動壓HD-DVD主軸馬達技術
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技術名稱-中文動壓HD-DVD主軸馬達技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是95, 計畫名稱是前瞻光資訊系統技術發展計畫, 技術規格是馬達型式:三相直流無刷;直徑≦30mm;高度≦22mm;額定電壓:12VDC;額定電流≦0.16Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦5 μm。, 潛力預估是散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。.

序號1559
產出年度95
技術名稱-中文動壓HD-DVD主軸馬達技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術,使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高,此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低,同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度,並具備低振動與低噪音之特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格馬達型式:三相直流無刷;直徑≦30mm;高度≦22mm;額定電壓:12VDC;額定電流≦0.16Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦5 μm。
技術成熟度其他
可應用範圍HD-DVD主軸馬達;光碟機主軸馬達;HDD主軸馬達;MPU&CPU風扇馬達;中、高速polygon馬達_x000D_。
潛力預估散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939059
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址
所須軟硬體設備
需具備之專業人才

序號

1559

產出年度

95

技術名稱-中文

動壓HD-DVD主軸馬達技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

前瞻光資訊系統技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術,使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高,此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低,同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度,並具備低振動與低噪音之特性。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

馬達型式:三相直流無刷;直徑≦30mm;高度≦22mm;額定電壓:12VDC;額定電流≦0.16Amp_x000D_;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_;Turntable Runout≦5 μm。

技術成熟度

其他

可應用範圍

HD-DVD主軸馬達;光碟機主軸馬達;HDD主軸馬達;MPU&CPU風扇馬達;中、高速polygon馬達_x000D_。

潛力預估

散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。

聯絡人員

鄭志宏

電話

06-6939053

傳真

06-6939059

電子信箱

chengbicha@itri.org.tw

參考網址

所須軟硬體設備

需具備之專業人才

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動壓HD-DVD主軸馬達技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 馬達型式:三相直流無刷_x000D_;直徑≦30mm_x000D_;高度≦22mm_x000D_;額定電壓:12VDC_x000D_;額定電流≦0.16Amp;最大負載轉速>5000 rpm@0.6g... | 潛力預估:

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動壓HD-DVD主軸馬達技術

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噴墨法立體微透鏡製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_;Radius(R): 60~1200 m;Focal Length(f): 110~1600 m;Lens thickness(t):... | 潛力預估: 背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。

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高功率LED散熱模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Color full color (tunable);Color Rendering >90%NTSC;Output Luminance >75lm;Dimension 25lm/w。 | 潛力預估: 3C電子,平面顯示器等相關產業。

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手機相機自動對焦驅動模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸(L×W×H):12×12×5.1mm;解析度:0.01±0.005mm;行程:0.3mm以上;運轉電流≦100mA。 | 潛力預估: 手機相機相關應用產業

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高能雷射加工頭模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫 | 領域: | 技術規格: (1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計,提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計,可以針對產業需求變更客製化設計。 | 潛力預估: 可應用於各式高功率雷射加工應用

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線型雷射光束模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Gaussian to Line shape / Wavelength:355~1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% | 潛力預估: 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。

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R2R傳輸模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線,達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術,超薄玻璃厚度100μm,循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組,應用於高精度R2R製程設備

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AMOLED薄膜封裝技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程,薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% | 潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題,並布局創新結構及設備專利,透過關鍵專利技術移轉,協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖,解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。

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飛秒雷射改質模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: (a) 改質線寬可達微奈米等級,最小可小於雷射加工波長線寬λ,約為150-170 nm之間 (b) 改質線長可達3.0 mm,改質區域深寬比大於60 (c) 改質尺度變化誤差小於8.93% | 潛力預估: 國內產業目前以輪刀切割為主,因刀片厚度使得切割軌跡寬度不易縮小,造成之良率不佳及材料浪費,本技術可改善屬點光源加工的雷射高斯光束切割的缺點,大幅提升微切割速度,可應用於透明硬脆材料的高速精密切割

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噴墨法立體微透鏡製程技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_;Radius(R): 60~1200 m;Focal Length(f): 110~1600 m;Lens thickness(t):... | 潛力預估: 背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。

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高功率LED散熱模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Color full color (tunable);Color Rendering >90%NTSC;Output Luminance >75lm;Dimension 25lm/w。 | 潛力預估: 3C電子,平面顯示器等相關產業。

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手機相機自動對焦驅動模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 尺寸(L×W×H):12×12×5.1mm;解析度:0.01±0.005mm;行程:0.3mm以上;運轉電流≦100mA。 | 潛力預估: 手機相機相關應用產業

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高能雷射加工頭模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫 | 領域: | 技術規格: (1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計,提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計,可以針對產業需求變更客製化設計。 | 潛力預估: 可應用於各式高功率雷射加工應用

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線型雷射光束模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: Gaussian to Line shape / Wavelength:355~1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80% | 潛力預估: 取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。

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R2R傳輸模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線,達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術,超薄玻璃厚度100μm,循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合... | 潛力預估: 可結合各功能性模組,應用於高精度R2R製程設備

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AMOLED薄膜封裝技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫 | 領域: | 技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程,薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90% | 潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題,並布局創新結構及設備專利,透過關鍵專利技術移轉,協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖,解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。

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飛秒雷射改質模組技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫 | 領域: | 技術規格: (a) 改質線寬可達微奈米等級,最小可小於雷射加工波長線寬λ,約為150-170 nm之間 (b) 改質線長可達3.0 mm,改質區域深寬比大於60 (c) 改質尺度變化誤差小於8.93% | 潛力預估: 國內產業目前以輪刀切割為主,因刀片厚度使得切割軌跡寬度不易縮小,造成之良率不佳及材料浪費,本技術可改善屬點光源加工的雷射高斯光束切割的缺點,大幅提升微切割速度,可應用於透明硬脆材料的高速精密切割

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真空機械手臂開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。

集束型製程設備真空輸送平台系統技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .主腔型態:六面腔或八面腔,真空度: 1×10-7Torr,控制介面: RS232,硬體介面:符合SEMI標準規範,晶圓尺寸:200mm/300mm | 潛力預估: 集束型設備,具有節省空間及時間等效益,為現階段半導體廠常見之設備組態方式,而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一,目前此類設備均為外購,深具市場潛力。

半導體基材輸送設備控制器開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 | 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器,其架構多為封閉式架構,不易修改或維護,本產品採開放式多層架構,元件化設計,組裝方便,可依不同機台快速組裝與抽換

磁性流體軸封開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃,耐真空度10-8Torr,洩漏速度10-10 mbar/sec,單/雙軸式磁性軸封 | 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件,常用於真空機械手臂之真空隔離介面,由於磁性流體具有使用期限,為定期更換件,每年約有1,000顆以上之需求量。

磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

真空機械手臂開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .晶圓大小:300mm;真空度: 1×10-7Torr;運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm;PC Based架構控制器,具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 | 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件,國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠,其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%,計有6,700萬美元,其中真空機械手臂188套,估計約760萬美元。

集束型製程設備真空輸送平台系統技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .主腔型態:六面腔或八面腔,真空度: 1×10-7Torr,控制介面: RS232,硬體介面:符合SEMI標準規範,晶圓尺寸:200mm/300mm | 潛力預估: 集束型設備,具有節省空間及時間等效益,為現階段半導體廠常見之設備組態方式,而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一,目前此類設備均為外購,深具市場潛力。

半導體基材輸送設備控制器開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 | 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器,其架構多為封閉式架構,不易修改或維護,本產品採開放式多層架構,元件化設計,組裝方便,可依不同機台快速組裝與抽換

磁性流體軸封開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃,耐真空度10-8Torr,洩漏速度10-10 mbar/sec,單/雙軸式磁性軸封 | 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件,常用於真空機械手臂之真空隔離介面,由於磁性流體具有使用期限,為定期更換件,每年約有1,000顆以上之需求量。

磁性聯軸器設計開發技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m | 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面,由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加,則本產品之市場潛力亦日益提升。

半導體前段設備標準通標模組

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 | 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準,本產品為標準通訊模組,目前此類標準通訊模組多使用國外產品,國內市場廣大,可配合未來國內自製機台使用,潛力無窮。

300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 沉積率:2,500A/min,沉積溫度低於350℃,沉積均勻度為3% | 潛力預估: 為我國從民國87年起,投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元,LCD全球市場在民國94年將達390億美元,而全球設備產業將達61億美元,其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...

300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線.蝕刻速率為2,500 A /min .蝕刻均勻度小於3 % | 潛力預估: TFT-LCD之蝕刻、清洗

精密雷射切割機

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .定位精度:0.5μm .馬達最快速度: 120m/min .馬達最快加速度: 1.5g .切割速度:~4000 Aperture/Hour .具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 | 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元,94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元

線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm | 潛力預估: 相關文獻顯示,預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時,以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發,預計可建立業界高速工具機...

油靜座滑軌

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: .供油壓力:20 bar .潤滑油形式:VG32(溫度20~40℃) .切削力:Fa:1,000N,Ft:300N .滑軌長度:1,500mm .工作行程:750mm .工作台上最大荷重:750kg... | 潛力預估: 更精密、更快速、更經濟是工業界持續追求之目標,本技術在前兩項目標之達成無庸置疑,對於經濟性,就機器製造成本而言,雖然需要較高之成本,但將無磨耗、壽命長納入考量後,將極具競爭力。目前國產工具機與各型機具...

極低應力超精密拋光及晶圓平坦化技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 極低之下壓力( Extremely Low Down Force ) 低於0.5Psi壓力達到傳統拋光之研磨率及均勻度 | 潛力預估: 超精密拋光技術之市場極為龐大,如單以IC晶圓之平坦化設備市場而言,民國92年全世界製程設備市場預估為l3億美元,預估93年達到19億美元,至99年時可達65億美元

晶圓均溫加熱調整技術

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 晶圓加熱均勻度: 0.5% ( 3σ ) | 潛力預估: 本項技術可就晶圓製程需求,以市場上現有零組件組裝快速熱處理機台,大幅降低成本。民國90年Applied Materials Inc推出的Radiance Centura 300,價格約為200 ~ 3...

微型慣性感測元件研製

執行單位: 中科院飛彈所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 | 領域: | 技術規格: 微奈米先進製程技術發展微型慣性感測單元,由於具有微型化、低功率消耗、成本低與高可靠度之優點,根據美國Honeywell公司對產品評估,與傳統機電式慣性感測單元比較,體積上可縮小90%,電源消耗上減少8... | 潛力預估: 微型陀螺儀應用範圍廣泛,未來可以結合國內優勢產業如資訊業產品滑鼠、遊戲機等發展3D產品或與GPS結合應用於手機、汽車上,發展自動導航系統。建立國內微慣性感測元件研發能量,完成核心組件專利佈局,協助業界...

氫電關鍵元件材料技術

執行單位: 中科院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 石墨雙極分隔板:體積電阻率小於3.0×10-3Ω-cm,He氣漏氣率小於2 ×10-8torr.l/sec。.氣體擴散層其體積電阻率小於6×10-2Ω-cm。Pt/C觸媒,平均粒徑3nm以下,白金含... | 潛力預估: 未來有機會部分取代現有發電機、電廠及電池

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