廢加氫脫硫觸媒中釩、鉬之分離方法
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文廢加氫脫硫觸媒中釩、鉬之分離方法的執行單位是工研院環安中心, 產出年度是94, 計畫名稱是產業永續發展環安技術研發計畫, 技術規格是由本技術所回收製得的釩化學品與鈷化學品皆可達99%以上的純度, 潛力預估是資源化回收產品單價高，煉鋼、特用產品相關產業需求量大.

序號	1408
產出年度	94
技術名稱-中文	廢加氫脫硫觸媒中釩、鉬之分離方法
執行單位	工研院環安中心
產出單位	(空)
計畫名稱	產業永續發展環安技術研發計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術係採溼式流程，使用於回收加氫脫硫觸媒當中所含之釩元素與鉬元素
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	由本技術所回收製得的釩化學品與鈷化學品皆可達99%以上的純度
技術成熟度	本技術規模已達商業化運轉之需求
可應用範圍	含鈷或鉬之廢棄物皆可應用本技術
潛力預估	資源化回收產品單價高，煉鋼、特用產品相關產業需求量大
聯絡人員	楊奉儒
電話	03-5915484
傳真	03-5820016
電子信箱	yfr@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備	化工、廢水處理等相關設備
需具備之專業人才	化工、環工、化學、材料

序號

1408

產出年度

技術名稱-中文

廢加氫脫硫觸媒中釩、鉬之分離方法

執行單位

工研院環安中心

產出單位

(空)

計畫名稱

產業永續發展環安技術研發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本技術係採溼式流程，使用於回收加氫脫硫觸媒當中所含之釩元素與鉬元素

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

由本技術所回收製得的釩化學品與鈷化學品皆可達99%以上的純度

技術成熟度

本技術規模已達商業化運轉之需求

可應用範圍

含鈷或鉬之廢棄物皆可應用本技術

潛力預估

資源化回收產品單價高，煉鋼、特用產品相關產業需求量大

聯絡人員

楊奉儒

電話

03-5915484

傳真

03-5820016

電子信箱

yfr@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

化工、廢水處理等相關設備

需具備之專業人才

化工、環工、化學、材料

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複合金屬廢棄物(砷化鎵)資源化技術	執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 產業環境與安全衛生應用技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 以溶媒萃取、沉澱分離、熱分離、溼式電解、離子交換等技術流程，處理含砷化鎵之光電產業廢棄物。可成功地自含砷化鎵之光電產業廢棄物中，有效地去除具有毒性之砷化物，並且資源化回收有價的金屬─鎵，其純度可達99... \| 潛力預估: 可處理每年國內光電業者產生約二百噸之含砷化鎵廢棄物，並提供資源化處理業者因應廢棄物轉型所需之處理技術 @ 技術司可移轉技術資料集
廢電池回收處理技術	執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術可回收鐵、錳、鋅等金屬,回收率約為80﹪ \| 潛力預估: 電池/環保…等相關產業皆可應用 @ 技術司可移轉技術資料集
支撐式液態膜分離系統	執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 金屬選擇率達99%以上,金屬回收率達85%以上 \| 潛力預估: 電子/電鍍產業之線上回收,環保產業有價金屬回收皆可應用 @ 技術司可移轉技術資料集
廢日光燈管之拆解方法及其裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6637098 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 楊奉儒 \| 蔡憲坤 @ 技術司專利資料集
雜質振盪分離送料器結構之改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 李明晃 \| 陳珠修 \| 楊奉儒 @ 技術司專利資料集
以工業廢棄物作為原料的樹脂混凝土	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 207309 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳清齊 \| 賴明柱 \| 楊奉儒 \| 陳志恒 @ 技術司專利資料集
研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 211613 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修 \| 楊奉儒 \| 李明晃 @ 技術司專利資料集

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力
多晶矽平坦化技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 \| 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力
4"奈米碳管場發射顯射器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力
AMOLED畫素與驅動電路設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... \| 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力
合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。
磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: MR>50%, RA \| 潛力預估: Embedded 記憶體
相變化記憶體元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... \| 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。
微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

廢加氫脫硫觸媒中釩、鉬之分離方法 - 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

技術現況敘述-中文

技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

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