產品供應鏈系統整合方案
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文產品供應鏈系統整合方案的執行單位是工研院系統中心, 產出年度是94, 計畫名稱是系統工程整合應用技術發展三年計畫, 技術規格是C-Flow(視覺化流程設定管理模組);C-Project(協同專案管理);C-Service(網路服務介面擴充模組);CVM(協同虛擬機器模組);C-Hub Base(基礎架構模組), 潛力預估是應用產品供應鏈系統整合方案,產業將可有效串連產業的供應鏈需由,並縮減產品開發時程與設計變更次數。根據Gartner的研究報告,2007年的軟體整合市場產值,將有US$200萬的產值。.

序號1384
產出年度94
技術名稱-中文產品供應鏈系統整合方案
執行單位工研院系統中心
產出單位(空)
計畫名稱系統工程整合應用技術發展三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文目標是透過系統工程手法,建置一套符合網路服務(Web Service)並提供協同專案與擴充元件的協同功能,今年所增加的RFID介面技術,可有效整合RFID硬體資訊,串連供應鏈上不同企業,不同系統間的供應鏈整合應用。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格C-Flow(視覺化流程設定管理模組);C-Project(協同專案管理);C-Service(網路服務介面擴充模組);CVM(協同虛擬機器模組);C-Hub Base(基礎架構模組)
技術成熟度雛型
可應用範圍航太產業研發新產品開發;電子業新產品開發;自行車產業新產品開發;汽機車零組件業新產品開發
潛力預估應用產品供應鏈系統整合方案,產業將可有效串連產業的供應鏈需由,並縮減產品開發時程與設計變更次數。根據Gartner的研究報告,2007年的軟體整合市場產值,將有US$200萬的產值。
聯絡人員郭振堯
電話03-5916668
傳真03-5827704
電子信箱jykuo@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備(空)
需具備之專業人才電腦應用相關技術

序號

1384

產出年度

94

技術名稱-中文

產品供應鏈系統整合方案

執行單位

工研院系統中心

產出單位

(空)

計畫名稱

系統工程整合應用技術發展三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

目標是透過系統工程手法,建置一套符合網路服務(Web Service)並提供協同專案與擴充元件的協同功能,今年所增加的RFID介面技術,可有效整合RFID硬體資訊,串連供應鏈上不同企業,不同系統間的供應鏈整合應用。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

C-Flow(視覺化流程設定管理模組);C-Project(協同專案管理);C-Service(網路服務介面擴充模組);CVM(協同虛擬機器模組);C-Hub Base(基礎架構模組)

技術成熟度

雛型

可應用範圍

航太產業研發新產品開發;電子業新產品開發;自行車產業新產品開發;汽機車零組件業新產品開發

潛力預估

應用產品供應鏈系統整合方案,產業將可有效串連產業的供應鏈需由,並縮減產品開發時程與設計變更次數。根據Gartner的研究報告,2007年的軟體整合市場產值,將有US$200萬的產值。

聯絡人員

郭振堯

電話

03-5916668

傳真

03-5827704

電子信箱

jykuo@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

(空)

需具備之專業人才

電腦應用相關技術

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需求管理應用環境

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 直接提供客戶目前企業現有之產品資訊。透過目前現有產品資料,提供客戶想像空間,並藉此擷取客戶需求。組織整理客戶需求,並透過結構化之需求分析,建構出產品規格。 | 潛力預估: 依國際系統工程協會(INCOSE)預估,有效導入系統工程程序,可縮短產品開發時程達60%,減少工程變更數達50%,減少重新設計及重複施工工時達75%,減少製造成本達40%及減少產品生命週期成本達70%...

@ 技術司可移轉技術資料集

流程管理引擎技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 系統提供滿足工作流程之功能模組:(1)流程模型管理提供企業流程之視覺化設計管理介面,其中包括流程各項設計、版本管控等。(2)流程引擎提供企業流程協同運作核心。(3)流程模擬功能提供流程執行前之運作模擬... | 潛力預估:

@ 技術司可移轉技術資料集

供應鏈協同開發管理系統技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 伺服器規格:Intel Pentium Ⅳ 處理器或更高機型_x000D_、1GB 記憶體(建議安裝2GB)、20GB 的可用硬碟空間_x000D_、Microsoft Windows XP/2003... | 潛力預估:

@ 技術司可移轉技術資料集

智慧型事件處理節點

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 智慧型事件處理節點(iNode)包含iNode與iNode Server_x000D_(1)讀取器:TagSense Micro-UHF_x000D_(2)Win CE or XP-Embedded_... | 潛力預估: iNode應用RFID及軟體代理人,支援JIT大量客製化自動化生產系統,就近生產設備,建立動態流程,由RFID觸動做出即時動態的處置_x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

運用無線射頻辨識(RFID)技術之即時供應鏈同步化系統與方法專利

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種運用無線射頻辨識(RFID)技術之即時供應鏈同步化系統與方法,該系統包含軟體與硬體,係可提供正確、即時、與同步化的供應鏈資訊。 | 潛力預估: WalMart要求前100大供應商均透過RFID技術,管理相關產出,而本專利模式提供一個方法與模式,讓需要RFID與整合異質資訊的供應鏈體系廠商可易於整合。

@ 技術司可移轉技術資料集

分散式智慧型影像監測前端系統(S-Box)技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 多重感測智慧型辨識與安全技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧嵌入式TMS320 DM6467多核心次系統硬體平台 ‧核心處理演算法:物件偵測、追蹤等之影像處理 ‧基本通訊介面:NTSC Input/output, Audio Input/output, US... | 潛力預估: ‧可結合國內NVR /DVR /IP Cam 各特定產業聯盟,共同開發嵌入式智慧監控產品 ‧與國際SI合作,帶領國內業者開拓國際市場

@ 技術司可移轉技術資料集

分散式智慧型影像監測前端系統技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 多重感測智慧型辨識與安全技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧嵌入式TMS320 DM6467多核心或TMS320 DM6437單核心之次系統硬體平台 ‧影像介面:BT.601/656 input and output ‧控制介面:SPI/UART/ I2C ... | 潛力預估: ‧可結合國內NVR /DVR /IP Cam各特定產業聯盟,共同開發嵌入式智慧監控產品 ‧與國際SI合作,帶領國內業者開拓國際市場

@ 技術司可移轉技術資料集

機率式分時輪詢方法及其無線識別讀取機控制器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I479426 | 專利期間起: 104/04/01 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院服科中心 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧LOHAS服務開發/技術應用與多元場域驗證計畫 | 專利發明人: 楊子寬 | 郭振堯 | 盧東宏 | 羅國書 | 符立典 | 翁民賢 | 趙致緯

@ 技術司專利資料集

需求管理應用環境

執行單位: 工研院系統中心 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 直接提供客戶目前企業現有之產品資訊。透過目前現有產品資料,提供客戶想像空間,並藉此擷取客戶需求。組織整理客戶需求,並透過結構化之需求分析,建構出產品規格。 | 潛力預估: 依國際系統工程協會(INCOSE)預估,有效導入系統工程程序,可縮短產品開發時程達60%,減少工程變更數達50%,減少重新設計及重複施工工時達75%,減少製造成本達40%及減少產品生命週期成本達70%...

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流程管理引擎技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 系統提供滿足工作流程之功能模組:(1)流程模型管理提供企業流程之視覺化設計管理介面,其中包括流程各項設計、版本管控等。(2)流程引擎提供企業流程協同運作核心。(3)流程模擬功能提供流程執行前之運作模擬... | 潛力預估:

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供應鏈協同開發管理系統技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 先進製造與系統關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 伺服器規格:Intel Pentium Ⅳ 處理器或更高機型_x000D_、1GB 記憶體(建議安裝2GB)、20GB 的可用硬碟空間_x000D_、Microsoft Windows XP/2003... | 潛力預估:

@ 技術司可移轉技術資料集

智慧型事件處理節點

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 智慧型事件處理節點(iNode)包含iNode與iNode Server_x000D_(1)讀取器:TagSense Micro-UHF_x000D_(2)Win CE or XP-Embedded_... | 潛力預估: iNode應用RFID及軟體代理人,支援JIT大量客製化自動化生產系統,就近生產設備,建立動態流程,由RFID觸動做出即時動態的處置_x000D_

@ 技術司可移轉技術資料集

運用無線射頻辨識(RFID)技術之即時供應鏈同步化系統與方法專利

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 無線射頻辨識系統關鍵技術發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 一種運用無線射頻辨識(RFID)技術之即時供應鏈同步化系統與方法,該系統包含軟體與硬體,係可提供正確、即時、與同步化的供應鏈資訊。 | 潛力預估: WalMart要求前100大供應商均透過RFID技術,管理相關產出,而本專利模式提供一個方法與模式,讓需要RFID與整合異質資訊的供應鏈體系廠商可易於整合。

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分散式智慧型影像監測前端系統(S-Box)技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 多重感測智慧型辨識與安全技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧嵌入式TMS320 DM6467多核心次系統硬體平台 ‧核心處理演算法:物件偵測、追蹤等之影像處理 ‧基本通訊介面:NTSC Input/output, Audio Input/output, US... | 潛力預估: ‧可結合國內NVR /DVR /IP Cam 各特定產業聯盟,共同開發嵌入式智慧監控產品 ‧與國際SI合作,帶領國內業者開拓國際市場

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分散式智慧型影像監測前端系統技術

執行單位: 工研院辨識中心 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 多重感測智慧型辨識與安全技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: ‧嵌入式TMS320 DM6467多核心或TMS320 DM6437單核心之次系統硬體平台 ‧影像介面:BT.601/656 input and output ‧控制介面:SPI/UART/ I2C ... | 潛力預估: ‧可結合國內NVR /DVR /IP Cam各特定產業聯盟,共同開發嵌入式智慧監控產品 ‧與國際SI合作,帶領國內業者開拓國際市場

@ 技術司可移轉技術資料集

機率式分時輪詢方法及其無線識別讀取機控制器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I479426 | 專利期間起: 104/04/01 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院服科中心 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧LOHAS服務開發/技術應用與多元場域驗證計畫 | 專利發明人: 楊子寬 | 郭振堯 | 盧東宏 | 羅國書 | 符立典 | 翁民賢 | 趙致緯

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場,極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_;2.2T1C畫素結構_x000D_;3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場,極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”;Pixel Size 90um x3x360um;Resolution VGA;Voltage Compensation_x000D_;LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場,極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳:與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳:與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

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