低延遲、高壓縮語音編碼技術
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技術名稱-中文低延遲、高壓縮語音編碼技術的執行單位是工研院電通所, 產出年度是94, 計畫名稱是多媒體數位視訊技術發展三年計畫, 技術規格是output bit rate:8Kbps_x000D_;delay<5ms;CPU power 27Mhz, 潛力預估是此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。.

序號1296
產出年度94
技術名稱-中文低延遲、高壓縮語音編碼技術
執行單位工研院電通所
產出單位(空)
計畫名稱多媒體數位視訊技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文Low delay 8K voice codec 低延遲之語音編碼技術其延遲小於5ms,其高壓縮率使有限的頻寬能做更有效的運用,是一套可媲美ADPCM 16K音質,降低成本的低延遲技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格output bit rate:8Kbps_x000D_;delay<5ms;CPU power 27Mhz
技術成熟度雛形
可應用範圍語音IC、proprietary通訊系統
潛力預估此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。
聯絡人員許呈任
電話03-5914771
傳真03-5820240
電子信箱kevin8@itri.org.tw
參考網址http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備PC
需具備之專業人才數位信號處理技術
同步更新日期2024-09-03

序號

1296

產出年度

94

技術名稱-中文

低延遲、高壓縮語音編碼技術

執行單位

工研院電通所

產出單位

(空)

計畫名稱

多媒體數位視訊技術發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

Low delay 8K voice codec 低延遲之語音編碼技術其延遲小於5ms,其高壓縮率使有限的頻寬能做更有效的運用,是一套可媲美ADPCM 16K音質,降低成本的低延遲技術。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

output bit rate:8Kbps_x000D_;delay<5ms;CPU power 27Mhz

技術成熟度

雛形

可應用範圍

語音IC、proprietary通訊系統

潛力預估

此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

聯絡人員

許呈任

電話

03-5914771

傳真

03-5820240

電子信箱

kevin8@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

PC

需具備之專業人才

數位信號處理技術

同步更新日期

2024-09-03

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DVB-T數位電視接收平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 符合DVB-T標準 2. 雙Tuner模組 3. Smart Card 界面 4. RGB 數位輸出 | 潛力預估: 可擴大數位電視影音服務、數位電視地面廣播與行動接收服務、SD標準畫質顯示等需要多媒體視訊及數位影音內容展現之產業

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

廣播型MHP Middleware平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MHP JavaTV 相容,DSM-CC OC 解碼, DVB-SI 解碼, AWT 中文顯示 2. Java-based AV Player, 電子節目表 EPG | 潛力預估: 廣播式數位電視多媒體應用及數位內容產業,結合LCD高畫質顯示器產業與數位家庭,將驅動新一波數位娛樂服務平台應用

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DTV IPMP多媒體資源智權管理技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... | 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置,可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理,是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統,如數位學習、數位圖書館藏,也隨之存在極大的市場契機

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衛星數位廣播電視接收機技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 接收模組:Tuner input frequency:950MHz~2150MHz、Demodulation:QPSK_x000D_、Symbol rate:2~30MBouad_x000D_、Out... | 潛力預估: 可配合電通所自行研發之QPSK IC,降低生產成本

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MPEG-1 Audio Layer-Ⅰ、Ⅱ技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: Floating-Point High Level(Unix C Language for Sun w/s)Simulation for MPEG-1 LayerⅠ、ⅡDecoder_x000D_;F... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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MPEG-4 AAC Audio Decoder技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: MPEG2/4 AAC Low Complexity Profile;Support SBR tool;up to 2 channel audio;Sampling frequency: 44.1 k... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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DTV MPEG-2 視音訊解碼晶片

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: MPEG-2 transport stream parser and de-multiplexing;MPEG-2 PSI data extraction and storage;DVB-SI and... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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聲學迴音消除技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用ADSP-2181組合語音_x000D_;運算量14MIPS_x000D_;Sampling rate:8KHz_x000D_;Program memory:2048 words_x000D_;D... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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DVB-T數位電視接收平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 符合DVB-T標準 2. 雙Tuner模組 3. Smart Card 界面 4. RGB 數位輸出 | 潛力預估: 可擴大數位電視影音服務、數位電視地面廣播與行動接收服務、SD標準畫質顯示等需要多媒體視訊及數位影音內容展現之產業

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廣播型MHP Middleware平台技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. MHP JavaTV 相容,DSM-CC OC 解碼, DVB-SI 解碼, AWT 中文顯示 2. Java-based AV Player, 電子節目表 EPG | 潛力預估: 廣播式數位電視多媒體應用及數位內容產業,結合LCD高畫質顯示器產業與數位家庭,將驅動新一波數位娛樂服務平台應用

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DTV IPMP多媒體資源智權管理技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1. 此系統使用Client-Server的PC-based平台架構 2. 系統提供數位視訊內容的授權使用管理服務 3. 系統搭配Smartcard及X.509 PKI密鑰技術 4. 系統憑證相容於M... | 潛力預估: 數位內容與DRM系統建置,可控制多媒體內容及相關數位文件之權限使用管理,是數位內容服務基礎設施。相關的特定領域系統,如數位學習、數位圖書館藏,也隨之存在極大的市場契機

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衛星數位廣播電視接收機技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 接收模組:Tuner input frequency:950MHz~2150MHz、Demodulation:QPSK_x000D_、Symbol rate:2~30MBouad_x000D_、Out... | 潛力預估: 可配合電通所自行研發之QPSK IC,降低生產成本

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MPEG-1 Audio Layer-Ⅰ、Ⅱ技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: Floating-Point High Level(Unix C Language for Sun w/s)Simulation for MPEG-1 LayerⅠ、ⅡDecoder_x000D_;F... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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MPEG-4 AAC Audio Decoder技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: MPEG2/4 AAC Low Complexity Profile;Support SBR tool;up to 2 channel audio;Sampling frequency: 44.1 k... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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DTV MPEG-2 視音訊解碼晶片

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: MPEG-2 transport stream parser and de-multiplexing;MPEG-2 PSI data extraction and storage;DVB-SI and... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

聲學迴音消除技術

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 多媒體數位視訊技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用ADSP-2181組合語音_x000D_;運算量14MIPS_x000D_;Sampling rate:8KHz_x000D_;Program memory:2048 words_x000D_;D... | 潛力預估: 此技術完全為自行研發,技術掌握度極高。

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半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

半穿透/反射式液晶顯示技術(雙預傾角成果)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: A.規格︰2.4” QVGA B.特色︰雙預傾角/單一Cell Gap | 潛力預估: 可取代現行2-gap技術

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: none | 潛力預估: 主動矩陣式上發光之有機電激發光顯示器係結合低溫多晶矽薄膜電晶體陣列與倒置型上發光有機發光二極體元件,為自發光、具高解析度、高開口率、高對比、高亮度、低耗電、高反應速度、廣視角之全新平面顯示器;利用LT...

LTPS光罩Reduction技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 使用PMOS製作Array的光罩數 = 5 使用CMOS製作Array的光罩數 = 7 | 潛力預估: 當製造成本降低後,整體產品的價格也會隨之下降,故對市場競爭力絕對有正面的發展。而其他可替代的降低成本方法可能要從更換材料著手,若純就製程技術觀點出發,在不增加任何設備支出的前提下,本技術不失為是一直接...

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: 可取代 Glass 上板。並可應用在手機、PDA、數位相機、車用顯示器、筆記型電腦等產品上。

具記憶效果之反射式可撓式液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 4.1“QVGA, 8灰階,對比>10 | 潛力預估: 可廣泛應用於電子標籤、smart card等新應用

軟性液晶顯示器連續式製程開發

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 基板寬度>30cm | 潛力預估: 軟性顯示器之量產必要技術

直接沈積多晶矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 在玻璃基板上開發直接沈積多晶矽薄膜製程技術,元件mobility> 3 cm2/Vs。 | 潛力預估: 本技術是以CVD方式直接沈積出低溫多晶矽薄膜,除了可以避免過高的製程溫度對基板造成破壞, 又可以節省大量的結晶設備成本,而得到高效能之元件特性,實為一兩全其美之方法,因本技術成果極具吸引力,可望吸引...

20" 奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20” 均勻度<±15% | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低、高發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,目前電視顯示技術上仍由CRT、PDP、Projector、LCD-TV等均分,現日本Canon-Toshiba已合組公司發展S...

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits, 81點亮度均勻度(/平均值)>70% 表面溫度<35°C。 | 潛力預估: 本技術具有體積小、成本低高、發光效率等優點可用於取代 CRT 技術產品,未來在大尺寸LCD-TV市場上如欲降低零組件成本,背光模組相關組件上具有可取代目前之CCFL等背光零組件之潛力,與現有CCFL...

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1. Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T<480 ℃, R< 6mΩ/□ 2. 介電層: devitrifyingV (breakdown)>100V/... | 潛力預估: 本技術可廣泛運用於CNT FED 自發光顯示器及LCD TV之背光源,可先期驗證新材料之適用性,取代目前材料受限於單一廠商之獨占性,協助新技術中關鍵材料之驗證,以取得未來技術蓬勃發展時之商機。

OTFT device development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: None | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,如開發完成,未來在需要低成本之電子產品使用上(如RFID等)擁有相當大的市場價值。

OTFT OLED development

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 3吋 P-type 32x32 OTFT/OLED、threshold voltage<10V、軟性塑膠基板 | 潛力預估: OTFT使用低成本之印刷製程技術,可用於塑膠等軟性基板上,並與有激發光技術(OLED)同屬有機材質,預期有互補性且製程相通,開發完成後,可提供現有之OLED廠商投入新型式軟性顯示器(Flexible ...

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

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