矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是工研院先進製造與系統領域環境建構計畫, 技術規格是KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。, 潛力預估是本製程可提升產品良率，降低生產成本.

序號	991
產出年度	94
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	雛型
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	本製程可提升產品良率，降低生產成本
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching
同步更新日期	2023-07-22

序號

991

產出年度

技術名稱-中文

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估

本製程可提升產品良率，降低生產成本

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

alignment mask design / anisotropic wet etching

同步更新日期

2023-07-22

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# 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號	655
產出年度	93
技術名稱-中文	矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。
技術成熟度	試量產
可應用範圍	壓力感測器,加速器等感測器或致動器。
潛力預估	體型微加工重要技術,應用潛力高
聯絡人員	楊倉錄
電話	03-5914393
傳真	03-5820412
電子信箱	yangtl@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	alignment mask design / anisotropic wet etching

序號: 655

產出年度: 93

技術名稱-中文: 矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 矽的非等向性KOH蝕刻是眾多微機電系統技術的其中一項，其深蝕刻技術更是壓力感測器,加速器等感測器或致動器的關鍵。而為提昇產品的可靠度與穩定性，我們必須能精確的控制蝕刻過程，並預期蝕刻結果。而蝕刻速率的穩定性、蝕刻面的均勻性和側向蝕刻的監控與預測便成為當前商品化與良率提昇結構部分最重要的三大課題。有鑑於此三項議題的關鍵性與重要性，本實驗室同仁通力合作，全力開發，並得到初步的結果。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。

技術成熟度: 試量產

可應用範圍: 壓力感測器,加速器等感測器或致動器。

潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

聯絡人員: 楊倉錄

電話: 03-5914393

傳真: 03-5820412

電子信箱: yangtl@itri.org.tw

參考網址: http://itrijs.itri.org.tw/main/select.j

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: alignment mask design / anisotropic wet etching

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# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號	986
產出年度	94
技術名稱-中文	微機電共用晶片
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	3 poly-silicon 1 Metal
技術成熟度	雛型
可應用範圍	MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.
潛力預估	微機電面型微加工標準製程
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	半導體及微機電製程能力

序號: 986

產出年度: 94

技術名稱-中文: 微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 本技術建立一套微機電面型微加工標準製程，提供給微機電元件設計者作為產品原型開發製程平台。此製程可相容於與美國Cronos公司的MUMPs製程，其中包含三層多晶矽與一層金屬層，以及兩層磷矽玻璃（PSG）犧牲層，最後蝕刻釋放後將結構層懸浮出來。適合用來做微致動器、微型開關、微形馬達及光開關等微機電元件。本技術開放給不同的使用者，在單位面積(1cm2)內使用者可依據本技術的結構規範設計元件，然後整合在同一道光罩上一起製作流程，於精密控制的參數下進行製程。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: MEMS processes, devices fabrication: actuator, comb driver, switch, micro motor.

潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 半導體及微機電製程能力

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號	987
產出年度	94
技術名稱-中文	無線生理訊號感測模組設計技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	(1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance
技術成熟度	雛型
可應用範圍	(1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_
潛力預估	據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備
需具備之專業人才	電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_

序號: 987

產出年度: 94

技術名稱-中文: 無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 技術說明：本移轉技術主要是關於生理訊號之無線感測模組相關技術，內容包含:_x000D_(1) 無線訊號傳輸平台之設計技術(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術_x000D_

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、Transmission Range: 3m。(2) 類比訊號處理所需之電路設計技術：dIPD/ IPD >1.4%、高通濾波放大電路之3dB頻率：0.5Hz、高通濾波放大電路之放大倍率：2、低通濾波放大電路之3dB頻率設計：5Hz、低通濾波放大電路之放大倍率：440。(3) 親膚性生理訊號感測器整合技術：Skin-electrode Interface Impedance

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: (1)居家照護產業(2)行動不便病人生理監控_x000D_(3)兒童/老人安全監控(4)運動參數監控_x000D_

潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~35億美元之間，若依實際醫療支出推估，則每年市場規模可達新台幣1,500億至4,200億之間，市場潛力極大。且大部分國際及國內大廠(如台糖、台塑集團等)均看好，預計將協助國內相關廠商於此一新興領域占得先機。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 基本電路理論及量測設備、無線傳輸相關量測設備

需具備之專業人才: 電子、電機 (包含數位電路設計、RF電路基礎、天線、EMI…)機械、材料 (結構應力、有機材料…)_x000D_等相關背景人員_x000D_

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號	988
產出年度	94
技術名稱-中文	厚膜光阻製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30
技術成熟度	雛型
可應用範圍	Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.
潛力預估	成本低、製程簡單之高深寬比結構。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	熱墊板,曝光機
需具備之專業人才	熟悉黃光單站製程

序號: 988

產出年度: 94

技術名稱-中文: 厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 厚膜光阻主要用來產生high aspect ratio (高深寬比)的結構，厚膜光阻作出結構後，再加上後續的電鑄製程，便可以用來製造如齒輪、線圈、微流道，或可以用來作為Deep Si RIE的Mask材料。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: Bump Fabrication, Wire Interconnect, High Aspect Ratio Structure.Bio chip,Inkjet Head,Plannar light circuit.

潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 熱墊板,曝光機

需具備之專業人才: 熟悉黃光單站製程

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號	989
產出年度	94
技術名稱-中文	利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3
技術成熟度	雛型
可應用範圍	微致動器、微加速度計、微掃瞄器。
潛力預估	製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	PVD,CVD,RIE
需具備之專業人才	半導體製程背景人才

序號: 989

產出年度: 94

技術名稱-中文: 利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 利用矽單晶片來當作微結構之本體，可以用來製作MEMS元件在已完工之矽積體電路上(Processes compatible with CMOS-technology)。特點為MEMS元件之結構體厚度較不受限制及殘留應力之問題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 微致動器、微加速度計、微掃瞄器。

潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: PVD,CVD,RIE

需具備之專業人才: 半導體製程背景人才

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號	990
產出年度	94
技術名稱-中文	低應力薄膜製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	SIN Film Stress
技術成熟度	雛型
可應用範圍	氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。
潛力預估	穩定可量產
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務
需具備之專業人才	具備爐管設備維修及製程人才

序號: 990

產出年度: 94

技術名稱-中文: 低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 我們發現大多數的微機電元件需使用低應力氮化矽薄膜做基材,本計畫利用低壓化學氣相沉積低應力氮化矽(Si-rich Nitride)薄膜。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: SIN Film Stress

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 氮化矽薄膜在微機電的應用常使用氮化矽薄膜做出懸臂與振動薄膜等支撐結構,亦用來作為電性隔離,Hard Mask,適當控制應力值,可用來作為結構的抬昇臂,利用該製程也成功開發出V-Groove及AFM-Tip的製造。

潛力預估: 穩定可量產

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 低壓化學氣相沉積低應力氮化矽薄膜研發_x000D_；面型微機電系統製程技術開發與服務

需具備之專業人才: 具備爐管設備維修及製程人才

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號	992
產出年度	94
技術名稱-中文	微氣體感測器
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度	雛型
可應用範圍	此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估	應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	化工,機械背景及半導體製程人才

序號: 992

產出年度: 94

技術名稱-中文: 微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。

潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 化工,機械背景及半導體製程人才

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號	993
產出年度	94
技術名稱-中文	矽晶片蝕穿技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30
技術成熟度	雛型
可應用範圍	印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。
潛力預估	最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	電機,半導體製程背景人才。

序號: 993

產出年度: 94

技術名稱-中文: 矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 提供矽晶片蝕穿技術、高深寬比之矽蝕穿。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 印表機噴墨頭噴孔、微流體噴孔製作。

潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

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所須軟硬體設備: 微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才: 電機,半導體製程背景人才。

# 06-3847128 於經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號	994
產出年度	94
技術名稱-中文	矽晶深蝕刻製程技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院先進製造與系統領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi
技術成熟度	雛型
可應用範圍	矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。
潛力預估	微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	ICP or DRIE
需具備之專業人才	半導體之乾蝕刻製程為基礎

序號: 994

產出年度: 94

技術名稱-中文: 矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所

產出單位: (空)

計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫

領域: (空)

已申請專利之國家: (空)

已獲得專利之國家: (空)

技術現況敘述-中文: 如何得到高蝕刻速率、高選擇比、高非均向性、高蝕刻深度及高深寬比是矽深蝕刻製程技術中主要的課題。

技術現況敘述-英文: (空)

技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi

技術成熟度: 雛型

可應用範圍: 矽深蝕刻製程技術是微機電系統 (MEMS)中非常重要的一環,可利用所製作之高深寬比結構設計製作加速度計STM,微感測器,熱泡式噴墨頭等。

潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。

聯絡人員: 羅政

電話: 06-3847128

傳真: 06-3847294

電子信箱: chenglo@itri.org.tw

參考網址: (空)

所須軟硬體設備: ICP or DRIE

需具備之專業人才: 半導體之乾蝕刻製程為基礎

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與矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

高精細金屬精密蝕刻技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: OLED用金屬罩規格為具有最小孔距0.03mm與0.225mm×0.070mm開口之超高精細度網罩。 \| 潛力預估: 開發出獨特並具有專利智權的Dynode強化場發射照明或顯示系統元件與其相關材料技術，並建立自主之CDT網罩製作技術、OLED熱蒸鍍Metal Mask製作技術、平面顯示器高精度電子增益零件製作技術等...
塑膠光纖單芯雙向連接器設計	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 單蕊雙向塑膠光纖連接器收發模組，中心主波長為650nm，傳輸量在200Mbps。包括收發電路、光學機構及整合等工作。 \| 潛力預估: 在國內寬頻產業逐漸萌芽之際，連接器產業若能藉由此計劃建立產業之塑膠光纖連接器之設計技術，適時切入市場技術，對產業在未來寬頻光纖連接器產品之發開技術上，將大有助益。
高導熱碳纖維強化鋁基複合材料成形技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 碳纖維強化碳基複合材料, 熱傳導率可達654 W/m.K(纖維方向)以上高於純銅, 密度在1.75 g/cm3左右，熱膨脹係數則在6.65 ppm/K(纖維方向)，其中碳纖維強化的體積分率達63%。利... \| 潛力預估: 高導熱碳纖維複合材料可解決未來熱管理產業對高導熱散熱材料的需求, 同時達到輕量化小型化及構裝上低熱膨脹係數的設計需求，協助國內散熱產業切入中高階的散熱模組市場，擴大市場規模。
多元高熵合金熔鑄與鍛壓技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.設計5-7元高熵合金組成配方，以大氣感應熔煉(IF)開發10kg級鑄胚。 2.以Gleeble熱加工模擬研究最佳固熔化與熱鍛溫度(RA%>40) 3.開模鍛造可鍛造量>50% 4.冷壓可壓延量>... \| 潛力預估: 可製成高強度、耐磨、耐溫、耐蝕之刀工具、模具、機件等所用新一代合金材料。
駐極體材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 直徑：＜ 50mm, Response Frequency：＞10kHz, Response Sensitivity ：＞80dB \| 潛力預估: 建立駐電型複合材料結構相關製程加工技術及駐極体材料評估分析方法，以提昇電聲產品之性能以增加產品附加價值，促使我國產業能深入3C產品領域。
超高機能表面材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 基板尺寸24”x24” \| 潛力預估: 增加廠商相關技術之進步，並提昇其產品之良率與國際競爭力。
輕量化高分子複材先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 塗佈技術規格：模厚40 mm ± 10%,預浸材規格：FAW = 100 g/m2，樹脂含量35~37%，耐衝擊性提升10 % \| 潛力預估: 預估國內複合材料在運動器材之應用需求超過 5000噸 / 年，可增加複材相關產業產值20億台幣以上。輕量化高分子複材，可提升複材之材料性能，提高產品設計之自由度。對應用產品之輕量化及提高附加價值均有...
高應答速度液晶材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 其他液晶參數:Δn = 0.1561，γ1 /κ11 =7.8 ，κ11 =1.15 e-11，γ1 = 90，FOM = 3.1，Vth = 1.74 V \| 潛力預估: 建立我國液晶材料配製、光電特性量測、評估技術能力；促成國內液晶顯示器產業垂直整合的完整性、技術開發完成攻佔市場後可搶佔數10億元以上之的收益。
新型配向材料技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 水平pre-tilt photo-tuned 0~10度,垂直pre-tilt photo-tuned 80~90度 \| 潛力預估: 可促進產值達50億元以上
低溫硬化互連導電材料先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進有機材料產業技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: B-stage 反應性為 T onset= 112.6℃; gel time@150℃: 8sec;熱膨脹係數降低至43ppm/℃,Tg仍具有165℃; 接合壓力: 100-150/bump; 接合時... \| 潛力預估: 15億新台幣
電容去離子奈米複合碳電極材料開發	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 奈米複合碳電極材料具高放電電容量> 100 F/g；CDI去除率> 250 ppm/次 \| 潛力預估: 以商品化電化學電容器碳材為例，其最大放電電容量僅約100 F/g，目前材料所針對商用碳材以奈米一維材料表面修飾，可得一中孔性奈米結構碳材，其電容量可增加25~40%，預期其市場接受性高，且目前並無相...
奈米可見光光觸媒材料技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)摻有奈米氧化鋅粉(0.2wt.%)之大腸桿菌培養液在可見光(波長543nm/強度1500Lux)照射6小時後，細菌數目減少至原來之0.1%以下；(2)根據ASTM G21-96測試對黑麴黴菌(A... \| 潛力預估: 根據日本工業新聞的統計，2000年時日本光觸媒的年產值為70億日圓。預估到2005年時，日本的光觸媒產值將達100億日圓，約有新台幣28億元。使用光觸媒作為殺菌、消臭、防污的觀念，在日本已經十分普...
超薄型塗佈技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度￡0.5μm、厚度均勻度395%, 塗佈寬度3300mm \| 潛力預估: 本技術可增進國內廠商建立上游材料的製作技術，建立如觸控面板、增亮膜、廣試角膜、抗反射膜、抗炫膜與其他光學補償膜等等，如果本土材料產業成功的話，可提供下游就近的材料提供與成本競爭力，預期可以有很大的產業...
計量式精密塗佈技術	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 乾膜厚度介於1~100μm之間、厚度均勻度395% \| 潛力預估: 舉凡各種光學膜，如彩色光阻、廣視角膜、增亮膜、偏光膜、補償膜、擴散片、塑膠基板及電池極板之製作，皆與「精密塗佈技術」為核心之關鍵技術互相牽連在一起，如有相關技術之建立,可促成工業供應鏈的齊全
奈米纖維材料製造與應用技術先期技術授權	執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 複合奈米金屬線/纖維寬徑≦100nm，線/纖維長度≧20μm，長度/寬徑比(aspect ratio)> 200 \| 潛力預估: 開發複合奈米纖維材料製造技術及應用評估，以應用於儲能、微感測器、場發射平面顯示器上的材料使用，本技術包括奈米中空管、奈米金屬纖維、複合奈米金屬纖維之製造技術