壓射出至模具中，使該物料得以快速封裝發光二極體，且材料可回收再利用。 | 潛力預估: LCD顯示器產業，如背光模組等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種PC與PET組合物與混煉加工方法。透過Blending技術開發俱韌性且低成本新素材。 | 潛力預估: ICT產業用塑件等應用 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: "封裝材料、共聚物及其形成方法 授權專利號：中華民國專利申請號：P54960026TW" | 潛力預估: ICT產業用塑件等應用。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 精密化學材料技術及應用開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 有機/無機混成材料及其形成方法專利授權，授權專利號：中華民國專利證號：I317744 | 潛力預估: 高折射率光學級epoxy及silicone系LED封裝材料 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 化工產業高值化技術與應用發展計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 廠商LCP自製料供MCL測試評估，包括: 流變(melt-viscosity, melt- strength…)/IV/模壓試片之機械物性等評估。MCL進行廠商LCP自製料之吹膜加工試製，評估其成膜適... | 潛力預估: 預估2018年4G LTE用戶普及率將超過50%，預期開發成功可開創千噸以上之市場年需求及帶動百億以上之年產值。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
| 執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 銅導線層厚度 | 潛力預估: 未來第六世代以上大面積或是可撓性Panel TFT的金屬層主要沉積技術 |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 史脫克位移 > 80nm； 螢光量子效率 =0.55； 溶解度>0.4% | 潛力預估: 開發可寫錄式多層碟片記錄染料與技術，可使資訊儲存容量增加至Sub-terabyte或Terabyte，並建立Sub-terabyte級儲存技術之自主智慧財產權，主導Sub-terabyte級儲存規格方... |
執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 管徑: 30~100nm (可調控)； 純度 > 90% (未純化產物)； 產能 > 20g/天 | 潛力預估: 本技術開發經濟化奈米碳纖及奈米碳管製程，克服目前生產成本高經濟效益低之應用瓶頸。將可開拓與落實奈米碳材在導電塑橡膠添加、結構補強之複合材料、導熱複合材料或導熱流體、儲能電極材料、電磁波遮蔽與吸收、 ... |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。 |
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