多模整合式車用天線
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技術名稱-中文多模整合式車用天線的執行單位是工研院資通所, 產出年度是95, 計畫名稱是寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫, 技術規格是無, 潛力預估是無.

序號1607
產出年度95
技術名稱-中文多模整合式車用天線
執行單位工研院資通所
產出單位(空)
計畫名稱寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文未來車用電子系統會有越來越多與通訊相關需求，如手機、調頻調幅、智慧行車系統(ITS)、數位電視等。如果沒有妥善設計只能成為個別安置，容易造成安裝及外觀上的不佳。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格無
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍車用天線、多頻帶無線通訊產品。
潛力預估無
聯絡人員陳張駿
電話03-5914440
傳真03-5820240
電子信箱C.C.Chen@itri.org.tw
參考網址無
所須軟硬體設備無
需具備之專業人才車用天線生產製造能力

序號

1607

產出年度

95

技術名稱-中文

多模整合式車用天線

執行單位

工研院資通所

產出單位

(空)

計畫名稱

寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

未來車用電子系統會有越來越多與通訊相關需求，如手機、調頻調幅、智慧行車系統(ITS)、數位電視等。如果沒有妥善設計只能成為個別安置，容易造成安裝及外觀上的不佳。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

無

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

車用天線、多頻帶無線通訊產品。

潛力預估

無

聯絡人員

陳張駿

電話

03-5914440

傳真

03-5820240

電子信箱

C.C.Chen@itri.org.tw

參考網址

無

所須軟硬體設備

無

需具備之專業人才

車用天線生產製造能力

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多模整合式車用天線

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 無 | 潛力預估: 減少車體外觀破壞；獲取最佳收訊效果

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多模整合式車用天線

執行單位: 工研院電通所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 無 | 潛力預估: 減少車體外觀破壞；獲取最佳收訊效果

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雷射誘發3D天線設計與製程技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 雙模無線接取網路技術發展計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術藉由天線多層化，可有效縮小天線面積，解決未來手機天線可用空間不足的瓶頸，同時還能將傳統電感、電容元件以等效電路整合設計於3D 電路上，提高天線產品的性能。2.最小可製... | 潛力預估: 本技術符合未來B4G/5G無線通訊裝置多天線設計與製造實現需求，並且技術具有顯著進步性與市場競爭優勢，屬高潛力之基礎技術。

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超寬頻天線 (UWB Antenna)

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 無 | 潛力預估: 無

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與封裝製程整合之WiMAX/WiFi雙頻天線技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 天線尺寸:11 mm × 11 mm；操作頻帶：2400 ~ 2484MHz and 3300 ~3600MHz；天線電壓駐波比規範：< 2.5。 | 潛力預估: 無

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高增益天線罩

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 天線罩大小(與Patch天線整合) : 10波長× 1.5波長× 0.06波長；可增加之天線增益:> 2 dB；適用頻段: 2.4, 3.5, 5.2,或5.8 GHz，WiFi以及WiMAX頻段... | 潛力預估: 無

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WiMax/WiFi雙頻 filter bank module

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 802.11b:_x000D_Return loss ( 2.4 GHz-2.5 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-1.9 GHz ) > -20 dB_x0... | 潛力預估: 無

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寬頻比例伸縮電感T模型

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 電感資料庫:其應用頻寬可達自振頻率2倍之頻寬。可根據圈數進行比例伸縮。 | 潛力預估: 半導體製造廠商提供高頻元件模型。2.

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Wi-Fi/WiMAX雙模功率放大器技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: Wi-Fi:增益25dB，在3%EVM下，輸出功率22.2dBm。在輸出功率20dBm下，效率大於12%。Wimax:增益25dB，在2.8%EVM下，輸出功率30dBm。在輸出功率26dBm下，效率... | 潛力預估: 單一元件，切換式，雙模操作；減少電路尺寸；相較於國外大廠RFMD與Skyworks，具有較好的線性度表現。

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低通濾波器、雙工器技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 低通濾波器 : S11(2.4~2.5 GHz、3.4~3.6 GHz)小於-10 dB，輸入損耗(2.4~2.5 GHz、3.4~3.6 GHz)小於0.8 dB，訊號衰減(6.8~7.2 GHz... | 潛力預估: 內埋射頻被動元件於IC內；精確擷取IC製程參數，在最小晶片面積內設計射頻被動元件，與主動元件高度整合。

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雷射誘發3D天線設計與製程技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 雙模無線接取網路技術發展計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 1.雷射誘發3D天線設計與製程技術藉由天線多層化，可有效縮小天線面積，解決未來手機天線可用空間不足的瓶頸，同時還能將傳統電感、電容元件以等效電路整合設計於3D 電路上，提高天線產品的性能。2.最小可製... | 潛力預估: 本技術符合未來B4G/5G無線通訊裝置多天線設計與製造實現需求，並且技術具有顯著進步性與市場競爭優勢，屬高潛力之基礎技術。

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超寬頻天線 (UWB Antenna)

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 無 | 潛力預估: 無

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與封裝製程整合之WiMAX/WiFi雙頻天線技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 天線尺寸:11 mm × 11 mm；操作頻帶：2400 ~ 2484MHz and 3300 ~3600MHz；天線電壓駐波比規範：< 2.5。 | 潛力預估: 無

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高增益天線罩

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 天線罩大小(與Patch天線整合) : 10波長× 1.5波長× 0.06波長；可增加之天線增益:> 2 dB；適用頻段: 2.4, 3.5, 5.2,或5.8 GHz，WiFi以及WiMAX頻段... | 潛力預估: 無

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WiMax/WiFi雙頻 filter bank module

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 802.11b:_x000D_Return loss ( 2.4 GHz-2.5 GHz ) > -10 dB、 Attenuation ( 0.9 GHz-1.9 GHz ) > -20 dB_x0... | 潛力預估: 無

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寬頻比例伸縮電感T模型

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 電感資料庫:其應用頻寬可達自振頻率2倍之頻寬。可根據圈數進行比例伸縮。 | 潛力預估: 半導體製造廠商提供高頻元件模型。2.

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Wi-Fi/WiMAX雙模功率放大器技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: Wi-Fi:增益25dB，在3%EVM下，輸出功率22.2dBm。在輸出功率20dBm下，效率大於12%。Wimax:增益25dB，在2.8%EVM下，輸出功率30dBm。在輸出功率26dBm下，效率... | 潛力預估: 單一元件，切換式，雙模操作；減少電路尺寸；相較於國外大廠RFMD與Skyworks，具有較好的線性度表現。

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低通濾波器、雙工器技術

執行單位: 工研院資通所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 寬頻無線通訊關鍵技術發展計畫 | 領域: | 技術規格: 低通濾波器 : S11(2.4~2.5 GHz、3.4~3.6 GHz)小於-10 dB，輸入損耗(2.4~2.5 GHz、3.4~3.6 GHz)小於0.8 dB，訊號衰減(6.8~7.2 GHz... | 潛力預估: 內埋射頻被動元件於IC內；精確擷取IC製程參數，在最小晶片面積內設計射頻被動元件，與主動元件高度整合。

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”；均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力

多晶矽平坦化技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 2nm表面粗糙度的低溫多晶矽 | 潛力預估: 可搶攻SOP與OLED相關產品市場，極具市場潛力

4"奈米碳管場發射顯射器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.4"面板_x000D_；2.2T1C畫素結構_x000D_；3.操作電壓 | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、攜帶式電子儀器市場，極具市場潛力

AMOLED畫素與驅動電路設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size 9.6”；Pixel Size 90um x3x360um；Resolution VGA；Voltage Compensation_x000D_；LTPS PMOS Proce... | 潛力預估: 可搶攻AMOLED Display System市場，極具市場潛力

合乎動態隨機記憶體使用之含高介電層之金屬-絕緣層-金屬電容技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 相容性佳：與大部分DRAM製程相容。

磁性記憶體單元尺寸微縮研究與製程技術 (MRAM)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: MR>50%, RA | 潛力預估: Embedded 記憶體

相變化記憶體元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 相變化疊層附著力 > 40 MPa, 疊層蝕刻角 > 85度, 電子束曝寫size 40-100 nm (2)元件操作電壓 < 6V, 脈衝時間 < 100 ns, R-ratio > 100... | 潛力預估: 相容性佳：與CMOS製程相容。

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

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