線型雷射光束模組技術
- 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文線型雷射光束模組技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是101, 計畫名稱是軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫, 技術規格是Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80%, 潛力預估是取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。.

序號5847
產出年度101
技術名稱-中文線型雷射光束模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文相對簡單之光學結構設計,使用較少的光學元件讓設備簡單化,省去繁瑣的調校步驟。 本結構具scaling up之可行性,可以針對產業需求客製化設計。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80%
技術成熟度雛型
可應用範圍TCO Film相關應用(觸控面板、軟性顯示器等)
潛力預估取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417
所須軟硬體設備紫外光脈衝雷射、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀)
需具備之專業人才電控與雷射應用背景
同步更新日期2023-07-22

序號

5847

產出年度

101

技術名稱-中文

線型雷射光束模組技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

相對簡單之光學結構設計,使用較少的光學元件讓設備簡單化,省去繁瑣的調校步驟。 本結構具scaling up之可行性,可以針對產業需求客製化設計。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Gaussian to Line shape / Wavelength：355～1064 nmLength ~ 100 mm / Width ~ 80μmUniformity ≧ 80%

技術成熟度

雛型

可應用範圍

TCO Film相關應用(觸控面板、軟性顯示器等)

潛力預估

取代傳統熱退火時軟板因熱形變導致TCO特性變差問題衍生應用於次世代軟性顯示器塑膠基板雷射離型技術 。

聯絡人員

鄭志宏

電話

06-6939053

傳真

06-6939056

電子信箱

chengbicha@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417

所須軟硬體設備

紫外光脈衝雷射、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀)

需具備之專業人才

電控與雷射應用背景

同步更新日期

2023-07-22

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# 線型雷射光束模組技術 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

序號6436
產出年度102
技術名稱-中文線型雷射光束模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文針對多模與單模雷射源皆發展出對應之line beam技術，並有具有兩件四案國內外專利申請中。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格雙片式lens array成像均化裝置(Imaging homogenizer) 線長 L=100 mm ~ 250 mm 線寬 W= 400 μm Uniformity>90%
技術成熟度雛型
可應用範圍OLED LLO、導電薄膜退火技術、IGBT退火
潛力預估可結合平台或掃描系統，並客製line beam長度，應用於micro製程退火處理。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址https://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備雷射源、精密平台
需具備之專業人才光學、材料、電控
序號: 6436
產出年度: 102
技術名稱-中文: 線型雷射光束模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 針對多模與單模雷射源皆發展出對應之line beam技術，並有具有兩件四案國內外專利申請中。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 雙片式lens array成像均化裝置(Imaging homogenizer) 線長 L=100 mm ~ 250 mm 線寬 W= 400 μm Uniformity>90%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: OLED LLO、導電薄膜退火技術、IGBT退火
潛力預估: 可結合平台或掃描系統，並客製line beam長度，應用於micro製程退火處理。
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939056
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: https://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備: 雷射源、精密平台
需具備之專業人才: 光學、材料、電控
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# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 1

序號1559
產出年度95
技術名稱-中文動壓HD-DVD主軸馬達技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術，使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高，此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低，同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度，並具備低振動與低噪音之特性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格馬達型式：三相直流無刷；直徑≦30mm；高度≦22mm；額定電壓：12VDC；額定電流≦0.16Amp_x000D_；最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_；Turntable Runout≦5 μm。
技術成熟度其他
可應用範圍HD-DVD主軸馬達；光碟機主軸馬達；HDD主軸馬達；MPU＆CPU風扇馬達；中、高速polygon馬達_x000D_。
潛力預估散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939059
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才無
序號: 1559
產出年度: 95
技術名稱-中文: 動壓HD-DVD主軸馬達技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 光電所研發之動壓HD-DVD主軸馬達應用國內首見之流體動壓軸承技術，使得主軸馬達在運轉時精度大幅提高，此技術藉由流體動壓之特性使馬達所產生的噪音降至最低，同時在振動的抑制效能上亦有優異的表現。此HD-DVD主軸馬達符合高密度光碟片在資料讀寫時之低動態偏擺旋轉精度，並具備低振動與低噪音之特性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 馬達型式：三相直流無刷；直徑≦30mm；高度≦22mm；額定電壓：12VDC；額定電流≦0.16Amp_x000D_；最大負載轉速>5000 rpm@0.6g-cm Disk_x000D_；Turntable Runout≦5 μm。
技術成熟度: 其他
可應用範圍: HD-DVD主軸馬達；光碟機主軸馬達；HDD主軸馬達；MPU＆CPU風扇馬達；中、高速polygon馬達_x000D_。
潛力預估: 散熱風扇模組廠,光碟機模組廠,軸承廠等些關業者。
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939059
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 無

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 2

序號1560
產出年度95
技術名稱-中文噴墨法立體微透鏡製程技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文利用噴墨列印技術(Inkjet technology)發展之新製程，達成製程簡化、環保低污染之目的。本技術具有單製程(one-pass)及即需即印(Drop-on-demand,DOD)之新境界。適用於噴墨式立體影像製程中之特殊基材（3D media），可作為在立體影像噴射製程技術（3D inkjet optics）之基本且關鍵性技術依據。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Base Diameter: 100~1500 m_x000D_；Radius(R): 60~1200 m；Focal Length(f): 110~1600 m；Lens thickness(t): 50~300 m_x000D_； Pitch: 300 m。
技術成熟度其他
可應用範圍光纖用準直微透鏡_x000D_；立體相片；影像感測器鏡頭；光碟機讀取頭pickup lens。
潛力預估背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939059
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才無
序號: 1560
產出年度: 95
技術名稱-中文: 噴墨法立體微透鏡製程技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 利用噴墨列印技術(Inkjet technology)發展之新製程，達成製程簡化、環保低污染之目的。本技術具有單製程(one-pass)及即需即印(Drop-on-demand,DOD)之新境界。適用於噴墨式立體影像製程中之特殊基材（3D media），可作為在立體影像噴射製程技術（3D inkjet optics）之基本且關鍵性技術依據。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Base Diameter: 100~1500 m_x000D_；Radius(R): 60~1200 m；Focal Length(f): 110~1600 m；Lens thickness(t): 50~300 m_x000D_； Pitch: 300 m。
技術成熟度: 其他
可應用範圍: 光纖用準直微透鏡_x000D_；立體相片；影像感測器鏡頭；光碟機讀取頭pickup lens。
潛力預估: 背光模組廠,光纖通訊業及影像感測模組廠商。
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939059
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 無

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 3

序號1565
產出年度95
技術名稱-中文高功率LED散熱模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高功率Pump雷射耦合器的工作效果是將兩道正交極化光合併為一道光，反向使用則可將輸入的光，利用一個極化分光器分離成兩個正交極化的光。現今，具有正交偏振合光特性的工作元件，則能夠搭配雷射光源，扮演一個高雷射功率結合器的關鍵角色，達到較高的功率用以當作EDFA與Raman Amplifier的泵浦來源，通常雷射源必須搭配光隔絕器以隔絕光纖通訊系統中逆向的雜訊光，提高系統的品質。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格Color full color (tunable)；Color Rendering >90%NTSC；Output Luminance >75lm；Dimension 25lm/w。
技術成熟度概念
可應用範圍無
潛力預估3C電子,平面顯示器等相關產業。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939059
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才無
序號: 1565
產出年度: 95
技術名稱-中文: 高功率LED散熱模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 光通訊與光電元組件關鍵技術發展四年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 高功率Pump雷射耦合器的工作效果是將兩道正交極化光合併為一道光，反向使用則可將輸入的光，利用一個極化分光器分離成兩個正交極化的光。現今，具有正交偏振合光特性的工作元件，則能夠搭配雷射光源，扮演一個高雷射功率結合器的關鍵角色，達到較高的功率用以當作EDFA與Raman Amplifier的泵浦來源，通常雷射源必須搭配光隔絕器以隔絕光纖通訊系統中逆向的雜訊光，提高系統的品質。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: Color full color (tunable)；Color Rendering >90%NTSC；Output Luminance >75lm；Dimension 25lm/w。
技術成熟度: 概念
可應用範圍: 無
潛力預估: 3C電子,平面顯示器等相關產業。
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939059
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 無
需具備之專業人才: 無

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 4

序號1579
產出年度95
技術名稱-中文手機相機自動對焦驅動模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱前瞻光資訊系統技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 自動對焦驅動模組設計技術；2. 微型化構裝技術。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格尺寸（L×W×H）:12×12×5.1mm；解析度：0.01±0.005mm；行程：0.3mm以上；運轉電流≦100mA。
技術成熟度試量產
可應用範圍手機相機自動對焦驅動模組、手機相機光學變焦驅動模組、網路相機/攝影機之自動光學變焦模組。
潛力預估手機相機相關應用產業
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939059
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備馬達生產相關設備
需具備之專業人才馬達設計與製造產業相關背景
序號: 1579
產出年度: 95
技術名稱-中文: 手機相機自動對焦驅動模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 前瞻光資訊系統技術發展計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 1. 自動對焦驅動模組設計技術；2. 微型化構裝技術。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 尺寸（L×W×H）:12×12×5.1mm；解析度：0.01±0.005mm；行程：0.3mm以上；運轉電流≦100mA。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 手機相機自動對焦驅動模組、手機相機光學變焦驅動模組、網路相機/攝影機之自動光學變焦模組。
潛力預估: 手機相機相關應用產業
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939059
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: 無
所須軟硬體設備: 馬達生產相關設備
需具備之專業人才: 馬達設計與製造產業相關背景

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 5

序號5622
產出年度101
技術名稱-中文高能雷射加工頭模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文高功率雷射光學設計，同步整合光、熱、電、機構等技術，讓雷射加工模組加以整合，達到緊湊結構之效果，並可協助國內達成高功率雷射加工模組與製程之可行性，可以針對產業需求客製化設計。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計，提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計，可以針對產業需求變更客製化設計。
技術成熟度雛型
可應用範圍鈑金設備、運輸零組件加工設備、金屬加工設備
潛力預估可應用於各式高功率雷射加工應用
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備光纖雷射、光品質量測設備、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀)
需具備之專業人才光學、流體、材料與雷射應用背景
序號: 5622
產出年度: 101
技術名稱-中文: 高能雷射加工頭模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 南臺灣雷射光谷產業育成先導計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 高功率雷射光學設計，同步整合光、熱、電、機構等技術，讓雷射加工模組加以整合，達到緊湊結構之效果，並可協助國內達成高功率雷射加工模組與製程之可行性，可以針對產業需求客製化設計。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (1)可應用於平均功率>1000W之光束雷射。 (2)多功能結構設計，提供雷射設備開發整合。 (3)本結構具有可相容之模組化設計，可以針對產業需求變更客製化設計。
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 鈑金設備、運輸零組件加工設備、金屬加工設備
潛力預估: 可應用於各式高功率雷射加工應用
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939056
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備: 光纖雷射、光品質量測設備、材料加工量測儀器(如光學顯微鏡、3D表面輪廓儀)
需具備之專業人才: 光學、流體、材料與雷射應用背景

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 6

序號5848
產出年度101
技術名稱-中文R2R傳輸模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文研發大面積、高產能、低成本及高精度之R2R傳輸模組以因應新世代軟性電子之需求
技術現況敘述-英文(空)
技術規格開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合力量0~20kg (使用3~5kg)、定長進給0.2~30m/次
技術成熟度雛型
可應用範圍可擴及應用於軟性顯示器、低耗能軟性照明、太陽能光電產品、智慧型軟性元件等領域
潛力預估可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備可搭配各製程需求開發R2R生產設備
需具備之專業人才機械、電控與自動化
序號: 5848
產出年度: 101
技術名稱-中文: R2R傳輸模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 研發大面積、高產能、低成本及高精度之R2R傳輸模組以因應新世代軟性電子之需求
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 開發可R2R捲繞傳輸之超薄玻璃傳輸測試線及製程設備線，達成幅寬330mm超薄玻璃貼合與網印傳輸技術，超薄玻璃厚度100μm，循邊精度達 ± 100μm、張力1~9kgf、貼合傳輸速度=0~10m、貼合力量0~20kg (使用3~5kg)、定長進給0.2~30m/次
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 可擴及應用於軟性顯示器、低耗能軟性照明、太陽能光電產品、智慧型軟性元件等領域
潛力預估: 可結合各功能性模組，應用於高精度R2R製程設備
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939056
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備: 可搭配各製程需求開發R2R生產設備
需具備之專業人才: 機械、電控與自動化

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 7

序號5849
產出年度101
技術名稱-中文AMOLED薄膜封裝技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文本技術以ICP電漿達成高密度反應粒子之需求，並經由電極與氣場設計，完成製程設備所需大面積及高均勻性，此封裝製程利用電漿模組及單一有機前驅物連續控制並調配薄膜的性質，達成低應力、高阻水氣率又兼具高穿透率之目標。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90%
技術成熟度雛型
可應用範圍可應用至軟性顯示器封裝、薄膜太陽能電池封裝、軟性電子封裝等產業
潛力預估藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
電子信箱chengbicha@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/chi/is/p11.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&NodeId=0714&ArticleNBR=4417
所須軟硬體設備(1)高密度電漿源 (2)PECVD設備 (3)前驅物與反應氣體供料系統 (4)PLC控制系統與人機介面
需具備之專業人才機械,物理,光電背景專業
序號: 5849
產出年度: 101
技術名稱-中文: AMOLED薄膜封裝技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 軟性電子次世代設備及模組技術開發三年計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 本技術以ICP電漿達成高密度反應粒子之需求，並經由電極與氣場設計，完成製程設備所需大面積及高均勻性，此封裝製程利用電漿模組及單一有機前驅物連續控制並調配薄膜的性質，達成低應力、高阻水氣率又兼具高穿透率之目標。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 創新ICP電漿模組配合單一有機前驅物製程，薄膜封裝之撓曲阻氣能力 < 2×10^-6g/m^2/day (@R=20mm)、薄膜穿透率> 90%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 可應用至軟性顯示器封裝、薄膜太陽能電池封裝、軟性電子封裝等產業
潛力預估: 藉由本技術開發可有效解決有機元件易受電漿轟擊而破壞之問題，並布局創新結構及設備專利，透過關鍵專利技術移轉，協助國內廠商擁有自身專利並突破國外大廠專利封鎖，解決目前薄膜封裝重要專利被國外大廠把持之情形。
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939056
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: (1)高密度電漿源 (2)PECVD設備 (3)前驅物與反應氣體供料系統 (4)PLC控制系統與人機介面
需具備之專業人才: 機械,物理,光電背景專業

# 06-6939053 於 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集 - 8

序號5852
產出年度101
技術名稱-中文飛秒雷射改質模組技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文以單光束飛秒雷射，在金屬表面直接製作可控制微奈米混合結構，其中奈米結構< 0.8λ 應用於微結構模仁及植入醫材等。利用雷射針對透明硬脆材料進行內部改質， 應用於硬脆材料改質裂片，隨試片厚度變化，可利用可調景深改質模組調整光斑；使光束具長改質區間(深寬比>60)，將可一道次完成改質切割。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格(a) 改質線寬可達微奈米等級，最小可小於雷射加工波長線寬λ，約為150-170 nm之間 (b) 改質線長可達3.0 mm，改質區域深寬比大於60 (c) 改質尺度變化誤差小於8.93%
技術成熟度雛型
可應用範圍應用於面板之良率提升、硬脆材料精微加工、多晶透明導電薄膜開發、精密半導體微噴嘴等創新應用
潛力預估國內產業目前以輪刀切割為主，因刀片厚度使得切割軌跡寬度不易縮小，造成之良率不佳及材料浪費，本技術可改善屬點光源加工的雷射高斯光束切割的缺點，大幅提升微切割速度，可應用於透明硬脆材料的高速精密切割
聯絡人員鄭志宏
電話06-6939053
傳真06-6939056
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所須軟硬體設備雷射設備
需具備之專業人才雷射掃瞄加工基礎知識
序號: 5852
產出年度: 101
技術名稱-中文: 飛秒雷射改質模組技術
執行單位: 工研院南分院
產出單位: (空)
計畫名稱: 飛秒雷射創新應用技術關鍵計畫
領域: (空)
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 以單光束飛秒雷射，在金屬表面直接製作可控制微奈米混合結構，其中奈米結構< 0.8λ 應用於微結構模仁及植入醫材等。利用雷射針對透明硬脆材料進行內部改質， 應用於硬脆材料改質裂片，隨試片厚度變化，可利用可調景深改質模組調整光斑；使光束具長改質區間(深寬比>60)，將可一道次完成改質切割。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: (a) 改質線寬可達微奈米等級，最小可小於雷射加工波長線寬λ，約為150-170 nm之間 (b) 改質線長可達3.0 mm，改質區域深寬比大於60 (c) 改質尺度變化誤差小於8.93%
技術成熟度: 雛型
可應用範圍: 應用於面板之良率提升、硬脆材料精微加工、多晶透明導電薄膜開發、精密半導體微噴嘴等創新應用
潛力預估: 國內產業目前以輪刀切割為主，因刀片厚度使得切割軌跡寬度不易縮小，造成之良率不佳及材料浪費，本技術可改善屬點光源加工的雷射高斯光束切割的缺點，大幅提升微切割速度，可應用於透明硬脆材料的高速精密切割
聯絡人員: 鄭志宏
電話: 06-6939053
傳真: 06-6939056
電子信箱: chengbicha@itri.org.tw
參考網址: http://www.itri.org.tw/chi/is/p3.asp?RootNodeId=070&NavRootNodeId=071&nodeid=0720
所須軟硬體設備: 雷射設備
需具備之專業人才: 雷射掃瞄加工基礎知識
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與線型雷射光束模組技術同分類的經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法，本技術是現今唯一可於3~5分鐘內，精確量測出散熱模組熱性能之方法，並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver ．850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) ．2.5Gbps資料傳輸能力．100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) ．150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用，2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術，也是市場的主流。據IEK的資料顯示，預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/mi | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

應變矽CMOS元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術

應變矽製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 具離子佈植之氮化矽薄膜做為應力源之製程技術- 氮化矽膜厚 < 100nm, 佈植元素為一般半導體常用之元素,可與CMOS製程相容 | 潛力預估: 本技術是與High-k具潛力的CMOS千瞻技術

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