半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法
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技術名稱-中文半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法的執行單位是工研院能環所, 產出年度是95, 計畫名稱是高科技產業用水技術開發三年計畫, 技術規格是無, 潛力預估是無.

序號	1689
產出年度	95
技術名稱-中文	半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法
執行單位	工研院能環所
產出單位	(空)
計畫名稱	高科技產業用水技術開發三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	奈米科技是產業界在未來將投入大量人力，物力研發製造之標的。但相對的奈米製程所排放大量的廢水及環境污染的問題，也對於奈米產業造成極大的壓力，各廠莫不積極尋求解決的方法以符合環境法規的規範。其中奈米顆粒廢水中含有懸浮的奈米顆粒及有機與無機的化學物質。而奈米顆粒具有高度的穩定性及不同的組成變化。因此，水中奈米顆粒的去除對於現在及未來的水處理技術而都是一項技術瓶頸。在本研究中，我們使用電混凝(EC)結合Electro-Fenton之處理技術，有效達到去除水中奈米顆粒及水中有機/無機污染物質的目的，其效果遠比單以電。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	無
技術成熟度	概念
可應用範圍	無
潛力預估	無
聯絡人員	金光祖
電話	03-5913294
傳真	無
電子信箱	kinkontsu@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/trtfm.jsp
所須軟硬體設備	無
需具備之專業人才	無

序號

1689

產出年度

技術名稱-中文

半導體產業廢水中深次微米顆粒去除系統及方法

執行單位

工研院能環所

產出單位

(空)

計畫名稱

高科技產業用水技術開發三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

奈米科技是產業界在未來將投入大量人力，物力研發製造之標的。但相對的奈米製程所排放大量的廢水及環境污染的問題，也對於奈米產業造成極大的壓力，各廠莫不積極尋求解決的方法以符合環境法規的規範。其中奈米顆粒廢水中含有懸浮的奈米顆粒及有機與無機的化學物質。而奈米顆粒具有高度的穩定性及不同的組成變化。因此，水中奈米顆粒的去除對於現在及未來的水處理技術而都是一項技術瓶頸。在本研究中，我們使用電混凝(EC)結合Electro-Fenton之處理技術，有效達到去除水中奈米顆粒及水中有機/無機污染物質的目的，其效果遠比單以電。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

無

技術成熟度

概念

可應用範圍

無

潛力預估

無

聯絡人員

金光祖

電話

03-5913294

傳真

無

電子信箱

kinkontsu@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/chi/services/transferable/trtfm.jsp

所須軟硬體設備

無

需具備之專業人才

無

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製程酸排水回收技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 提高處理效率並延長活性碳再生與薄膜更換成本。 @ 技術司可移轉技術資料集
全廠機台排水回收規劃技術	執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 熟悉半導體產業機台操作程序，可充分掌控排水特性與分流最佳時間點。 @ 技術司可移轉技術資料集
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氣泡式反應清洗裝置及其方法	執行單位: 工研院能環所 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 高科技產業用水技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 無 \| 潛力預估: 無 @ 技術司可移轉技術資料集
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產儲運輸電子辨識系統技術	執行單位: 工研院系統中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 系統工程整合應用技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1)企業生產及物流系統工程需求分析 (2)場站出貨資訊系統流程及分析 (3)自動辨識系統需求分析與規格制定 (4)廠站RFID出貨整合系統之開發設計 (5)電子辨識管控技術之開發設計 \| 潛力預估: RFID應用於生產、製造、運輸、倉儲等，應用範圍廣市場潛力大。
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Optical Electronics SOC-PMD&PMA 技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Laser driver：10-100mA bias moudlation TIA：-15dBm sensitivity, 8GHz BW LA：230mV limiting BER \| 潛力預估: 國內自製之晶片在10Gbps處於高獲利期即佔有市場
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DTV RF Tuner IC技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Frequency Range：50~860MHz Input Resistance：75Ohm Min. Input power：-80dBm Max. Input power：-20dBm Tot... \| 潛力預估: 國內尚未有廠商使用CMOS技術來製作DTV RF Tuner，藉由掌握此關鍵技術，可實現使用行動裝置(手機、PDA、Notebook)收看數位電視的可能，並由顧採用的是CMOS技術，因此可降低IC設...
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PAC Architecture&Integration技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Asymmetric dual core architecture 2.Three-layer AHB bus structure (Basic) 3.Flexible and scalable... \| 潛力預估: 1. Low-power SoC Platform for portable applications 2. Bi-product: DVFS low-power design solution pa...
Low Power Design Methodology&Environment 技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Design Methodology：Multi-Vth,Multi-VDD,DVFS Design, Implementation,and Verification Methodology 2.... \| 潛力預估: 廣泛應用於可攜式電子產品SoC，將大幅提升國內IC廠商產品在國際市場之競爭力
Low Power Circuit Design技術	執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: PLL:12MHz in, 456MHz out, 24Mhz Stepping, RMS Jitter 35ps, P-P Jitter 150ps. MAC: Two 16 bit 2's com... \| 潛力預估: 可應用於各種時脈產生，及數位濾波器，及資料暫存設計